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精密放大器和低噪聲失調(diào)電路技術(shù)

作者:張濤,陳連康 時間:2008-09-08 來源:中電網(wǎng) 收藏

  1 的現(xiàn)狀

本文引用地址:http://2s4d.com/article/87786.htm

  自1963年問世以來,走過了很長的發(fā)展道路,并成為所有線性系統(tǒng)中事實上的標(biāo)準(zhǔn)部件。幾乎每個大型制造商的產(chǎn)品線中都有這個產(chǎn)品。根據(jù)不同的應(yīng)用需求主要分化出通用型、低電壓/型、高速型、高精度型四大類運放產(chǎn)品。目前放大器的性能水平已達(dá)到了如下指標(biāo),這在20世紀(jì)60年代是聞所未聞的:帶寬超過1 GHz;轉(zhuǎn)換速率超過5 000 V/μs;工作電流低于10μA;工作電壓低至0.9 V;輸入失調(diào)電壓低于20 μV。

  2 精密放大器

  精密放大器一般指失調(diào)電壓低于1 mV的運放,在使用過程中,他強(qiáng)調(diào)電路工作的低噪聲和低失調(diào)性能。隨著新型傳感器技術(shù)(如導(dǎo)彈陀螺、微機(jī)械傳感器等)的應(yīng)用推廣以及整機(jī)性能的提高,對該類型運算放大器的精度和帶寬都提出了更高的要求。為了適應(yīng)這種需求,國外IC公司已陸續(xù)推出了一些寬帶產(chǎn)品。

  3 低噪聲失調(diào)電路技術(shù)

  新型傳感器的應(yīng)用對運放精度提出了更高的要求,對微傳感器來說,由于其輸出信號主要處在低頻端,且信號幅度很小,因此CMOS工藝帶來的失調(diào)和低頻1/f噪聲的增加,對微傳感器讀出電路的設(shè)計提出了巨大的挑戰(zhàn)。為了達(dá)到上一代CMOS工藝下相同的動態(tài)范圍,電路需要盡可能保持最大的輸出擺幅,以及采用各種技術(shù)降低失調(diào)電壓和1/f噪聲。

  目前,主流的實現(xiàn)低失調(diào)、低噪聲的電路技術(shù)主要有:自穩(wěn)零AZ(autozero)技術(shù)、相關(guān)雙采樣CDS(CorrelatedDouble Sampling)技術(shù)和斬波穩(wěn)零CHS(Chopper Stabilization)技術(shù)。本文主要介紹AZ和CHS技術(shù)。

  3.1 自穩(wěn)零技術(shù)(AZ)

  3.1.1 AZ基本原理

  自穩(wěn)零技術(shù)(AZ)的基本思想是,先將噪聲和失調(diào)采樣并保存,再將其從輸入或輸出的瞬態(tài)信號中除。當(dāng)然也可以通過在輸入和輸出之間增加一個額外的端口來實現(xiàn)對噪聲和失調(diào)的歸零。如果噪聲信號是不隨時間變化信號(如DC失調(diào)),他將被消除;如果是一緩慢變化的低頻隨機(jī)噪(如1/f噪聲),將被高通濾除。其原理如圖1所示,假定輸入?yún)⒖际д{(diào)電壓為Vos,輸入?yún)⒖荚肼暈閂N。AZ過程分為兩個階段:第一階段,信號被隔離,AMP輸入被短接,在采樣脈沖的作用下,輸入失調(diào)Vos和噪聲VN被采樣并保存,并以負(fù)反饋的形式從端口N引入,輸出被控制在很小的幅度;第二階段,信號接入,如果假定Vos和VN與采樣時基本相同,那么噪聲和失調(diào)將被消除。

  3.1.2 AZ對噪聲的影響

  (1)對白噪聲的影響

  假定運放的等效輸入白噪聲等效為-3 dB帶寬為fc的低通特性(LF)噪聲,采樣頻率為fs,通常fc>>fs,AZ的輸出白噪聲可以近似為:

  當(dāng)fcTs=5時,白噪聲在AZ過程前后的PSD可以清楚地從圖2中看出,在奈奎斯特頻率范圍內(nèi)(∣fTs∣≤0.5)折疊分量占主導(dǎo)地位。

  (2)對1/f噪聲的影響

  對于閃爍噪聲(1/f)PSD我們可以通過相似的分析得到,設(shè)1/f噪聲的轉(zhuǎn)角頻率為fk。如圖3所示,由于采樣函數(shù)在DC處引入了零點,1/f噪聲被大大削弱。同時,雖然1/f噪聲是一窄帶過程,但其“尾巴”在采樣過程中引入了混疊。在奈奎斯特頻率范圍內(nèi),1/f噪聲混疊分量可以近似為:

  3.1.3 存在的缺陷

  AZ在消除運放失調(diào)的同時,也大大削弱了1/f噪聲,但其欠采樣過程引入了白噪聲和閃爍噪聲的頻譜混疊,使得在信號頻帶范圍內(nèi)輸出白噪聲成份有所增加。同時,1/f噪聲的“尾巴”也將在采樣過程中導(dǎo)致輸出的混疊,加大采樣頻率可減輕混疊,但與此同時也帶來了負(fù)面效應(yīng),包括時鐘潰通(clock feed-through)和溝道電荷注入(channel charge injection)效應(yīng)。

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