半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體封裝業(yè)存在反彈可能 股民需慎重入市
- 據(jù)經(jīng)濟(jì)之聲《交易實(shí)況》報(bào)道,中國(guó)半導(dǎo)體封裝行業(yè)有反彈跡象。 據(jù)國(guó)金證券分析師程兵分析,半導(dǎo)體行業(yè)中有一個(gè)定律叫摩爾定律,集成電路可容納晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月就能增加一倍,性能也會(huì)隨之提高一倍,半導(dǎo)體發(fā)展速度是驚人的,因此半導(dǎo)體行業(yè)存在很強(qiáng)的技術(shù)壁壘。但是技術(shù)的差距,按照產(chǎn)業(yè)生命周期理論,高科技產(chǎn)業(yè)部門會(huì)從發(fā)達(dá)國(guó)家向發(fā)展中國(guó)家轉(zhuǎn)移,這個(gè)差距會(huì)慢慢的縮小。對(duì)于中國(guó)的半導(dǎo)體封裝市場(chǎng),高端分測(cè)這塊市場(chǎng)的突破口已經(jīng)產(chǎn)生,未來繼續(xù)的發(fā)展壯大也成為了可能。 這個(gè)行業(yè)業(yè)績(jī)拐點(diǎn)可能已經(jīng)到來,長(zhǎng)電科技投了將近
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第一季全球半導(dǎo)體廠商排行榜 日本業(yè)者落漆
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights公布的2013年第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜顯示,有數(shù)家日本半導(dǎo)體廠商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五,瑞薩(Renesas)因銷售額下滑20%而跌出前十名,索尼(Sony)退步三名成為第十六、當(dāng)季銷售額較去年同期下滑31%,富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷售額下滑26%。 不過ICInsights指出,日本半導(dǎo)體廠商的銷售額數(shù)字都是由日?qǐng)A換算成美元;在2012年第一季時(shí),美元兌日?qǐng)A匯率為1美元7
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臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)第2季產(chǎn)值有望止跌回升
- 臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)第2季產(chǎn)值有望止跌回升,將達(dá)4554億元,將季增12.2%。 根據(jù)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”統(tǒng)計(jì),臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)第1季產(chǎn)值為4059億元(新臺(tái)幣,下同),季減2.2%;其中,IC(集成電路)封裝業(yè)產(chǎn)值為635億元,季減9.3%,是表現(xiàn)最差的次產(chǎn)業(yè)。 IC封裝業(yè)第2季產(chǎn)值可望達(dá)735億元,季增15.7%,將是增長(zhǎng)幅度最大的次產(chǎn)業(yè);IC測(cè)試業(yè)第2季產(chǎn)值可望達(dá)330億元,季增15%,增長(zhǎng)幅度居次;IC制造業(yè)第2季產(chǎn)值可望達(dá)2366億元,季增11.3%;IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值也可望達(dá)1
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第一季全球半導(dǎo)體廠商排行榜 日本業(yè)者落漆

- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布的2013年第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜顯示,有數(shù)家日本半導(dǎo)體廠商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五,瑞薩(Renesas)因銷售額下滑20%而跌出前十名,索尼(Sony)退步三名成為第十六、當(dāng)季銷售額較去年同期下滑31%,富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷售額下滑26%。 不過IC Insights指出,日本半導(dǎo)體廠商的銷售額數(shù)字都是由日?qǐng)A換算成美元;在2012年第一季時(shí),美元兌日?qǐng)A匯率為1美
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觀察全球前10大半導(dǎo)體廠商資本支出情況變化
- 根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計(jì)結(jié)果,去除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者,2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)橛⑻貭?Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺(tái)積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法半導(dǎo)體。觀察2012~2013年主要半導(dǎo)體大廠資本支出變化,英特爾與臺(tái)積電均將較2012年增加,三星電子、東芝可望持平,SK海力士將較2012年減少,至于采輕晶圓廠策略的瑞薩電
- 關(guān)鍵字: SK海力士 半導(dǎo)體
京東方董事長(zhǎng):材料技術(shù)進(jìn)步促進(jìn)新型半導(dǎo)體發(fā)展
- 洞察力與實(shí)現(xiàn)力,是京東方核心競(jìng)爭(zhēng)力的兩個(gè)關(guān)鍵支撐,缺一不可。展望半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)的未來走向,京東方董事長(zhǎng)王東升認(rèn)為:材料、技術(shù)進(jìn)步將大大促進(jìn)新型半導(dǎo)體顯示行業(yè)的發(fā)展,基板材料將朝著更輕薄、更耐高溫、更環(huán)保、柔性化等方向發(fā)展。應(yīng)當(dāng)最大限度地發(fā)揮半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域不同技術(shù)、不同材料之間的相關(guān)性和共享性,實(shí)現(xiàn)投資價(jià)值最大化。 理想與出身 在日前的集體采訪中,王東升說:“我們這些人就這樣:一件事、一輩子、一代人,非要做到世界第一、第二不可。為什么?因?yàn)槲覀兊某錾?。京東方的前身是軍工企業(yè),那是
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全球20大半導(dǎo)體廠 臺(tái)積電首季成長(zhǎng)奪亞軍

- 市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights昨統(tǒng)計(jì),臺(tái)積電(2330)今年第1季合并營(yíng)收達(dá)44.6億美元(約1332.6億元臺(tái)幣),年增26%,成長(zhǎng)幅度居全球前20大半導(dǎo)體廠中成長(zhǎng)第2名,僅次高通(Qualcomm)的年增28%。 ? 全球半導(dǎo)體廠首季營(yíng)收排名 聯(lián)電(2303)今年首季由前20大廠晉升1名至19名,首季營(yíng)收年增約12%,表現(xiàn)也算穩(wěn)健。 臺(tái)積電昨日召開董事會(huì)核準(zhǔn)進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)及發(fā)行無擔(dān)保公司債等議案,臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅表示,昨董事會(huì)核準(zhǔn)資本預(yù)算1460.77億元,
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全球半導(dǎo)體銷售3月增0.9% 歐洲現(xiàn)復(fù)蘇跡象
- 美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布數(shù)據(jù)稱,3月全球半導(dǎo)體銷售額較去年同月增長(zhǎng)0.9%,達(dá)到234億8000萬美元。亞太地區(qū)繼上月之后依然保持強(qiáng)勁,而經(jīng)濟(jì)前景仍不明朗的歐洲也出現(xiàn)復(fù)蘇征兆。世界整體連續(xù)5個(gè)月出現(xiàn)同比增長(zhǎng)。 此外,環(huán)比增長(zhǎng)1.1%。按地區(qū)來看,占整體一半以上的亞太地區(qū)較去年同月增長(zhǎng)6.9%,而歐洲也增長(zhǎng)0.7%。自2011年7月以來,歐洲時(shí)隔20個(gè)月首次實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)。另一方面,美洲下降1.5%、日本下降18%。日本的下降是因?yàn)槿赵獙?duì)美元貶值產(chǎn)生了影響。 按產(chǎn)品類別來看,存儲(chǔ)裝置銷
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)
Aptina與LFoundry攜手規(guī)劃CMOS成像未來
- Aptina宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關(guān)系,LFoundry在收購Micron的半導(dǎo)體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設(shè)備代工經(jīng)驗(yàn)與客戶至上的堅(jiān)定理念,以此來鞏固阿韋扎諾工廠與Aptina之間長(zhǎng)久的技術(shù)合作關(guān)系。 阿韋扎諾工廠生產(chǎn)的Aptina傳感器具有業(yè)界領(lǐng)先的性能,使制造商和終端用戶能為市場(chǎng)的諸多成像應(yīng)用帶來差異化產(chǎn)品,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、汽車、平板電腦、電視機(jī)、游戲平臺(tái)、運(yùn)動(dòng)相機(jī)、醫(yī)療設(shè)備和數(shù)碼相機(jī)。
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IR開始商業(yè)裝運(yùn)氮化鎵器件
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司所生產(chǎn)。 IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示:“IR開始商業(yè)裝運(yùn)采用其尖端的氮化鎵技術(shù)平臺(tái)及IP產(chǎn)品組合的器件,成功保持了我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體器件市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位,同時(shí)預(yù)示著電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來臨,
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誰為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來新一輪的動(dòng)力?
- 美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)宣布,2013年3月,全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到234.8億美元,較上個(gè)月的232.3億美元增長(zhǎng)了1.1%,較2012年3月的232.8億美元也增長(zhǎng)了0.9%。2013年第一季度的全球銷售總額較上年同期則增長(zhǎng)了0.9%。所有月銷售數(shù)位均取3個(gè)月的移動(dòng)平均數(shù)。 美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)總裁兼行政總裁布萊恩-圖希(BrianToohey)表示:“與上年同期相比,在整個(gè)2013年第一季度,全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了溫和但是連續(xù)的增長(zhǎng)。絕大多數(shù)的終端產(chǎn)品種類的銷售額都有所增長(zhǎng),存儲(chǔ)
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半導(dǎo)體銷售看增 東芝今年度營(yíng)益估大增33%
- 全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商?hào)|芝(ToshibaCorp)8日于日股收盤后公布上年度(2012年度;2012年4月-2013年3月)財(cái)報(bào):數(shù)位產(chǎn)品部門及電子元件部門銷售下滑,拖累合并營(yíng)收年減4.9%至5兆8,002億日?qǐng)A;合并營(yíng)益受出售中小尺寸面板事業(yè)影響而年減4.1%至1,943億日?qǐng)A;合并純益因匯兌損失改善加上資產(chǎn)輕量化效果顯現(xiàn)而成長(zhǎng)10.7%至775億日?qǐng)A。據(jù)ThomsonReuters報(bào)導(dǎo),分析師平均預(yù)估東芝上年度營(yíng)益料將為2,502億日?qǐng)A。 東芝表示,記
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2013年三星與SK海力士半導(dǎo)體資本支出轉(zhuǎn)趨保守
- 扣除2家IC設(shè)計(jì)業(yè)者,2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序?yàn)橛⑻貭?Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺(tái)積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)。觀察2012~2013年主要半導(dǎo)體大廠資本支出變化,英特爾與臺(tái)積電均將較2012年增加,三星電子、東芝可望持平,SK海力士將較2012年減少,至于采輕晶圓廠策略的瑞
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半導(dǎo)體銷售看增 東芝今年度營(yíng)益估大增33%
- 全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商?hào)|芝(ToshibaCorp)8日于日股收盤后公布上年度(2012年度;2012年4月-2013年3月)財(cái)報(bào):數(shù)位產(chǎn)品部門及電子元件部門銷售下滑,拖累合并營(yíng)收年減4.9%至5兆8,002億日?qǐng)A;合并營(yíng)益受出售中小尺寸面板事業(yè)影響而年減4.1%至1,943億日?qǐng)A;合并純益因匯兌損失改善加上資產(chǎn)輕量化效果顯現(xiàn)而成長(zhǎng)10.7%至775億日?qǐng)A。據(jù)ThomsonReuters報(bào)導(dǎo),分析師平均預(yù)估東芝上年度營(yíng)益料將為2,502億日?qǐng)A。 東芝表示,記
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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