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商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖......
本文將介紹低壓差穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)知識及其相對于傳統(tǒng)線性和開關(guān)模式電源穩(wěn)壓器的關(guān)鍵特性。然后，介紹來自 Diodes Incorporated 的真正電阻器件及其用法?，F(xiàn)代電子設(shè)備正變得越來越小，越來越便攜......
作者：Leon Li, Jiming Li, Hao Zhang頂部散熱TSCTop-side cooling頂部散熱封裝保留與插件封裝等效散熱潛能的同時(shí)，還帶來了額外的好處，且不同頂部散熱器件保持了同樣的高度。在電動(dòng)汽......
/ 摘要/本文介紹了工業(yè)應(yīng)用輔助電源解決方案，包括兩級式輔助電源架構(gòu)和各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。第一級輔助電源通常使用反激拓?fù)?，英飛凌的1700V CoolSiC? SiC MOSFET可以幫助客戶簡化設(shè)計(jì)。第二級輔助電源可以使用L......
目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代......
電源用于各種困難和苛刻的環(huán)境。然而，現(xiàn)代電源的“堅(jiān)固性”是主觀的。例如，足夠堅(jiān)固且能夠承受高海拔環(huán)境的電源可能不具備承受海洋環(huán)境所需的條件。那么，在沒有標(biāo)準(zhǔn)定義的情況下，如何獲得所需的耐用型電源呢？無論您的規(guī)格是半頁文檔......
氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)......
電源市場的驅(qū)動(dòng)力已從家用電器和工業(yè)機(jī)器人轉(zhuǎn)變?yōu)殡妱?dòng)汽車 ，其中最重要的趨勢是通過降低功率損耗、提高運(yùn)行溫度和降低熱阻來提高功率模塊的功率密度。 未來，可以預(yù)期基于逆變器的資源和電源集成電路將成為綠色轉(zhuǎn)型和數(shù)字轉(zhuǎn)型的新驅(qū)動(dòng)......
在萬物互聯(lián)與智能化浪潮的推動(dòng)下，現(xiàn)代電子設(shè)備對電源管理提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。從智能攝像頭到固態(tài)硬盤，從工業(yè)控制器到AI處理器，設(shè)備不僅需要多路精準(zhǔn)的電壓輸出，還要在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效、可靠的能源分配。傳統(tǒng)分立式電源方......
技術(shù)背景：功率半導(dǎo)體進(jìn)化論在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率MOSFET如同"電子開關(guān)"般控制著能量流動(dòng)的命脈。這類器件的核心使命是在導(dǎo)通時(shí)實(shí)現(xiàn)最低損耗，在關(guān)斷時(shí)承受最高電壓，同時(shí)要在兩種狀態(tài)間實(shí)現(xiàn)光速切換。......
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