DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價(jià)格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。

由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到了2.05美元左右。由于PC OEM廠商處理多余庫存，合約市場的價(jià)格也在下跌。DDR2 667MHz 512MB的合約價(jià)格大致持穩(wěn)于20美元，甚至更低的水平。

目前DRAM合約價(jià)格的下降幅度大于當(dāng)初預(yù)期，主要是因?yàn)镻C市場處于需求淡季，以及供需嚴(yán)重失衡。DRAM廠商的月產(chǎn)能不斷上升，迫使它們以極低的價(jià)格出售。幸運(yùn)的是，由于PC廠商的庫存水平目前較低，以及季末公布財(cái)報(bào)的活動(dòng)接近尾聲，DRAM需求可能開始回升。另外再加上2007年下半年P(guān)C市場旺季即將來臨，DRAM價(jià)格可能即將反彈。



資料來源：Dramexchange，2007年4月

面對價(jià)格持續(xù)下跌的局面，廠商正在竭力進(jìn)一步削減成本。例如，美光最近宣布，利用78納米工藝成功地開發(fā)出了1.5V DDR2芯片。這樣低的電壓，可以節(jié)省大約24%的功耗。由于美光成本不占優(yōu)勢的8英寸工藝占了很大比例，它正在推出特殊規(guī)格的芯片，以避開商品類DRAM市場中激烈的價(jià)格競爭。三星和海力士半導(dǎo)體，則已開始利用68和66納米工藝試生產(chǎn)，同時(shí)提高2007年下半年1GB芯片的出貨比例。另一方面，臺灣廠商則在繼續(xù)提高12英寸工廠的產(chǎn)能。無需多言，隨著產(chǎn)能快速上升，DRAM廠商引入的成本下降機(jī)制將在其未來的競爭中發(fā)揮重要作用。

NAND閃存供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置存儲產(chǎn)品

目前，約有三分之二的NAND閃存產(chǎn)能被用于存儲卡和USB驅(qū)動(dòng)器。同時(shí)，另外三分之一則被分配給了內(nèi)置存儲產(chǎn)品，或者使用標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存，或者使用集成式閃存。例如，三星在3月推出了GB moviNAND，由四個(gè)采用50納米工藝生產(chǎn)的16Gb芯片組成。據(jù)三星高管，這種產(chǎn)品將在2007年第二季度結(jié)束前投入量產(chǎn)。

東芝在其網(wǎng)站上發(fā)布了一款16GB嵌入式閃存，采用56納米工藝制造，由8個(gè)16Gb芯片組成。東芝將在6月向客戶提供樣品進(jìn)行評測，計(jì)劃7月量產(chǎn)。

SanDisk也在2007年2月展示了iNAND產(chǎn)品，密度從256MB到4GB，將主要面向采用微驅(qū)動(dòng)器的移動(dòng)通訊產(chǎn)品。

隨著NAND閃存生產(chǎn)向更高級的工藝過渡，相關(guān)成本進(jìn)一步下降，移動(dòng)通訊產(chǎn)品生產(chǎn)商開始日益青睞嵌入式閃存。計(jì)劃在6月發(fā)布的Apple iPhone，將包括4GB或8GB款式，預(yù)計(jì)將推動(dòng)更多的廠商采用內(nèi)置式閃存作為存儲解決方案。這些動(dòng)態(tài)也在使集成式閃存越來越受歡迎。