存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

歐洲半導(dǎo)體能實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)份額達(dá)20%嗎？

自2010年全球半導(dǎo)體增長(zhǎng)32%之后，己經(jīng)連續(xù)兩年回調(diào),然而著名的市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)WSTS與SIA于今年的春季最新預(yù)測(cè),給出了復(fù)蘇的跡象。據(jù)它們的最新預(yù)測(cè),2013年增長(zhǎng)2.1%，緊接著2014及2015分別再增長(zhǎng)5.1%及3.8%，至2015年時(shí)全球半導(dǎo)體業(yè)可達(dá)到3249億美元。反映半導(dǎo)體又進(jìn)入新一輪的上升周期，僅是明顯的幅度減少。
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單片機(jī)是由哪幾部分組成的？

單片機(jī)是由哪幾部分組成的?答：?jiǎn)纹瑱C(jī)是在一塊集成電路芯片上裝有CPU和程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、輸入/輸出接 ...
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用于相變存儲(chǔ)器的GeSbTe MOCVD共形淀積

為了達(dá)到PCM改進(jìn)高性能/高密度發(fā)展進(jìn)程中的下一個(gè)里程碑，正在采用的一個(gè)途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
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非易失性存儲(chǔ)器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增 ...
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主流存儲(chǔ)器之爭(zhēng)：HDD vs SSD

本文主要講述了相比混合型HDD而言，緩存SSD才是超級(jí)本主流存儲(chǔ)解決方案。這里小編跟大家介紹一下文中的幾個(gè)基 ...
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Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)

　　(新加坡 – 2013年5月16日) 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM 存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合，兩個(gè)產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)系統(tǒng)、先進(jìn)計(jì)算平臺(tái)、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴(yán)苛的存儲(chǔ)器應(yīng)用。　　DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù)，該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標(biāo)準(zhǔn)1.5V工作電壓，DDR3對(duì)比DDR2減
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基于FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器用戶接口設(shè)計(jì)

使用功能強(qiáng)大的FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲(chǔ)控制器，由于該公司出產(chǎn)的這種存儲(chǔ)控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，可知本設(shè)計(jì)具有很大的使用前景。本設(shè)計(jì)通過采用多路高速率數(shù)據(jù)讀寫探作仿真驗(yàn)證，可知其完全可以滿足時(shí)序要求，由綜合結(jié)果可知其使用邏輯資源很少，運(yùn)行速率很高，基本可以滿足所有設(shè)計(jì)需要。
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單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的擴(kuò)展實(shí)例

RAM是用來(lái)存放各種數(shù)據(jù)的，MCS-51系列8位單片機(jī)內(nèi)部有128 B RAM存儲(chǔ)器，CPU對(duì)內(nèi)部RAM具有豐富的操作指令。但是，當(dāng)單片機(jī)用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集或處理大批量數(shù)據(jù)時(shí)，僅靠片內(nèi)提供的RAM是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。此時(shí)，我們可以利用單
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8031單片機(jī)程序存儲(chǔ)器EPROM的擴(kuò)展實(shí)例

擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器常用的芯片是EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)型(紫外線可擦除型)，如2716(2Ktimes;8)、2732(4Ktimes;8)、2764(8Ktimes;8)、27128(16Ktimes;8)、27256(32Ktimes;8)、27512(64Kti
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可編程只讀存儲(chǔ)器PROM簡(jiǎn)介

可編程只讀存儲(chǔ)器PROM是早期的PLD，是一種簡(jiǎn)單PLD。電子發(fā)燒友網(wǎng)小編帶大家一起來(lái)深入了解什么是PROM、PROM的 ...
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MSP430---FLASH 讀寫

MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128 ...
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誰(shuí)為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)新一輪增長(zhǎng)動(dòng)力？

　　美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA) 宣布，2013年3月，全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到234.8億美元，較上個(gè)月的232.3億美元增長(zhǎng)了1.1%，較2012年3月的232.8億美元也增長(zhǎng)了0.9%。2013年第一季度的全球銷售總額較上年同期則增長(zhǎng)了0.9%。所有月銷售數(shù)位均取3個(gè)月的移動(dòng)平均數(shù)。　　美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)總裁兼行政總裁布萊恩-圖希 (Brian Toohey) 表示：“與上年同期相比，在整個(gè)2013年第一季度，全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了溫和但是連續(xù)的增長(zhǎng)。絕大多數(shù)的終端產(chǎn)品種類的銷售額都有所增
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51系列單片機(jī)的區(qū)別與特點(diǎn)介紹

8031/8051/8751是Intel公司早期的產(chǎn)品。1、8031的特點(diǎn)8031片內(nèi)不帶程序存儲(chǔ)器ROM，使用時(shí)用戶需外接程序存 ...
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在C51中如何訪問各空間某個(gè)確定地址單元？

在C51中，如何訪問DATA空間、PDATA空間、XDATA空間、CODE空間某個(gè)確定地址單元?答:用指針定義的訪問存儲(chǔ)器的 ...
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三星電子：強(qiáng)化大容量存儲(chǔ)器的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力

　　4月11日，三星電子表示，從上個(gè)月開始，已全面量產(chǎn)高性能10nm級(jí)(1nm為10億分之1m)128Gb閃存。128Gb 3bit MLC閃存是目前儲(chǔ)存半導(dǎo)體中容量最大的產(chǎn)品，三星電子通過量產(chǎn)128Gb 3bit MLC閃存，將全面擴(kuò)大大容量?jī)?nèi)存及SSD市場(chǎng)，并快速推進(jìn)64Gb MLC市場(chǎng)的升級(jí)。　　自去年11月初，三星電子便開始大批量生產(chǎn)10nm級(jí)超高速64Gb MLC閃存;不到5個(gè)月，在容量上擴(kuò)大至兩倍的10nm級(jí)128Gb閃存產(chǎn)品又得以量產(chǎn)，三星電子此舉進(jìn)一步鞏固了自身在eMMC，SSD等業(yè)內(nèi)
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]