半導(dǎo)體文章最新資訊

分析師質(zhì)疑聯(lián)電在廈門建晶圓廠的合理性

　　多家臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)正與廈門市政府合作，將投資3億美元在當(dāng)?shù)匦陆ㄒ蛔A廠。iSuppli公司半導(dǎo)體首席分析師顧文軍撰文表示質(zhì)疑，認(rèn)為聯(lián)電在廈門建廠缺乏合理性。文章全文如下：　　據(jù)臺(tái)灣的媒體(工商時(shí)報(bào)和經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)等)報(bào)道，聯(lián)電將在廈門新建8寸或者12寸廠。其實(shí)很久之前我也聽說(shuō)這個(gè)消息了，因?yàn)榻陙?lái)聯(lián)電在資本支出上遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,資金缺口很大，所以一直尋找在大陸合作，希望“不差錢”的大陸金主能夠“慷慨解囊”“雪中送炭&rd
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違反物理定律的石墨烯沖擊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　石墨烯有很多匪夷所思的特性，至今連科學(xué)家也解釋不了。例如，它有生物兼容性，植入生物體后不會(huì)有排異反應(yīng)，這樣給很多現(xiàn)代診療帶來(lái)福音，還有，它在抗癌上也很神奇，在石墨烯上癌細(xì)胞難以成活但是正常細(xì)胞可以存活。　　一、撕膠帶大法發(fā)現(xiàn)石墨烯　　1930年以來(lái)的物理理論都認(rèn)為二維結(jié)構(gòu)會(huì)在原子力的作用下塌縮成一個(gè)點(diǎn)，因此二維材料只存在于理論上，例如著名俄國(guó)物理學(xué)家朗道(LevLandau)等人就已證明，二維材料的熱運(yùn)動(dòng)漲落會(huì)破壞自身的結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)上制備石墨烯的種種失敗嘗試似乎也在佐證著這一結(jié)論，比如石墨層越薄
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臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策

　　臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時(shí)代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時(shí)是晶圓代工廠臺(tái)積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請(qǐng)。　　技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是指到大陸設(shè)立8寸晶圓廠的半導(dǎo)體廠必須已在臺(tái)灣設(shè)有12寸晶圓廠，且12寸晶圓廠達(dá)量產(chǎn)規(guī)模后，才可提出申請(qǐng)，且不能是先進(jìn)制程。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電松江8寸廠和茂德渝德8寸廠成功西進(jìn)大陸，力晶后來(lái)則因?yàn)镈RAM產(chǎn)業(yè)景氣走下坡，財(cái)報(bào)連年虧損而沒有赴大陸。　　2009年在總統(tǒng)大選過(guò)后，開始討論松綁12寸晶圓
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半導(dǎo)體20強(qiáng)中國(guó)工程師薪資調(diào)查排行榜

　公司排名工程師軟件工程師美國(guó)英特爾￥12,535 ￥15,609 韓國(guó)三星電子￥8,350 ￥14,9
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半導(dǎo)體維持成長(zhǎng) 幅度恐趨緩

　　重量級(jí)半導(dǎo)體廠法人說(shuō)明會(huì)本周將陸續(xù)登場(chǎng)。第3季為傳統(tǒng)旺季，廠商業(yè)績(jī)多可較第2季再成長(zhǎng)，但因基期較高，成長(zhǎng)幅度恐將小于傳統(tǒng)季節(jié)性水準(zhǔn)。　　晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)即將于18日登場(chǎng)，為半導(dǎo)體廠法說(shuō)會(huì)旺季揭開序幕。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠南科與華亞科將緊接著于23日召開法說(shuō)會(huì)。　　晶圓代工廠聯(lián)電與面板驅(qū)動(dòng)IC廠聯(lián)詠8月7日舉行法說(shuō)會(huì);IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠創(chuàng)意將于8月9日法說(shuō)。　　盡管第2季為半導(dǎo)體業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過(guò)，中國(guó)大陸智慧手機(jī)市場(chǎng)高成長(zhǎng)，平板電腦百家爭(zhēng)鳴，帶動(dòng)半導(dǎo)體廠
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快捷半導(dǎo)體八英寸晶圓生產(chǎn)線開始營(yíng)運(yùn)

　　全球功率半導(dǎo)體供應(yīng)商快捷半導(dǎo)體宣布，位于韓國(guó)富川的八英寸晶圓生產(chǎn)線正式啟動(dòng)。　　快捷半導(dǎo)體指出，新廠象征公司專注于創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案，以及在提高產(chǎn)品品質(zhì)及回應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)方面進(jìn)行投資。　　快捷半導(dǎo)體認(rèn)為，新增韓國(guó)晶圓廠可增強(qiáng)快捷半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的靈活性及成本競(jìng)爭(zhēng)力，從而更好地服務(wù)于亞洲快速發(fā)展的行動(dòng)電話市場(chǎng)，以及充分利用該地區(qū)在諸如LED背光、液晶電視及消費(fèi)類電器等節(jié)能電子產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)力。
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四年艱苦攻關(guān) 中國(guó)22納米半導(dǎo)體工藝獲重大突破

　　說(shuō)起先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，Intel、IBM、臺(tái)積電、三星電子這些耳熟能詳?shù)拿挚隙〞?huì)立刻出現(xiàn)在大家的腦海中，而因?yàn)楦鞣矫娴南拗疲瑖?guó)內(nèi)在這方面的差距還非常非常大，只有中芯國(guó)際能拿得出手，但也總比國(guó)外落后幾個(gè)時(shí)代。　　不過(guò)據(jù)《中國(guó)科學(xué)報(bào)》最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過(guò)4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能良好。
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SEMI：明年半導(dǎo)體芯片設(shè)備支出年增21%

　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新預(yù)估，明年全球半導(dǎo)體晶片設(shè)備支出將達(dá)430.98億美元，較2013年大幅成長(zhǎng)21%。其中，臺(tái)灣比重仍將達(dá)四成，顯示明年臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)仍將持續(xù)暢旺。　　SEMI表示，臺(tái)灣明年仍會(huì)是全球晶片設(shè)備支出最大的地區(qū)。若以年成長(zhǎng)比例來(lái)看，中國(guó)增幅最大，由今年的28.1億美元，大幅增加到51.1億美元，年成長(zhǎng)率達(dá)81.9%。　　盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)看好，但臺(tái)股今早開盤，臺(tái)積電(2330)股價(jià)持續(xù)探底，開盤后跌了1元為104元;聯(lián)電(2303)維持在平盤附近。
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詳解中國(guó)電子元器件的不同發(fā)展階段

　　電子元器件的發(fā)展及特點(diǎn)根據(jù)檢索，元器件的發(fā)展普遍的提法是：電子元器件發(fā)展階段已經(jīng)歷了以電子管為核心的經(jīng)典電子元器件時(shí)代、以半導(dǎo)體分立器件為核心的小型化電子元器件時(shí)代，現(xiàn)時(shí)已進(jìn)入以高頻和高速處理集成電路為核心的微電子元器件時(shí)代，如表1所示。　　微電子元器件包括集成電路、混合集成電路、片式和扁平式元件和機(jī)電組件、片式半導(dǎo)體分立器件等。微電子指采用微細(xì)工藝的集成電路，隨集成電路集成度和復(fù)雜度的大幅度提高、線寬越來(lái)越細(xì)和采用銅導(dǎo)線，其基頻和處理速度也大幅度提高，在電子線路中其周邊的其他元器件必然要有相
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淺析連接器在不同環(huán)境下的性能要求

　　同一個(gè)物體在不同的環(huán)境中會(huì)有不同的技術(shù)性能，因此，評(píng)價(jià)一個(gè)物體的好壞，看它能承受多大的環(huán)境條件也是一項(xiàng)重要指標(biāo)。對(duì)連接器這一電子工程領(lǐng)域再熟悉不過(guò)的部件來(lái)說(shuō)，它被應(yīng)用到了我們生產(chǎn)生活的各個(gè)角落，要滿足在各種復(fù)雜惡劣環(huán)境應(yīng)用的需求，它的環(huán)境性能顯得尤為重要。　　我們知道連接器的環(huán)境對(duì)性能影響是很大的，主要影響因素有溫度、濕度、酸堿、振動(dòng)和沖擊性以及液體浸漬等，這些因素也就影響著連接器的工作以及壽命，下面簡(jiǎn)要介紹一下這些因素對(duì)連接器效能的影響。　　溫度能改變物體的物理狀態(tài)，它是影響連接器效能的一個(gè)
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半導(dǎo)體業(yè)吁：放寬外籍、陸籍高端人才來(lái)臺(tái)

　　經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)張家祝昨(5)日與半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)行早餐會(huì)議，產(chǎn)業(yè)界提出四大建言，包括放寬引進(jìn)外、陸籍高階人力來(lái)臺(tái)、重新檢視員工分紅費(fèi)用化、正視產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及政府應(yīng)提前布局5G。業(yè)者極力呼吁，應(yīng)該引進(jìn)陸籍高階人才來(lái)臺(tái)，以彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)人才缺口。　　張家祝昨日趕赴新竹，與半導(dǎo)體廠商包括臺(tái)積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、日月光、矽品、瑞昱與鈺創(chuàng)等主管共進(jìn)早餐，向業(yè)者請(qǐng)益。　　業(yè)者投訴，我國(guó)在2008年實(shí)施員工分紅費(fèi)用化，造成人才流失，而此時(shí)，大陸與韓國(guó)也在挖角我人才，因此第一項(xiàng)建言就是政府應(yīng)松綁陸籍、外籍高階人力來(lái)臺(tái)，而陸籍人力
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半導(dǎo)體大軍競(jìng)逐3D IC

　　隨著智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)的崛起，小、快、輕、省電蔚為行動(dòng)裝置趨勢(shì)，推升對(duì)三維芯片(3DIC)的需求大增，開啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一輪新競(jìng)賽。　　晶圓代工廠臺(tái)積電(2330)已為可程序邏輯芯片大廠智霖(Xlinx)量產(chǎn)FPGA芯片，聯(lián)電及封測(cè)廠日月光、矽品、力成也加入量陣容;設(shè)備廠弘塑、均華及力積的封裝接合設(shè)備，也導(dǎo)入客戶驗(yàn)證中。　　日本索尼(SONY)最新的旗鑒款防水手機(jī)XperiaZ，就已采用3DIC制程的影像傳感器芯片，成為影像感測(cè)芯片的新標(biāo)竿。3DIC制程所締造的三高效益：高效能、高密度及高可移
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全球觀察：千呼萬(wàn)喚不出來(lái)的印度晶圓廠

　　印度的晶圓廠計(jì)劃仍然在一片混沌中，而且再次延宕;負(fù)責(zé)規(guī)劃的印度官方「權(quán)責(zé)委員會(huì)(Empowered Committee)」本來(lái)預(yù)定在6月30日公布最后結(jié)論，但是直到現(xiàn)在仍是寂靜無(wú)聲　　市場(chǎng)傳言，以色列業(yè)者 Tower Semiconductor已經(jīng)在長(zhǎng)達(dá)兩年的選拔中脫穎而出，贏得經(jīng)營(yíng)印度晶圓廠的一紙長(zhǎng)期合約;但該消息尚未得到證實(shí)。若沒有印度政府的批準(zhǔn)，完全不會(huì)有任何進(jìn)展──先前印度晶圓廠計(jì)劃也曾經(jīng)差點(diǎn)就拍案，但又破局。　　而退后一步想想，印度的電力、用水供應(yīng)都有問(wèn)題。在當(dāng)?shù)?，幾乎所有中產(chǎn)階級(jí)家
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SIA:5月全球芯片市場(chǎng)銷售表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期

　　美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)引用世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的數(shù)字，公布2013年5月全球晶片銷售額三個(gè)月平均值為247.0億美元，較前一個(gè)月增加4.6%;SIA表示，該月成長(zhǎng)幅度是自2010年3月以來(lái)最高紀(jì)錄。　　5月全球晶片銷售額表現(xiàn)超越分析師預(yù)期;市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CarnegieGroup分析師BruceDiesen先前預(yù)測(cè)，5月晶片銷售額三個(gè)月平均值將會(huì)在239億美元，同時(shí)也將較上月成長(zhǎng)。而5月份半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)力道，來(lái)自北美與亞太區(qū)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求。　　與去年同月相較，5月的全球晶片
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半導(dǎo)體業(yè)吁：放寬外籍、陸籍高端人才來(lái)臺(tái)

　　經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)張家祝5日與半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)行早餐會(huì)議，產(chǎn)業(yè)界提出四大建言，包括放寬引進(jìn)外、陸籍高階人力來(lái)臺(tái)、重新檢視員工分紅費(fèi)用化、正視產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及政府應(yīng)提前布局5G。業(yè)者極力呼吁，應(yīng)該引進(jìn)陸籍高階人才來(lái)臺(tái)，以彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)人才缺口。　　張家祝昨日趕赴新竹，與半導(dǎo)體廠商包括臺(tái)積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、日月光、矽品、瑞昱與鈺創(chuàng)等主管共進(jìn)早餐，向業(yè)者請(qǐng)益。　　業(yè)者投訴，我國(guó)在2008年實(shí)施員工分紅費(fèi)用化，造成人才流失，而此時(shí)，大陸與韓國(guó)也在挖角我人才，因此第一項(xiàng)建言就是政府應(yīng)松綁陸籍、外籍高階人力來(lái)臺(tái)，而陸籍人力與臺(tái)灣
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]