DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(jì)(08-100)
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針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，DDR2 SDRAM做了改進(jìn)。DDR2 SDRAM允許RD AP命令提前發(fā)出，甚至可以緊跟ACT命令發(fā)出，但是要等待一個(gè)Additive Latency(即AL，附加延時(shí))后，該RD AP命令才能執(zhí)行。如圖3所示。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/91686.htm 
圖3 引入附加延遲AL的DDR2 SDRAM讀取模式【1】
在圖3中，AL設(shè)置為tRCD-1，此時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)ACT和RD AP命令背靠背的發(fā)出，只不過(guò)，DDR2 SDRAM需要抑制RD AP命令，直到AL延時(shí)滿足后才能執(zhí)行。
圖4 引入AL后的多Bank數(shù)據(jù)讀取
如圖4，引入AL并設(shè)置AL為tRCD-1后，對(duì)于多個(gè)Bank數(shù)據(jù)讀取，輸出數(shù)據(jù)流之間不再出現(xiàn)間隙。
這種為了避免ACT命令和RD AP命令沖突而提出的技術(shù)就叫做Posted CAS技術(shù)。其本質(zhì)就是將CAS#信號(hào)的使能時(shí)間段(即RD AP命令)直接插入到緊跟RAS#信號(hào)的使能時(shí)間段(即ACT命令)之后，雖然讀和寫操作并沒(méi)有得到提前，總的延遲時(shí)間也沒(méi)有發(fā)生改變，但引入這種技術(shù)后，可以避免在多Bank操作中的一個(gè)Bank的CAS#信號(hào)和其他Bank的RAS#信號(hào)發(fā)生沖突，從而提高了存儲(chǔ)芯片的使用效率。
可以通過(guò)配置DDR2 SDRAM芯片內(nèi)部的EMR寄存器的第3～5位，將附加延時(shí)AL配置為0~5個(gè)時(shí)鐘周期。
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