DRAM芯片發(fā)明人登納德將獲IEEE榮譽勛章

　　據(jù)國外媒體報道，美國科技巨頭IBM的研究人員、DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德(Robert Dennard )將于下周四獲得美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)頒發(fā)的榮譽勛章。

　　DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德

　　與“摩爾定律”(Moore's Law)提出者、英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)相比，今年76歲的登納德并不太為全球公眾所熟悉。但在全球技術(shù)研發(fā)領域，摩爾和登納德兩人都是備受尊敬的杰出科學家。登納德已在IBM工作了51年。

　　所謂摩爾定律，是指摩爾1965年所提出有關半導體技術(shù)發(fā)展的預言，即認為每隔18~24個月，芯片上的晶體管數(shù)量將增加一倍。而登納德本人則是DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)明人。他于上個世代60年代末發(fā)明了DRAM內(nèi)存技術(shù)，目前該技術(shù)已被廣泛用于各類計算機產(chǎn)品當中。

　　上個世紀70年代中期，登納德又提出了著名的“標度理論”(scaling theory)。該理論闡述了如何不斷縮小晶體管尺寸的原理，使科技產(chǎn)業(yè)能夠持續(xù)開發(fā)出體積更小、處理速度更快、價格更為低廉的芯片。正因為如此，科技界在談論“摩爾定律”時，也會談及登納德的“標度理論”。登納德本人也認為，標度理論和摩爾定律可謂“相得益彰”。

　　為表彰登納德為美國科技產(chǎn)業(yè)所作出的杰出貢獻，IEEE將于下周四向他頒發(fā)榮譽勛章。去年IEEE曾為摩爾頒布了相應榮譽勛章。

　　杰出貢獻

　　業(yè)界人士指出，如果沒有登納德發(fā)明的DRAM技術(shù)，當今的計算機內(nèi)存技術(shù)使用情況，或許同硬盤和筆記本電腦電池技術(shù)應用仍處于同等水平線上。換句話說，內(nèi)存芯片的制造成本仍將高居不下。

　　登納德回憶道，上個世紀60年代末，IBM大型機主要使用磁芯存儲器。磁芯存儲器使用小型線圈來存儲數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品不但容易損壞，而且造價昂貴，運行速度也較慢。當然，磁芯存儲器也具有一個優(yōu)點：與DRAM內(nèi)存不同，機器斷電后，磁芯存儲器所保留的數(shù)據(jù)并不會消失(當前計算機硬盤即是如此)。

　　為解決磁芯存儲器存在的不足，當時科學家提供了諸多設計方案。但這些方案與磁芯存儲器相比，不但技術(shù)原理更為復雜，而且造價也更加昂貴。而登納德則在經(jīng)過長時間研究后，終于發(fā)明了可存儲少許數(shù)據(jù)、基于單晶體管設計的存儲單元。他于1968年為這項技術(shù)申請了專利。

　　然而在上個世紀70年代中期以前，全球計算機仍主要采用多晶體管DRAM芯片。此后基于單晶體管設計的DRAM芯片開始流行開來。時至今日，游戲玩家和計算機愛好者已在使用DDR3-1600型DRAM內(nèi)存，其售價低于100美元。