英特爾完成32納米制造工藝研發(fā)

　　北京時(shí)間12月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾周三稱(chēng)，已經(jīng)完成了32納米制造工藝的開(kāi)發(fā)。

　　英特爾目前利用45納米制造工藝生產(chǎn)處理器。通常情況下，工藝越先進(jìn)的處理器速度越快，能效越高。

　　英特爾稱(chēng)，將按計(jì)劃在2009年第四季度生產(chǎn)32納米處理器。英特爾將于下周在舊金山舉行的國(guó)際電子元件會(huì)議(以下簡(jiǎn)稱(chēng)IEDM)上公布32納米制造工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)。

　　完成32納米制造工藝開(kāi)發(fā)標(biāo)志著英特爾仍然在沿著其“tick-tock”戰(zhàn)略發(fā)展。根據(jù)“tick-tock”戰(zhàn)略，英特爾每12個(gè)月交替推出新的處理器微架構(gòu)或更先進(jìn)的制造工藝。英特爾稱(chēng)，“明年生產(chǎn)32納米工藝處理器標(biāo)志著我們將連續(xù)4年實(shí)現(xiàn)“tick-tock”戰(zhàn)略目標(biāo)。”

　　英特爾稱(chēng)，32納米制造工藝的論文和報(bào)告將“闡述新的邏輯技術(shù)，融合了第二代高K金屬柵極技術(shù)、面向關(guān)鍵圖案形成層的193納米浸沒(méi)式光刻技術(shù)以及增強(qiáng)型溝道應(yīng)變技術(shù)。”

　　英特爾的其它IEDM論文將“闡述一款低功率SoC版英特爾45納米制造工藝、基于復(fù)合半導(dǎo)體的晶體管、提升45納米晶體管性能的襯底工程、面向45納米及更先進(jìn)工藝的集成化學(xué)機(jī)械拋光和集成硅光電子調(diào)制器陣列。”英特爾還將參與一個(gè)有關(guān)22納米CMOS技術(shù)的短訓(xùn)班。