TrendForce：經(jīng)濟(jì)前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限

　　全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明，各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守，TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(zhǎng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Flash產(chǎn)出將大于需求力道，價(jià)格下滑幅度也將大于過(guò)去兩年。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體NAND Flash產(chǎn)值僅年增長(zhǎng)0.2%，達(dá)266億美元，多數(shù)NAND Flash供貨商將面臨營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)壓縮的挑戰(zhàn)。

　　2016年NAND Flash產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析如下：

　　3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度為聚焦重點(diǎn)

　　2016年是制程轉(zhuǎn)進(jìn)以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵時(shí)期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后，后續(xù)制程微縮的空間將面臨瓶頸，再加上三星早已量產(chǎn)3D-NAND Flash并成功打開(kāi)在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash廠商也陸續(xù)從今年第四季開(kāi)始加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)。DRAMeXchange預(yù)估2016年總晶圓投片量(12寸約當(dāng))達(dá)到1670萬(wàn)片，年增長(zhǎng)12%，而因3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)加速進(jìn)行，預(yù)估2016年位元供給率將較今年大幅增長(zhǎng)50%，為近四年來(lái)新高。

　　三星的3D-NAND Flash去年開(kāi)始正式量產(chǎn)，今年憑著積極的價(jià)格策略及優(yōu)異的性能迅速拉開(kāi)與各家廠商的競(jìng)爭(zhēng)步伐，迫使其他廠商加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，預(yù)期其他廠商3D-NAND Flash的固態(tài)硬盤(pán)也將在2016年第三季可供系統(tǒng)OEM廠商進(jìn)行認(rèn)證流程。楊文得表示，雖然整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在今年第四季僅有11%，但2016年可望大幅增長(zhǎng)至30%，此舉也將有助于降低固態(tài)硬盤(pán)的成本來(lái)提高系統(tǒng)OEM廠商的固態(tài)硬盤(pán)滲透率。

　　中國(guó)廠商布局日趨完整，扮演NAND Flash產(chǎn)業(yè)變化的關(guān)鍵角色

　　楊文得表示，今年中國(guó)半導(dǎo)體廠商投資NAND Flash存儲(chǔ)相關(guān)公司的腳步加快，以及在NAND Flash上中下游產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，未來(lái)3-5年中國(guó)廠商以及中國(guó)市場(chǎng)將對(duì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)的變化扮演關(guān)鍵地位。

　　在中國(guó)政府強(qiáng)力主導(dǎo)下，目前中國(guó)以強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場(chǎng)吸引力來(lái)加大NAND大廠投資建廠規(guī)模的成效已開(kāi)始發(fā)酵，如三星西安廠持續(xù)擴(kuò)廠，英特爾也確定將原先邏輯制程的大連晶圓廠轉(zhuǎn)為生產(chǎn)NAND Flash的半導(dǎo)體廠。DRAMeXchange預(yù)估在2016年底前，NAND Flash國(guó)際大廠在中國(guó)生產(chǎn)的晶圓量占比可來(lái)到8%，未來(lái)增長(zhǎng)的幅度將快速提升。

　　終端設(shè)備NAND Flash產(chǎn)品平均搭載量攀升，固態(tài)硬盤(pán)為需求動(dòng)能亮點(diǎn)

　　楊文得表示，全球總體經(jīng)濟(jì)不確定的因素升高影響2016年各項(xiàng)NAND Flash終端需求，在設(shè)備端出貨量增長(zhǎng)有限的情況下，明年NAND Flash需求面將著重在平均搭載量的增長(zhǎng)，又因NAND Flash價(jià)格滑落的速度加快，DRAMeXchange預(yù)估2016年智能手機(jī)的eMMC與消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(Client-SSD)平均容量將較今年增長(zhǎng)30%以上。

　　消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)部分，3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)與TLC的普及率提升都加速了固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格滑落的速度，也增強(qiáng)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠商的采購(gòu)與設(shè)計(jì)意愿，DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)2015年的筆記本電腦SSD搭載率約為27%，預(yù)期2016年年底128GB的固態(tài)硬盤(pán)將低于500GB的傳統(tǒng)硬盤(pán)、256GB的固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格也將逼近1TB的傳統(tǒng)硬盤(pán)，DRAMeXchange預(yù)估2016年筆記本電腦固態(tài)硬盤(pán)搭載率將突破30%。

　　此外，強(qiáng)調(diào)及時(shí)運(yùn)算以及效能的數(shù)據(jù)中心需求量大增，各項(xiàng)云端運(yùn)算與服務(wù)也隨著APP在智能型手機(jī)的應(yīng)用快速增長(zhǎng)，整體企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(Enterprise-SSD)的需求維持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體固態(tài)硬盤(pán)位消耗量份額將到35%，較今年的30%提升不少，成為各NAND Flash終端需求項(xiàng)目中表現(xiàn)最為強(qiáng)勁的種類。