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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 肖特基二極管

肖特基二極管4大特性，你都知道嗎？

  • 前言肖特基二極管是重要的電子元器件，因為其承載著保護電路的重要作用，所以顯得格外的不可或缺，我們都知道在選擇肖特基二極管時，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計中知道這些關(guān)系對選擇合適的肖特基二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。知道其特性，對于我們的使用也更加得心應(yīng)手，下面這篇文章將帶你一起去探索神秘的肖特基二極管特性。正向?qū)▔航蹬c導通電流的關(guān)系在肖特基二極管兩端加正向偏置電壓時，其內(nèi)部電場區(qū)域變窄，可以
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

  • 在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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中國科大在氧化鎵半導體器件領(lǐng)域取得重要進展

  • IT之家 12 月 12 日消息，據(jù)中國科大發(fā)布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學術(shù)會議，是報告半導體和電子器件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”。中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
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羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書，助力汽車、工業(yè)和消費電子設(shè)備實現(xiàn)小型化和更低損耗！

  • 1. 前言近年來，隨著電動汽車的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費電子設(shè)備領(lǐng)域的普及，應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導體數(shù)量也與日俱增。其中，中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護電路，而被廣泛應(yīng)用在從手機到電動汽車動力總成系統(tǒng)等各種電路和領(lǐng)域中，半導體廠商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績（圖1）。                                 &
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Littelfuse將于2019年APEC大會上推出650V碳化硅肖特基二極管，該二極管提供新的封裝尺寸以及6A至40A的額定電流

  • 　　Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管，進一步擴大了其二代650V、符合AEC-Q101標準的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器件，兩個系列均為電力電子系統(tǒng)設(shè)計人員提供多種優(yōu)勢，包括可忽略不計的反向恢復電流、高浪涌保護能力以及175°C最高運行結(jié)溫，因此是需要增強效率、可靠性與熱管理的應(yīng)用的理想選擇。 這些產(chǎn)品將在加州安海姆舉辦的應(yīng)用電力電子會議(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位號：253?！　SIC2SD065DxxA/LSIC2SD065Exx
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Littelfuse新推經(jīng)過擴展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列，可降低開關(guān)損耗，提高效率和耐用性

  • 　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布新推出了四個隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布?！　〉?代1200V碳化硅肖特基二極管　　LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封裝。 此外，LSIC2SD120C08系列的額定電流為8A，采用TO-252-2L封裝
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英飛凌推出可提高開關(guān)速度的第六代650 V CoolSiC肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC?肖特基二極管，是CoolSiC二極管產(chǎn)品系列的最新成員。它立足于第五代產(chǎn)品與眾不同的特性，能確保可靠性、質(zhì)量并提高效率。CoolSiC G6二極管是對600 V和650 V CoolMOS? 7產(chǎn)品系列的完美補充。它們面向當前和未來的服務(wù)器和PC電源、電信設(shè)備電源和光伏逆變器應(yīng)用?！　〉诹?50 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

  • 功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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Littelfuse 新推新平臺開發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管，具有更低的開關(guān)損耗與更高的效率

  • 　　-Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運動(PCIM)展的開幕。 這種碳化硅二極管是通過Littelfuse與Monolith Semiconductor合作技術(shù)平臺開發(fā)的產(chǎn)品系列中的首批產(chǎn)品。 其他基于該技術(shù)平臺的碳化硅產(chǎn)品(包括1200V碳化硅金氧半場效晶體管)正在籌備中，預(yù)計于不遠的將來推出?！　EN2系列碳化硅肖特基二極管
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肖特基二極管的目前趨勢

  • 　　引言　　雖然肖特基二極管已經(jīng)上市有幾十年了，新的發(fā)展和產(chǎn)品卻不斷增強了它的特性并擴展了應(yīng)用的可能性。除了太陽能電池板和汽車，它們現(xiàn)在也被用于筆記本電腦、智能手機和平板電腦的電池充電器?！　≡缭?938年，德國物理學家Walter?Schottky開發(fā)了金屬-半導體接觸的模型。與半導體-半導體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導體的界面上形成了一個耗盡區(qū)而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值的電功率在金屬和半導體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導體二極管(例如：表現(xiàn)出歐
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根據(jù)雪崩性能選擇肖特基二極管

  • 汽車電子模塊要求采取反向電池保護措施，以避免不良電池操作可能導致的損壞風險。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件，因為它們具有很低的前向
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深度挖掘肖特基二極管應(yīng)用要點

  • 　　肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中，每一個從事電子行業(yè)的人都有聽過肖特基，但我們是否真正了解,肖特基內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進肖特基的世界尋找我們想要的答案。 　　二極管有多種類型：按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結(jié)構(gòu)可分為面接觸二極管和點接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復二極管等;按照結(jié)類型又可分為半導體結(jié)型二極管和金屬半導體結(jié)型二極管
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容

  • 　　前言 　　全球知名半導體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實現(xiàn)了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體(SiC半導體)的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領(lǐng)域，實現(xiàn)了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。 　　已逐步滲透到生活中的SiC功率元器件 　　SiC功率元器件是以碳和硅組成
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英飛凌推出第五代1200V thinQ!?碳化硅肖特基二極管可在單相和三相應(yīng)用中實現(xiàn)更高效率和可靠性

  • 　　2014年6月16日——英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進一步擴展了碳化硅產(chǎn)品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內(nèi)提供超低正向電壓，其浪涌電流承受能力提高了一倍以上，并且具備卓越的散熱性能。得益于這些特性，該產(chǎn)品可以在太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、三相SMPS(開關(guān)電源)和電機驅(qū)動等應(yīng)用中大大提高效率，并且可靠運行。 　　“第五代”碳化硅二極管采用了新的緊湊式芯片設(shè)計，將PN結(jié)設(shè)計
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一種用于汽車啟停系統(tǒng)的電源設(shè)計方案

  • 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟?！惫δ?，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動到加速踏板——或者在使用手動檔情況下釋放離合器踏板重新接入動力時又自動重新啟動發(fā)動機。在城市行駛和停停走走的高峰時段這種功能非常有助于減少燃油消耗。 然而，這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，因為在發(fā)動機重啟時電池電壓可能降至6.0V或更低。另外，典型的電子模塊都包含有一個反極性的二極管，
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肖特基二極管介紹

目錄 簡介 原理 優(yōu)點 結(jié)構(gòu) 特點 應(yīng)用 其它 簡介 　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導 [ 查看詳細 ]

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