存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

存儲器接連刷新歷史最高紀(jì)錄，768Gbit 3D NAND亮相

　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容豐富。　　存儲器會議共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來自亞洲，日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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SK Hynix：單機(jī)搭載量提升 2016年存儲器市場需求持續(xù)成長

　　受終端各應(yīng)用部門對存儲器產(chǎn)品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國第二大存儲器廠商SK海力士(SK Hynix)營收僅達(dá)4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。　　在產(chǎn)品價格下滑、出貨狀況不如預(yù)期，加上營業(yè)費(fèi)用占營收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達(dá)8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現(xiàn)不如預(yù)期，也是自2014年第4季以來連續(xù)4季衰退。　　2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動裝置需求疲弱影響，位元出貨量較
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趙偉國:紫光肯定要建存儲器廠

　　去年10月入股威騰電子(Western Digital，WD)的紫光集團(tuán)，為完成記憶體方面的布局，今年將啟動建設(shè)工廠。紫光集團(tuán)董事長趙偉國日前接受財新周刊專訪時表示，紫光將會自建工廠，但并未透露是否計劃收購存儲器大廠。　　報導(dǎo)指出，從目前紫光集團(tuán)記憶體的布局來看，除了要獲得威騰的專利授權(quán)，還需要收購一家制造工廠或者自建工廠。對此，趙偉國表示，“不管有沒有收購，我肯定要自己建設(shè)存儲(儲存裝置)工廠。” 　　趙偉國強(qiáng)調(diào)，“在中國建立中國資本控制的工廠，這不僅僅是企
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存儲器架構(gòu)選項(xiàng)漸多　定制化將成未來趨勢

隨著存儲器系統(tǒng)從一個固定的子系統(tǒng)轉(zhuǎn)變成整體系統(tǒng)中可調(diào)整的變相，存儲器控制器的重要性也越來越被重視，新的存儲器架構(gòu)即將出現(xiàn)。
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英特爾再戰(zhàn)存儲器

如今英特爾重返存儲器市場，存儲器產(chǎn)業(yè)已今非昔比，但英特爾仍具備強(qiáng)大的制造規(guī)模及技術(shù)實(shí)力，甚至有能力主導(dǎo)存儲器市場，英特爾投入戰(zhàn)局勢必震撼全球存儲器產(chǎn)業(yè)。
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Microchip新型高性價比、低功耗PIC MCU可延長電池壽命，其1 MB雙分區(qū)閃存還可免去外部存儲器

　　領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)日前宣布擴(kuò)展其低功耗PIC?單片機(jī)(MCU)產(chǎn)品組合。全新PIC24F “GB6”系列包括具備糾錯碼(ECC)的高達(dá)1 MB閃存和32 KB RAM，是Microchip旗下首批提供如此大存儲容量的16位MCU器件。這些新器件還擁有具備實(shí)時更新功能的雙分區(qū)閃存，可以裝載兩個獨(dú)立的軟件應(yīng)用程序，使得一個分區(qū)在執(zhí)
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PLC故障分析與故障排除方法

　　單純依靠某種方法是不能實(shí)現(xiàn)故障檢測的，需要多種方法結(jié)合，配合電路、機(jī)械等部分綜合分析。　　PLC故障特點(diǎn) 　　PLC控制系統(tǒng)故障是指其失去了規(guī)定功能，一般指整個生產(chǎn)控制系統(tǒng)失效的總和，它又可分為PLC故障和現(xiàn)場生產(chǎn)控制設(shè)備故障兩部分。PLC系統(tǒng)包括中央處理器、主機(jī)箱、擴(kuò)展機(jī)箱、I/O模塊及相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)和外部設(shè)備?，F(xiàn)場生產(chǎn)控制設(shè)備包括端口和現(xiàn)場控制檢測設(shè)備，如繼電器、接觸器、閥門、電動機(jī)等。　　大多數(shù)有關(guān)PLC的故障是外圍接口信號故障，所以在維修時，只要PLC有些部分控制的動作正常，都不應(yīng)該懷疑
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用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限

　　一般地,EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限時,該單元就無法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中，可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限?！　∥覀冇幸粋€單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做：　　1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。　　2、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中。　　3、每次要對E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時，先讀取00H中的數(shù)據(jù)，并
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三星SK海力士存儲器被中國美國追趕韓政府預(yù)算零成長

　　韓國政府2016年未編列半導(dǎo)體預(yù)算，使韓國半導(dǎo)體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲器市場上，大陸和美國迅速追擊，韓國半導(dǎo)體業(yè)者危機(jī)感提升，而列為未來成長動能的IC設(shè)計，也未受到韓國政府重視。　　據(jù)Digital Times報導(dǎo)，韓國政府對半導(dǎo)體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè)，以及電子情報裝置新事業(yè)等，均未編列預(yù)算。自2016年起，將不會有由韓國政府主導(dǎo)的新半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)。　　目前正在進(jìn)行的系統(tǒng)芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機(jī)。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出，產(chǎn)業(yè)委員會對于預(yù)算方面提出質(zhì)疑，并主張?jiān)鲑Y30
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存儲器封測大廠力成無奈出嫁臺灣的明日啟示錄

　　10月30日下午，全球最大存儲器封測廠力成科技董事長蔡篤恭，宣布紫光以194億元入股25%持股，成為力成第一大股東。這個近200億元的投資案，不僅是歷來外商投資國內(nèi)封測業(yè)最大的案子，而且還來自最近頻頻在全世界撒錢收購企業(yè)的中國紫光集團(tuán)，更讓這個入股案引起眾人矚目。　　紫光會入股力成，策略主軸其實(shí)相當(dāng)清楚，而且是一步步完成在存儲器產(chǎn)業(yè)的拼圖，可以說完全不讓人意外。根據(jù)紫光集團(tuán)董事長趙偉國的規(guī)畫，目前紫光布局的三個重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)，第一個是儲存與存儲器產(chǎn)業(yè)，第二個是行動通訊芯片，第三個則是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)
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美光新型存儲器要替代NOR快閃存儲器

　　是時候該跟平凡無奇的NOR快閃存儲器說再見了?美光科技(Micron)最近發(fā)表最新XTRMFlash系列產(chǎn)品，號稱速度可達(dá)到3.2Gb/s，而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲器接腳相容。　　美光嵌入式業(yè)務(wù)部門NOR快閃存儲器產(chǎn)品總監(jiān)Richard De Caro表示：“并列式快閃存儲器的時代已經(jīng)結(jié)束了，美光新推出的XTRMFlash將可在接下來取代目前市面上的并列式與串列式存儲器──也許除了一些低密度應(yīng)用。”美光將為新產(chǎn)品推出容量從128Mb~2Gb的產(chǎn)品，目前第一波
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半導(dǎo)體購并裁員潮接踵而至　沖擊層面恐?jǐn)U大

　　全球半導(dǎo)體業(yè)購并熱潮延燒，隨著新一代芯片研發(fā)成本大幅提升，廠商必須創(chuàng)造更多營收，購并成為廠商提升競爭力重要策略，業(yè)界預(yù)期包括存儲器、儲存、網(wǎng)路系統(tǒng)、處理器、模擬IC等領(lǐng)域，將持續(xù)出現(xiàn)更多購并案，不僅對于半導(dǎo)體人力資源及芯片價格造成影響，OEM客戶亦將因?yàn)楹献鲗ο筮x擇變少而受到?jīng)_擊。　　2015年半導(dǎo)體購并案及裁員消息頻傳，業(yè)界推測與產(chǎn)品及營運(yùn)狀況有極大關(guān)系，像是英特爾(Intel)以167億美元買下Altera，以及恩智浦(NXP)以100億美元買下飛思卡爾(Freescale)，裁員人數(shù)都將少于
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國內(nèi)存儲器芯片9成以上依賴進(jìn)口或引進(jìn)新政策

　　大陸成為全球最大存儲器芯片消費(fèi)國，以往存儲器芯片有9成以上依賴進(jìn)口的大陸，以提升自給率為名義促進(jìn)在地生產(chǎn)，可能引進(jìn)新政策。　　Digital Times引用TrendForce資料指出，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元。這各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。移動DRAM較2014年成長近2倍，市占率達(dá) 40%。　　大陸的DRAM、NAND采購增加，意味著大陸終端產(chǎn)品業(yè)者的成長迅速。在PC領(lǐng)域，聯(lián)想快速成長，成為
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一度無人問津大陸存儲器產(chǎn)業(yè)狂想曲

涉及數(shù)百億美元巨額投資、一度無人問津的存儲器，正在成為中國地方政府競相追逐的產(chǎn)業(yè)，但最近，所有的玩家卻一同現(xiàn)身，當(dāng)中國企業(yè)攜市場、資本入局，必然會攪動國際存儲器格局，帶來更加激烈的競爭，國際巨頭與中國企業(yè)、政府的競合博弈，也會給中國玩家?guī)砀嗟氖袌鲲L(fēng)險。
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大陸存儲器消費(fèi)實(shí)力不容小覷　聯(lián)想采購量與惠普相當(dāng)

　　大陸成為全球最大存儲器芯片消費(fèi)國，以往存儲器芯片有9成以上依賴進(jìn)口的大陸，以提升自給率為名義促進(jìn)在地生產(chǎn)，可能引進(jìn)新政策。　　Digital Times引用TrendForce資料指出，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元。這各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。移動DRAM較2014年成長近2倍，市占率達(dá)40%。　　大陸的DRAM、NAND采購增加，意味著大陸終端產(chǎn)品業(yè)者的成長迅速。在PC領(lǐng)域，聯(lián)想快速成長，成為存
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]