低噪聲功率 文章 進(jìn)入低噪聲功率技術(shù)社區(qū)

GaN HEMT為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)低噪聲功率

• 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過(guò)，HEMT 與其他類(lèi)型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)結(jié)或 MOSFET。這些獨(dú)特的器件在微波射頻 （RF） 應(yīng)用中表現(xiàn)出色。來(lái)自 n 型區(qū)域的電子穿過(guò)晶格，許多電子保持在異質(zhì)結(jié)附近（異質(zhì)結(jié)是指通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能量 （Esw） 是在硬開(kāi)關(guān)條
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