FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造

　　全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了減少缺陷外，用戶們還受益于通過一步工藝縮短了總的工廠生產(chǎn)流轉(zhuǎn)周期。

　　“NAND 技術(shù)持續(xù)引領(lǐng)器件尺寸縮化的步伐”FSI總裁兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說道。“ZETA ViPR 擴展到NAND制造，驗證了先進工藝中的全濕法去除的關(guān)鍵增值點——其價值只會隨著器件尺寸的不斷縮小而增加。我們?yōu)榭蛻籼峁┑倪@一種真正的差異化工藝是卓有成效的，它能夠?qū)崿F(xiàn)縮短生產(chǎn)周期、減少資本支出以及降低運作成本。

　　對ZETA ViPR技術(shù)不斷提高的認可度，源自其在大多數(shù)光刻膠去除工序中免去灰化工藝和自對準金屬硅化物工藝之后能有效去除殘留金屬的能力。對于光刻膠的去除, 除了最極端注入情況以外，ZETA ViPR工藝實現(xiàn)的獨有化學反應(yīng)都可以單獨通過濕法化學反應(yīng)完成光刻膠去除。ViPR技術(shù)的應(yīng)用不僅省去了灰化所需時間和成本，還免除了由灰化爐造成的損傷和摻雜劑/底材損耗。對于自對準金屬硅化物工藝之后的金屬去除，ZETA ViPR工藝可有效去除未反應(yīng)的金屬，同時不損壞自對準金屬硅化物。特別是通過與非常先進的NiPt自對準金屬硅化物工藝成功結(jié)合，可采用更低退火溫度來減少接面漏電，從而提高了工藝的良品率。