華人科學(xué)家首獲國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎
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在第27屆國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會上，電子科技大學(xué)教授、中國科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)，獲“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎”，成為首位獲得該獎項(xiàng)的華人科學(xué)家。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/274715.htm國際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級學(xué)術(shù)年會，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎項(xiàng)。
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