三星新快閃存儲器技術 提升手機儲存容量

　　三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時，藉由新技術投入將可提升約40%產能，并且將能以此提供價格更具實惠的快閃記憶體模組，預計最快在今年下半年間至明年初即可應用在實際市售產品。

　　根據三星公布消息，確定將在今年下半年內投入第三代V-NAND技術，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進而提升手機儲存元件與PC用SSD相同體積的資料存放容量，其中后者將能加速全面邁入TB等級規(guī)格，同時于預期手機基本儲存容量也能進一步提升。

　　以新技術打造的48層、3-bit MLC 256Gb V-NAND快閃記憶體，將可在儲存相同資料量時節(jié)省約30%耗電，同時相比先前32層、3-bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體規(guī)格，約可提升40%產能表現，預期將可進一步降低快閃記憶體市場售價，并且讓SSD產品價格更趨于親民化，預期也將可讓入門款智慧手機儲存容量擴大。