Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導(dǎo)通電阻和多種可選封裝

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計(jì)師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時(shí)通過(guò)減少元件的使用從而減少這些設(shè)計(jì)的電路板空間。

　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應(yīng)用的理想之選。同時(shí)，多種可選封裝為設(shè)計(jì)師帶來(lái)巨大的靈活性，在尺寸受限的設(shè)計(jì)中尤為如此。該系列的關(guān)鍵應(yīng)用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設(shè)備的電源、電源適配器、服務(wù)器、工業(yè)電源和輔助電源及微型太陽(yáng)能逆變器。

　　“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商可提高產(chǎn)品的效率和可靠性。由于優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻，此系列的效率明顯優(yōu)于最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，”Fairchild 的首席技術(shù)市場(chǎng)工程師 Wonhwa Lee 說(shuō)。“新系列采用最新的超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)小形狀因數(shù)及更勝以往的高效率，其耐用的內(nèi)置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業(yè)橋式電路的可靠性。”

　　Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業(yè)內(nèi)最低 60 毫歐的26個(gè)器件(均以各種標(biāo)準(zhǔn)封裝提供)組成，為設(shè)計(jì)師在針對(duì)特定應(yīng)用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如，F(xiàn)CD850N80Z 是該系列的主要成員，將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson(最大值)與比主要競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相結(jié)合，使其成為需要低導(dǎo)通電阻和尺寸受限的 LED 照明應(yīng)用的理想之選。

　　Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括：

　　要了解 Fairchild SuperFET II MOSFET 技術(shù)的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)

　　https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR_CN-800V_SuperFET_II_MOSFET_Family.html