美光對NAND Flash發(fā)布警告

 
　　全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示，目前NAND Flash廠制程技術發(fā)展相當快速且先進，但微影技術無法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設備商技術竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展，還必須領先微影設備商，自行開發(fā)一些相關技術。
　　近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠，加上NAND Flash市場成長率遠高于標準型DRAM，促使多家DRAM大廠紛投入NAND Flash市場，就連臺系DRAM廠力晶及茂德，也相繼宣布將投入NAND Flash市場研發(fā)及制造行列，其中，力晶更是大張旗鼓地投入興建12吋廠，希望能趕上新一波內存需求潮。

　　不過，正當DRAM大廠紛投入NAND Flash市場，美光卻提出警語，美光NAND Flash發(fā)展事業(yè)群副總裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND Flash發(fā)展所遇到最大瓶頸在于微影技術，事實上，微影技術已遠落后NAND Flash技術至少好幾年。目前微影技術設備供貨商完全跟不上NAND Flash廠商技術，NAND Flash廠已領導半導體業(yè)界制程技術。

　　美光表示，現(xiàn)在其于50奈米制程技術，甚至在掃瞄機發(fā)展前便已完全準備好，美光必須先將微影技術給準備好，才有助于美光在50奈米制程技術順利發(fā)展。目前193奈米浸潤式掃瞄機到了45奈米制程可能已無法使用，至于下世代浸潤式掃瞄機，預計將可使用到32奈米制程。

　　多家DRAM廠指出，做NAND Flash困難度確實較標準型DRAM要難上許多。NAND Flash發(fā)展不僅在微影技術上將出現(xiàn)瓶頸，過去采用NAND Flash架構到45奈米制程以下時，便會遭遇到一些物理極限限制，因而發(fā)明SONOS架構技術，使DATA Flash到45奈米制程以下時，依然可繼續(xù)走下去。

　　目前全球各大DATA Flash廠無不想盡辦法，希望能不斷改良SONOS架構，使其早日順利量產商業(yè)化。不過，SONOS仍有瓶頸待克服，最快要到2008年才會見到類似SONOS架構的TANOS產品量產。TANOS結構系由鉭金屬、氧化鋁(高K材料)、氮化物、氧化物和硅晶層所組成，TANOS結構采用，也象征產業(yè)界首次將金屬層和高K材料結合應用于NAND設備中。

　　由于各大半導體廠已體認到，若不采用SONOS架構，應無法再將DATA Flash帶進下一世代，因此，包括飛思卡爾(Freescale)、賽普拉斯(Cypress)等大廠，均開始積極投入研發(fā)。