存儲(chǔ)器文章最新資訊

新開發(fā)超導(dǎo)存儲(chǔ)器讀寫速度提升100倍

　　俄羅斯的科學(xué)家開發(fā)出一種超導(dǎo)記憶體單元的控制系統(tǒng)，只需不到1奈秒(ns)的時(shí)間，就能實(shí)現(xiàn)較當(dāng)今所用的類似記憶體更快幾百倍的讀取與寫入速度。　　來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)與莫斯科國(guó)立大學(xué)(Moscow State Univeristy)的科學(xué)家在最近一期的《應(yīng)用物理快報(bào)》(Applied Physics Letters)中發(fā)表這項(xiàng)研究成果。　　這項(xiàng)理論性的研究成果預(yù)測(cè)在復(fù)雜的Josephson Junction超導(dǎo)元件中存在雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。建置這種元件可能需要進(jìn)行超冷卻作業(yè)，使其無法真正落實(shí)
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存儲(chǔ)器龍頭還不夠　三星瞄向系統(tǒng)半導(dǎo)體王座

三星半導(dǎo)體事業(yè)也有潛在危機(jī)，比如大客戶蘋果轉(zhuǎn)投臺(tái)積電，然而三星的策略就是以對(duì)手跟不上的高附加價(jià)值產(chǎn)品克服困境。
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MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

　　記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題　　遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲(chǔ)器新工廠

　　日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲(chǔ)器工廠。　　新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計(jì)將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。　　新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲(chǔ)器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲(chǔ)器，海力士現(xiàn)有NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能將擴(kuò)增超過兩倍。　　此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3
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三星量產(chǎn)供手機(jī)使用的256GB快閃存儲(chǔ)器

　　256GB的UFS 2.0記憶體可用來存放47部高畫質(zhì)電影，還可流暢地播放Ultra HD影片　　 ? 　　你想要內(nèi)建容量高達(dá)256GB的智慧型手機(jī)嗎?三星電子(Samsung Electronics)周四(2/25)宣布已開始量產(chǎn)全球首款基于Universal Flash Storage(UFS)2.0的256GB嵌入式記憶體，將可應(yīng)用在新一代的高階智慧型手機(jī)。　　目前全球高階智慧型手機(jī)的內(nèi)建儲(chǔ)存容量最高都只到128GB，例如蘋果的iPhone 6s/6s Plus或三星的
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使用高速SRAM設(shè)計(jì)電池支持型存儲(chǔ)器

　　嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個(gè)編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設(shè)計(jì)多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?！　?shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)一直沒有改變。圖1顯示了一個(gè)典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個(gè)微控制器和一個(gè)微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應(yīng)用，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可根據(jù)需要?jiǎng)h減接口和外設(shè)。如果控制器的內(nèi)置存儲(chǔ)器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲(chǔ)器。通常而言，閃存用于存儲(chǔ)控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)臨時(shí)變量和保存重要的應(yīng)用數(shù)據(jù)塊
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存儲(chǔ)器接連刷新歷史最高紀(jì)錄，768Gbit 3D NAND亮相

　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國(guó)舊金山舉行)會(huì)議上，NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化，以及DRAM的高帶寬化等存儲(chǔ)器技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲(chǔ)器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容豐富。　　存儲(chǔ)器會(huì)議共有3個(gè)。分別以非易失存儲(chǔ)器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì)議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來自亞洲，日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲(chǔ)器)。下面來介紹
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SK Hynix：?jiǎn)螜C(jī)搭載量提升 2016年存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求持續(xù)成長(zhǎng)

　　受終端各應(yīng)用部門對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國(guó)第二大存儲(chǔ)器廠商SK海力士(SK Hynix)營(yíng)收僅達(dá)4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。　　在產(chǎn)品價(jià)格下滑、出貨狀況不如預(yù)期，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用占營(yíng)收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達(dá)8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現(xiàn)不如預(yù)期，也是自2014年第4季以來連續(xù)4季衰退。　　2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動(dòng)裝置需求疲弱影響，位元出貨量較
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趙偉國(guó):紫光肯定要建存儲(chǔ)器廠

　　去年10月入股威騰電子(Western Digital，WD)的紫光集團(tuán)，為完成記憶體方面的布局，今年將啟動(dòng)建設(shè)工廠。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)日前接受財(cái)新周刊專訪時(shí)表示，紫光將會(huì)自建工廠，但并未透露是否計(jì)劃收購(gòu)存儲(chǔ)器大廠。　　報(bào)導(dǎo)指出，從目前紫光集團(tuán)記憶體的布局來看，除了要獲得威騰的專利授權(quán)，還需要收購(gòu)一家制造工廠或者自建工廠。對(duì)此，趙偉國(guó)表示，“不管有沒有收購(gòu)，我肯定要自己建設(shè)存儲(chǔ)(儲(chǔ)存裝置)工廠。” 　　趙偉國(guó)強(qiáng)調(diào)，“在中國(guó)建立中國(guó)資本控制的工廠，這不僅僅是企
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存儲(chǔ)器架構(gòu)選項(xiàng)漸多　定制化將成未來趨勢(shì)

隨著存儲(chǔ)器系統(tǒng)從一個(gè)固定的子系統(tǒng)轉(zhuǎn)變成整體系統(tǒng)中可調(diào)整的變相，存儲(chǔ)器控制器的重要性也越來越被重視，新的存儲(chǔ)器架構(gòu)即將出現(xiàn)。
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英特爾再戰(zhàn)存儲(chǔ)器

如今英特爾重返存儲(chǔ)器市場(chǎng)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已今非昔比，但英特爾仍具備強(qiáng)大的制造規(guī)模及技術(shù)實(shí)力，甚至有能力主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng)，英特爾投入戰(zhàn)局勢(shì)必震撼全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。
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Microchip新型高性價(jià)比、低功耗PIC MCU可延長(zhǎng)電池壽命，其1 MB雙分區(qū)閃存還可免去外部存儲(chǔ)器

　　領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)日前宣布擴(kuò)展其低功耗PIC?單片機(jī)(MCU)產(chǎn)品組合。全新PIC24F “GB6”系列包括具備糾錯(cuò)碼(ECC)的高達(dá)1 MB閃存和32 KB RAM，是Microchip旗下首批提供如此大存儲(chǔ)容量的16位MCU器件。這些新器件還擁有具備實(shí)時(shí)更新功能的雙分區(qū)閃存，可以裝載兩個(gè)獨(dú)立的軟件應(yīng)用程序，使得一個(gè)分區(qū)在執(zhí)
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PLC故障分析與故障排除方法

　　單純依靠某種方法是不能實(shí)現(xiàn)故障檢測(cè)的，需要多種方法結(jié)合，配合電路、機(jī)械等部分綜合分析。　　PLC故障特點(diǎn) 　　PLC控制系統(tǒng)故障是指其失去了規(guī)定功能，一般指整個(gè)生產(chǎn)控制系統(tǒng)失效的總和，它又可分為PLC故障和現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)控制設(shè)備故障兩部分。PLC系統(tǒng)包括中央處理器、主機(jī)箱、擴(kuò)展機(jī)箱、I/O模塊及相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)和外部設(shè)備。現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)控制設(shè)備包括端口和現(xiàn)場(chǎng)控制檢測(cè)設(shè)備，如繼電器、接觸器、閥門、電動(dòng)機(jī)等。　　大多數(shù)有關(guān)PLC的故障是外圍接口信號(hào)故障，所以在維修時(shí)，只要PLC有些部分控制的動(dòng)作正常，都不應(yīng)該懷疑
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用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限

　　一般地,EEPROM存儲(chǔ)器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限時(shí),該單元就無法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中，可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時(shí)，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限?！　∥覀冇幸粋€(gè)單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做：　　1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元?！　?、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中?！　?、每次要對(duì)E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時(shí)，先讀取00H中的數(shù)據(jù)，并
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三星SK海力士存儲(chǔ)器被中國(guó)美國(guó)追趕韓政府預(yù)算零成長(zhǎng)

　　韓國(guó)政府2016年未編列半導(dǎo)體預(yù)算，使韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國(guó)引以為傲的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，大陸和美國(guó)迅速追擊，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者危機(jī)感提升，而列為未來成長(zhǎng)動(dòng)能的IC設(shè)計(jì)，也未受到韓國(guó)政府重視。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè)，以及電子情報(bào)裝置新事業(yè)等，均未編列預(yù)算。自2016年起，將不會(huì)有由韓國(guó)政府主導(dǎo)的新半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)。　　目前正在進(jìn)行的系統(tǒng)芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機(jī)。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出，產(chǎn)業(yè)委員會(huì)對(duì)于預(yù)算方面提出質(zhì)疑，并主張?jiān)鲑Y30
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]