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用于相變存儲(chǔ)器的GeSbTe MOCVD共形淀積

  • 為了達(dá)到PCM改進(jìn)高性能/高密度發(fā)展進(jìn)程中的下一個(gè)里程碑，正在采用的一個(gè)途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
  • 關(guān)鍵字： 相變  存儲(chǔ)器  GeSbTe  MOCVD  
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