存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

Intel揮軍存儲器為自保、產(chǎn)量不致打亂市場供需？

　　英特爾(Intel)進攻存儲器，將斥資改造大連廠，外界對此議論紛紛，擔心美光將受威脅，NAND flash恐會供過于求，不過有分析師認為，英特爾此舉是是為了自保，產(chǎn)量不會大到?jīng)_擊市場。　　巴倫(Barronˋs)財經(jīng)網(wǎng)站23日報導，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲器技術(shù)“3D Xpoint”將是大連廠的生產(chǎn)重心，英特爾可從中獲利，但不會成為NAND flash的主要生產(chǎn)商，預料存儲器僅占該公司整體
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阻變存儲器：中國企業(yè)如何“存儲”專利實力？

98%的存儲系統(tǒng)采用國外產(chǎn)品，同時，高端存儲系統(tǒng)的核心技術(shù)大都被國外存儲廠商壟斷，這給國家信息安全帶來了較大的安全隱患，突破國外廠商的壟斷，研發(fā)出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端存儲技術(shù)已迫在眉睫。
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非易失性光存儲器，利用相變材料實現(xiàn)

首次實現(xiàn)了非易失性光存儲器，革命性的技術(shù)帶來存儲領(lǐng)域的新世界。
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大陸景氣低迷　韓國存儲器廠前景恐難卜

　　雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。　　據(jù)ET News報導，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當初預期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。　　三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
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服務(wù)器用存儲器價格續(xù)跌　幅度可望收斂

　　受到全球經(jīng)濟狀況疲弱，且匯率波動劇烈影響，企業(yè)用伺服器品牌出貨呈現(xiàn)停滯、甚至衰退情況，加上整體DRAM需求不彰，導致伺服器用記憶體價格持續(xù)滑落。根據(jù)TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，DDR4 R-DIMM均價截至8月底為止，跌幅高達15%，而低價預期最快將于第三季底與DDR3達到平價，可望增加伺服器升級至英特爾(Intel) Grantley平臺的需求。　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，受惠于DDR4跌價促進的平臺升級需求，近期幾家前端晶片供應
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存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應？

　　經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動，越來越多新技術(shù)開始浮上臺面。這些技術(shù)不僅僅是既有技術(shù)的改進，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術(shù)轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。　　存儲器技術(shù)近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術(shù)在1940年代便已確立的關(guān)系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。　　即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是
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大話存儲器——存儲器無處不在

　　特權(quán)同學對存儲器的認識也許還很膚淺，但是不要緊，學習靠積累，靠總結(jié)。希望在大話存儲器的一些文章里總結(jié)歸納一些和存儲器相關(guān)的知識，也希望能夠理出一條清晰的思路，讓大家也讓我自己對存儲器有更深入的認識何了解。　　提到存儲器相信沒有人會陌生，也許你的第一反應會是PC機的內(nèi)存條、硬盤，如果你是個電子行業(yè)的學生或者從業(yè)者，你也許還會想到FLASH、SRAM、SDRAM、EEPROM等等。的確，信息時代的存儲器可謂無處不在，也正是因為有了存儲器，才讓計算機(特權(quán)同學認為這個計算機的概念不僅僅是電腦，嵌入式的任
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三星新快閃存儲器技術(shù) 提升手機儲存容量

　　三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術(shù)打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時，藉由新技術(shù)投入將可提升約40%產(chǎn)能，并且將能以此提供價格更具實惠的快閃記憶體模組，預計最快在今年下半年間至明年初即可應用在實際市售產(chǎn)品。　　　　根據(jù)三星公布消息，確定將在今年下半年內(nèi)投入第三代V-NAND技術(shù)，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進而提升手機
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英特爾和美光明年量產(chǎn)新一代非易失性存儲器

　　英特爾和美光科技于2015年7月28日發(fā)布了“3D XPoint技術(shù)”，英特爾稱其為“自1989年NAND閃存問世以來，內(nèi)存技術(shù)時隔25年多取得的新突破”。兩家公司還利用該技術(shù)開發(fā)出了NAND閃存中比較普遍的容量為128GB的芯片。　　設(shè)想應用于需要快速處理大量數(shù)據(jù)的領(lǐng)域。例如采用8K超高精細影像的游戲、面部識別及語音識別等圖案匹配、基因分析等。　　兩家公司將于2015年底向特定客戶供應樣品，2016年正式開始銷售。　　訪問時間與DRAM相當
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PC衰退沖擊存儲器供應商業(yè)績

PC產(chǎn)業(yè)衰退以及市場對DRAM的需求趨緩，半導體產(chǎn)業(yè)銷售額將因為PC與智慧型手機需求衰弱，而呈現(xiàn)為期兩年的低潮。
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數(shù)據(jù)中心、存儲器和IoT占英特爾總利潤7成

　　英特爾2015年第二季度(4～6月)的財報顯示，其銷售額為同比減少5%的131.95億美元，營業(yè)利潤為同比減少25%的28.96億美元。該公司CEO布萊恩·柯贊尼奇(Brian Krzanich)就本季度的業(yè)績表示，“營業(yè)利潤的70%來自數(shù)據(jù)中心、存儲器和IoT，彌補了形勢嚴峻的個人電腦領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。顯示出了本公司業(yè)務(wù)構(gòu)成的變化”。　　從業(yè)務(wù)部門來看，客戶端計算業(yè)務(wù)的銷售額為同比減少14%的75.37億美元，營業(yè)利潤為同比減少38%的16.02億美元。面向平板電
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海力士高頻寬存儲器封裝圖文揭密

　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。　　　　圖1：HBM模組橫截面示意圖　　(來
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海力士高頻寬存儲器封裝揭密

　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。　　圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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TMS320C6678存儲器訪問性能（下）

　　1. DMA訪問存儲器的性能　　EDMA3架構(gòu)支持很多功能，可以實現(xiàn)高效的并行數(shù)據(jù)傳輸。本節(jié)討論影響它性能的很多因素，如存儲器類型，地址偏移等。　　1.1 DMA傳輸?shù)念~外開銷　　一般的傳輸時延被定義為EDMA被觸發(fā)到真正的數(shù)據(jù)傳輸開始的時間。由于數(shù)據(jù)傳輸開始的時間無法用簡單的方法測量，所以我們用最小數(shù)據(jù)單元的傳輸完成時間來代表DMA傳輸?shù)臅r延或額外開銷。根據(jù)不同源/目的地址的組合，這個值會有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測得的從
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TMS320C6678存儲器訪問性能（上）

　　摘要　　TMS320C6678 有8 個C66x核，典型速度是1GHz，每個核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一個64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部擴展存儲器。　　存儲器訪問性能對DSP上運行的軟件是非常關(guān)鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個DSP核和多個DMA都可以訪問所有的存儲器。　　每個DSP核每個時鐘周期都可以執(zhí)行最多128 b
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]