臺積電完成0.18微米快閃新制程認(rèn)證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品

　　臺積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認(rèn)證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車電子等芯片應(yīng)用上，有助于臺積電爭取更多新客戶，預(yù)計(jì)今年第3季就可以量產(chǎn)。

　　臺積電目前已經(jīng)擁有0.25微米到90奈米的嵌入式閃存制程技術(shù)，過去在相關(guān)市場也都有提供服務(wù)，也已貢獻(xiàn)營收。而目前因看好模擬、功率、汽車電子等芯片市場，因此增加及更新了0.18微米的相關(guān)技術(shù)，希望能替既有客戶提供服務(wù)，同時(shí)也爭取相關(guān)新客戶。

　　臺積電指出，0.18-micron embFlash制程不僅可擴(kuò)充臺積電在相關(guān)市場的產(chǎn)品線，且該制程只需要用到 7層的光罩，目前就可在臺積3廠量產(chǎn)投片。

　　此外，臺積電0.18微米超低漏電嵌入式閃存制程也瞄準(zhǔn)省電的手持裝置內(nèi)建處理器等芯片;在 1.8伏特電壓下，可較標(biāo)準(zhǔn)化制程減少95%的漏電;且此制程閃存IP將可在待機(jī)電流下減少 80%耗能，以及在有效電流下減少60%耗能，預(yù)計(jì)今年第3季就可提供客戶量產(chǎn)。