ST串行EEPROM系列新增1MHz產(chǎn)品

  　非易失性存儲器技術(shù)世界領(lǐng)先廠商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出1MHz雙線串行總線EEPROM存儲器芯片，存儲密度分別為256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit，兼容I2C Fast-Mode-Puls模式，數(shù)據(jù)速率可達I2C Fast-Mode 的2.5倍。工作頻率為1MHz，M24M01-HR完成1-Mbit的數(shù)據(jù)處理只需1秒鐘；256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒；512-Kbit的M24512-HR完成數(shù)據(jù)處理只需半秒鐘。

　　這些新的雙線串行總線EEPROM支持多種訪存模式，包括按字節(jié)寫入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁的寫入模式、隨機寫入模式、順序?qū)懭肽Ｊ?、自動遞增尋址。除簡化芯片在目標應用中的設計外，這些尋址模式還有助于工程師改進系統(tǒng)性能和功耗問題。新產(chǎn)品提供一個寫控制輸入引腳，同時，三支引腳讓一條總線上可連接多達8個設備。為方便在低壓或標準電壓系統(tǒng)中采用，三款新產(chǎn)品都有不同版本，工作電壓從 1.8V到5.5V或2.5V到5.5V。

　　ST先進的制造工藝讓新產(chǎn)性能非凡，兼有1MHz的讀寫速度、競爭力的價格和三款微型表面貼裝，TSSOP8和3.8mm寬（150 mils）的SO-8封裝，厚度分別為1.2mm 和1.75mm，可用于纖薄的消費電子產(chǎn)品中（如數(shù)字電視）。所有封裝均使用ST的ECOPACK® 環(huán)保技術(shù)，這項技術(shù)符合全球的綠色封裝標準，包括歐盟的有害物質(zhì)限用（RoHS）法規(guī)。

　　新產(chǎn)品還具有很好的耐用性，標稱擦寫循環(huán)100萬次，數(shù)據(jù)保存期限40年以上。

　　SO-8封裝的256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit樣片、TSSOP封裝的256-Kbit和512-Kbit樣片現(xiàn)已上市。