存儲器文章最新資訊

大廠偏重生產(chǎn)移動存儲器 DRAM供貨吃緊

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標準型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形下，2014下半年已有供貨吃緊的跡象。　　以需求端來觀察，由于PCOEM庫存水位普遍不高，采購策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場已經(jīng)醞釀第三季合約價格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價格來觀察，目前4GB報價約在36美元間，5月合約均價在30.5美元，
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM

2014年下半年市場發(fā)展動向與技術(shù)觀點

　　Compuforum2014研討會上業(yè)界大佬云集。盛會之下，指點江山，共同勾勒2014年下半年市場發(fā)展動向與技術(shù)觀點。
關(guān)鍵字：存儲器觸控

移動存儲器成為存儲器的成長主力

在智能手機和平板電腦市場穩(wěn)好增長的驅(qū)動下，包括NAND和NOR閃存、NAND嵌入式多媒體卡(eMMC——embedded multimedia card)和移動DRAM在內(nèi)的移動存儲器近年已成為存儲器市場的增長引擎，如果消費者對智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的熱情不減，那么移動存儲器未來幾年的發(fā)展更被看好。
關(guān)鍵字：智能手機存儲器 201207

韓系存儲器廠生產(chǎn)不順供應(yīng)鏈庫存偏低

DRAM供給吃緊，有廠家已準備上調(diào)價格，而手機存儲器MobileRAM供給則更為吃緊，主要是智能手機大廠均已開始進入新品備貨旺季。
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM

韓國運用石墨烯開發(fā)透明存儲器

　　南韓科學家運用石墨烯(graphene)發(fā)明了一款透明的存儲器，未來筆記型電腦、智能手機將有望出現(xiàn)透明機種。　　南韓媒體ETNews 24日報導，南韓科學與資訊科技未來規(guī)畫部(Ministry of Science, ICT and Future Planning，MISP)23日宣布，高麗大學(Korea University)電機工程系教授Kim Tae-geun、Kim Hee-dong已聯(lián)手開發(fā)出一種透明存儲器的制造技術(shù)，利用還原氧化石墨烯(reduced graphene oxide
關(guān)鍵字：石墨烯存儲器

2013年半導體營收成長5% 存儲器扮推手

　　根據(jù)國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner統(tǒng)計結(jié)果，2013年全球半導體營收總計3,150億美元，較2012年成長5%。前25大半導體廠商合計營收增幅達6.9%，遠優(yōu)于市場其余廠商之績效，其余廠商營收成長率僅0.9%。其部分原因可歸于領(lǐng)先廠商當中聚集許多記憶體廠商，而記憶體市場在上年大幅成長23.5%。　　Gartner研究副總裁AndrewNorwood表示：「2013年在歷經(jīng)年初半導體庫存過剩而不振之后，第二及第三季營收持續(xù)增強，第四季才趨于平緩。記憶體(尤其是DRAM)，帶動這波成長，其原因并
關(guān)鍵字：半導體存儲器

DRAM價格緩步下滑存儲器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出，自農(nóng)歷年過后，受到傳統(tǒng)PC出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落，加上供給缺口回補，使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清淡走勢，導致現(xiàn)貨主流顆粒DDR34Gb512Mx8eTT價格在農(nóng)歷年過后下滑幅度達13%。　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，由于時處傳統(tǒng)PC出貨淡季，加上2014年英特爾(Intel)新晶片組Boardwell將遞延至第四季發(fā)表，以及Microsoft8.1確定無法拉抬
關(guān)鍵字： DRAM 存儲器

從4004到core i7：處理器的進化史（3）-1—萬事開頭難

我們就用一個最簡單的例子說起。
關(guān)鍵字： CPU 存儲器處理器邏輯電路 C語言

應(yīng)用材料財報優(yōu) 半導體迎春燕

　　全球半導體設(shè)備龍頭美商應(yīng)用材料(AppliedMaterials)昨(13)日公布上季財報優(yōu)于預期，估計本季營收可望季增10%，透露主要晶圓廠設(shè)備投資升溫，也預告半導體景氣春燕將近。　　應(yīng)材供應(yīng)臺積電、三星、格羅方德等半導體大廠關(guān)鍵設(shè)備，居產(chǎn)業(yè)制高點位置，其財報與展望是掌握半導體市場趨勢的重要指標。　　法人指出，應(yīng)材上季財報與本季展望均傳出佳音，透露近期北美半導體設(shè)備訂貨出貨比(B/B值)仍將處于代表景氣擴張的1以上，預料半導體景氣春燕，有機會提前在3月飛至，推升臺積電、聯(lián)電、漢微科、
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料存儲器

基于FPGA動態(tài)可重構(gòu)技術(shù)的二模冗余MIPS處理器

現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array， FPGA)是基于SRAM的一種硬件電路可重配置電子邏輯器件，可通過將硬件描述語言編譯生成的硬件配置比特流編程到FPGA中，而使其硬件邏輯發(fā)生改變。
關(guān)鍵字： FPGA SRAM MIPS 存儲器 BIST

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

嵌入式設(shè)計：存儲器以及BootLoader的總結(jié)

　　在大學的時候很少關(guān)心單片機內(nèi)部存儲器的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別，甚至只是知道程序下載到ROM中就能運行了。其他的如何工作程序如何啟動的就不了了知了。因此在接觸嵌入式的時候就會出現(xiàn)很多盲區(qū)。在此本人將工作三個多月以來接觸到的一些關(guān)于嵌入式新的理解分享給大家，有什么錯誤的地方在所難免，希望大家給予指正。　　RAM和ROM在單片機中的相關(guān)應(yīng)用　　ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫，RAM是RandomAccessMemory的
關(guān)鍵字：嵌入式設(shè)計存儲器

東芝提出STT-MRAM存儲器內(nèi)運算架構(gòu)

存儲結(jié)構(gòu)的改變，能帶來性能的提升和功耗的降低，東芝最近就提出了一個STT-MRAM記憶體運算的新架構(gòu)。在同樣容量下，占用基板面積小于SRAM;雖然寫入速度低于SRAM，但讀取速度與SRAM相當，進行記憶體內(nèi)運算時，考慮STT-MRAM的低耗電，這將成為有效的高速低耗電運算架構(gòu)。
關(guān)鍵字：東芝存儲器

布局存儲器封測臺廠競爭卡位

　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

存儲器模塊廠樂觀本月營運

　　存儲器模塊進入春節(jié)前拉貨旺季，包括威剛(3260)、創(chuàng)見、宇瞻等存儲器模塊樂觀看待元月營收開始升溫。　　存儲器模塊廠去年拜DRAM價格回升，均繳出比前年還佳的成績單。威剛?cè)ツ耆旰喜I收335.2億元，年增63.7%，創(chuàng)三年來新高;宇瞻去年合并營收98.34億元，年增27.67%，也是近三年新高紀錄。創(chuàng)見去年全年合并營收261.15億元，年減0.39%。　　法人預估，威剛?cè)ツ甑?季獲利優(yōu)前去年第3季，去年全年每股純益可望逾一個股本。
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM

共1633條 35/109 |‹ « 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 » ›|

存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]