存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

AVR單片機(jī)三種存儲(chǔ)器使用問題

AVR 系列單片機(jī)內(nèi)部有三種類型的被獨(dú)立編址的存儲(chǔ)器，它們分別為：Flash 程序存儲(chǔ)器、內(nèi)部SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和EEP ...
關(guān)鍵字： AVR單片機(jī) 存儲(chǔ)器 RAM

SoC存儲(chǔ)器的智能電源連接方法

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器智能電源 SoC IR壓降

單片機(jī)P0口的片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展設(shè)計(jì)技巧

隨著單片機(jī)運(yùn)算速度和處理能力的不斷提高，其在各個(gè)領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。然而。隨著其應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大及 ...
關(guān)鍵字：單片機(jī) P0口片外數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲(chǔ)器 NAND 寄存器 201312

玩轉(zhuǎn)ARM基本功

我是稀里糊涂的走上了嵌入式開發(fā)的道路，回想起來，多虧了身邊的幾位朋友，是在與他們的閑侃中慢慢的走上了這條道路:從最早的電路設(shè)計(jì)，PCB打板，電路調(diào)試，模擬仿真，單片機(jī)開發(fā)到后來的ARM開發(fā)，回想起來，心里也是誠惶誠恐,如履薄冰。
關(guān)鍵字：嵌入式 ARM 單片機(jī) 存儲(chǔ)器控制器

RAM在單片機(jī)里的用途

單片機(jī)就是個(gè)小計(jì)算機(jī)，跳蚤雖小不但五臟懼全，有時(shí)還跳得很高呢!自然，大計(jì)算機(jī)少不得的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，小不點(diǎn)的單 ...
關(guān)鍵字： RAM 單片機(jī) 存儲(chǔ)器

意法半導(dǎo)體和Memoir Systems整合突破性的存儲(chǔ)器技術(shù)和半導(dǎo)體制造技術(shù)

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布與Memoir Systems合作開發(fā)出革命性的算法內(nèi)存技術(shù)(Algorithmic Memory Technology)。新技術(shù)將用于制造采用全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI，fully-depleted silicon-on-insulator)技術(shù)的專用集成電路(ASIC，application-specific integrated circuits)和系統(tǒng)芯
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

賽普拉斯推出高容量視頻幀緩沖器用于寬帶視頻應(yīng)用

為了滿足市場(chǎng)上日益增長(zhǎng)的對(duì)寬帶視頻緩沖的需求，賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布量產(chǎn)高容量視頻幀存儲(chǔ)器。這一72-Mbit的器件源自于賽普拉斯領(lǐng)先業(yè)界的SRAM技術(shù)，以先進(jìn)先出(FIFO)存儲(chǔ)器的形式工作，同時(shí)還有獨(dú)立的讀寫端口，以便更快地傳輸數(shù)據(jù)。
關(guān)鍵字：賽普拉斯存儲(chǔ)器視頻幀緩沖器

FPGA的圖像處理技術(shù)，你知道多少？

最近一段時(shí)間一直在研究基于FPGA的圖像處理，乘著EEPW這個(gè)機(jī)會(huì)和大家交流一下，自己也順便總結(jié)一下。主要是為了大家對(duì)用FPGA做圖像處理有個(gè)感性的認(rèn)識(shí)，如果真要研究的話就得更加深入學(xué)習(xí)了。本人水平有限，如有錯(cuò)誤，歡迎大家批評(píng)指正。
關(guān)鍵字： FPGA 圖像處理計(jì)數(shù)器存儲(chǔ)器

西安集成電路產(chǎn)業(yè)分析：“馬太效應(yīng)”顯現(xiàn)

　　今年前三季度，美光在西安的進(jìn)出口總額已經(jīng)超過50億美元。隨著美光公司新的封裝測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)駐，以及三星電子項(xiàng)目的即將竣工投產(chǎn)，西安可謂是吸納了國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，尤其是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域最頂級(jí)企業(yè)進(jìn)駐，也使得西安高新區(qū)一舉成為我國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域第一極。　　隨著各類整機(jī)性能和數(shù)據(jù)處理需求的急劇增長(zhǎng)，系統(tǒng)級(jí)芯片的迅猛發(fā)展，存儲(chǔ)器芯片在各類芯片和電子整機(jī)產(chǎn)品中的作用越來越重要。這使與CPU配合的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片容量越來越大，性能要求越來越高;CPU本身性能的提升使其內(nèi)部存儲(chǔ)器的面積越來越大，而隨著數(shù)
關(guān)鍵字：集成電路存儲(chǔ)器

別讓ESD危害了你的電子器件

隨著電子技術(shù)的以及集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備日趨小型化、多功能及智能化。然而高集成度的電路元件都可能因靜電電場(chǎng)和靜電放電(ESD)引起失效，導(dǎo)致電子設(shè)備鎖死、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失而影響設(shè)備正常工作，使設(shè)備可靠性降低，造成損壞。因此，研究電子設(shè)備所造成的ESD危害及原理，避免ESD的發(fā)生具有重要意義。
關(guān)鍵字： ESD 靜電耗散存儲(chǔ)器數(shù)字電路

東芝推出可控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)的微控制器

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布其TX03系列ARM Cortex&trade:-M3內(nèi)核微控制器陣容中新增“TMPM384FDFG”成員。該產(chǎn)品整合了大容量片上存儲(chǔ)器、額外的多用定時(shí)器通道和AD轉(zhuǎn)換器以及功能更強(qiáng)的I/O端口，可控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)和整個(gè)系統(tǒng)。該產(chǎn)品計(jì)劃于今年11月投入量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝存儲(chǔ)器微控制器

DRAM雙雄營收高歌

　　DRAM雙雄報(bào)喜，南科與華亞科7日公布9月營收，南科為38.05億元，月增8.3%。華亞科為59.76億元，月增7.3%，且連七個(gè)月增長(zhǎng)，也創(chuàng)歷史新高。　　華亞科月營收是以客戶前三個(gè)月產(chǎn)品均價(jià)來計(jì)算，因此9月業(yè)績(jī)是以6月至8月的價(jià)格為估算基礎(chǔ)，尚未納入SK海力士無錫廠受災(zāi)后，DRAM價(jià)格上漲所帶來的利益。華亞科指出，9月營收增加，主要是產(chǎn)品組合變化，與產(chǎn)品平均單價(jià)(ASP)上揚(yáng)帶動(dòng)。　　華亞科已連四個(gè)月單月營收在50億元以上水平，外界估算，DRAM價(jià)格飆漲后，華亞科10月業(yè)績(jī)還會(huì)更好，預(yù)期可突
關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器

ARM存儲(chǔ)器之：協(xié)處理器CP15

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： ARM 存儲(chǔ)器協(xié)處理器 CP15 TCM

DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)趨向成熟

據(jù)市調(diào)公司IC Insights今年7月發(fā)表的一份名為“Global Wafer Capacity 2013 report”報(bào)告稱，2012年末存儲(chǔ)器和代工(主要生產(chǎn)邏輯和混合信號(hào)電路)所用晶圓(以200mm晶圓計(jì))已超過世界每月晶圓產(chǎn)能的一半，計(jì)共922.7萬片，占64%(其中存儲(chǔ)器占36.1%，代工27.5%)，隨后邏輯電路占12.4%，微芯片(MPU，MCU和DSP)10.3%，模擬電路9.6%，其他4.1%。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器晶圓 DRAM 201310

共1627條 36/109 |‹ « 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]