韓廠進(jìn)入14納米平面NAND時(shí)代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)

　　韓國兩大存儲器廠前進(jìn)14納米平面NAND Flash時(shí)代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn)，而SK海力士(SK Hynix)則預(yù)定在新的一年結(jié)束研發(fā)作業(yè)，并導(dǎo)入量產(chǎn)體制。

　　韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成，將于2016年上半投產(chǎn)。三星預(yù)定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士，也進(jìn)入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將于2016年上半結(jié)束研發(fā)，并于年內(nèi)展開量產(chǎn)。

　　另一方面，日本、美國存儲器廠則沒有技術(shù)升級的計(jì)劃。東芝(Toshiba)曾表示，15納米已是極限，無法再研發(fā)出低于15納米的平面產(chǎn)品。美光(Micron)則是打算集中在與英特爾(Intel)一同研發(fā)的3D XPoint技術(shù)。

　　三星14納米NAND Flash與16納米產(chǎn)品相較時(shí)， 14納米NAND Flash浮動閘極(Floating Gate)約縮減12.5%，晶粒面積縮小，對降低NAND Flash生產(chǎn)成本將帶來貢獻(xiàn)。

　　NAND Flash以在浮動閘極中存放或移出電子(Electron)區(qū)分1和0，并借此讀寫與消除資料。若電路線寬更加微細(xì)化，浮動閘極的面積也會跟著縮小，導(dǎo)致能儲存的電子個(gè)數(shù)減少。而浮動閘極面積持續(xù)縮小，可能經(jīng)常發(fā)生資料讀寫錯(cuò)誤的情況，也讓研發(fā)難度更高。15~16納米NAND Flash可以在浮動閘極上儲存的電子數(shù)不到10個(gè)，而14納米則將會更少。NAND Flash研發(fā)始祖的東芝會宣布15~16納米NAND Flash是平面NAND極限的原因也在于此。

　　14納米平面NAND Flash是否為每個(gè)Cell能儲存3 bit的TLC(Triple Level Cell)產(chǎn)品也是業(yè)界的關(guān)注焦點(diǎn)。雖然許多分析都認(rèn)為，可以儲存的電子個(gè)數(shù)過少，因此難度相當(dāng)高。但倘若研發(fā)成功的話，將可以成功地降低成本。

　　而此次三星研發(fā)完成的14納米平面NAND Flash則是每個(gè)Cell可以儲存2 bit的MLC(Multi Level Cell)128 Gb產(chǎn)品。量產(chǎn)則將以內(nèi)嵌式存儲器(eMMC)、UFS(Universal Flash Storage)介面供應(yīng)。

　　韓國業(yè)界人士表示，雖然三星此次成功研發(fā)14納米平面NAND Flash，而SK海力士也開始著手研發(fā)，不過除了浮閘有其極限外，以目前的液浸曝光(Immersion exposure)設(shè)備生產(chǎn)10納米級產(chǎn)品，費(fèi)用將非常高昂難以獲利，所以14納米應(yīng)會成為末代的平面NAND Flash，其后研發(fā)方向?qū)⒊岣叨询B層數(shù)，透過增加集積度壓低生產(chǎn)成本。