臺灣存儲器之夢破碎

　　臺灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二（僅次于美國）如此驕人的成績，并沒有　沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點非常難能可貴。例如在臺灣島內自2004年開始，就半導體及平板顯示業(yè)展開大討論，以南韓為目標尋找差距?？谔柺?ldquo;為什么韓國能，臺灣不能？”

　　通過分析與比較，臺灣在半導體產業(yè)中的目標是：1) 總產值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業(yè)要超過韓國，成為全球第一。

　　為什么選擇存儲器作為突破口？

　　這是一個值得思考的好問題。回顧80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易于擴大市場份額等。

　　韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產業(yè)的第一。

　　臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結果臺灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位。

　　臺灣在存儲器方面重投資策略未能奏效

　　半導體業(yè)內有個潛規(guī)則，只要舍得投資就有可能成功。例如臺灣地區(qū)半導體業(yè)在90年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達60％以上。

　　根據此理念，臺灣地區(qū)從2004年開始加速存儲器方面的投資。例如從2004至2008年期間，臺灣地區(qū)在存儲器方面的總投資達300億美元以上，擁有20條12英寸晶圓生產線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終并未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利，日前臺灣地區(qū)已宣布放棄存儲器追趕策略，而轉向固守陣地。臺灣DRAM和三星投資比較，如下圖所示。

　　臺灣DRAM與三星在投資方面的比較 
 

　　原因初探

　　臺灣地區(qū)在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為臺灣地區(qū)在半導體策略上的一次重大失誤。據筆者觀察有以下三個主要原因：

　　首先，臺灣地區(qū)在發(fā)展存儲器業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。眾所周知，在DRAM產業(yè)中有兩個趨勢已成為共識，一個是制程轉變快，緊跟摩爾定律。由于存儲器的產品設計上相對簡單，無多大差異。例如在12英寸晶圓中，同為512Mb DDR2產品，在相同工藝制程下，假設成品率均為85％時，90nm與70nm制程在每片晶圓上產出的芯片數量分別為750-1050個及1350-1420個，成本差距達40％以上。所以目前全球DRAM業(yè)紛紛從70nm制程加快轉進6x-5xnm制程。另一個是月產能達15萬片的超級大廠盛行，投資高達50-80億美元。主要原因是出于運營成本的考慮，運行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。按此理分析，代工廠的產能小時無法與IDM廠競爭。當產能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產能，同時那些IDM廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進制程的產品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業(yè)中受到質疑，中芯國際近期退出存儲器代工可能也是基于此理。

　　再有一個原因，臺灣地區(qū)存儲器業(yè)中缺乏自己應有的技術，過多的依賴于技術轉移。例如力晶與爾必達，茂德與海力士及華亞科與奇夢達（現在的美光）。沒有自已應有的技術，等于缺乏脊梁。這也是臺灣地區(qū)存儲器追趕韓國失敗的主要原因。

　　最后一個原因是全球存儲器的市場未能達到預期。而目前幾乎2/3的新建或擴充產能集中在存儲器業(yè)中。從市場分析，推動全球存儲器業(yè)再次躍起有如下幾個潛在因素：Vista操作系統的普及、全球服務器和數據處理中心中存儲器的更替以及筆記本和移動多媒體中SSD的推廣。因種種原因市場并未如預期那么大，而前幾年的投資開始發(fā)酵，造成供過于求的局面。最終導致DRAM和NAND閃存價格的持續(xù)下跌完全超出市場預期。

　　臺灣地區(qū)存儲器業(yè)經過近5年努力，花費300億美元以上的投資，結果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大；另一方面也證明“金錢不是萬能的”，挑戰(zhàn)了半導體業(yè)的潛規(guī)則。

　　結語

　　任何策略不可能簡單地復制，任何成功都是由多個因素共同促成的。臺灣地區(qū)在半導體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實現。