小改變大不同 揭秘DDR4內(nèi)存與DDR3區(qū)別

　　DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來，至今已經(jīng)走過了8個年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來說，內(nèi)存發(fā)展可謂相當緩慢。不過好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，起跳頻率達到2133MHz，標志著DDR3時代的終結(jié)。

　　DDR4內(nèi)存雖然醞釀了很長時間，但是由于DDR4內(nèi)存標準一直遲遲未公布，廠家宣傳也很少，導致網(wǎng)友對DDR4內(nèi)存了解甚少。那么今天筆者就帶著大家提前進入DDR4內(nèi)存時代。

　　DDR4與DDR3內(nèi)存差異一：處理器

　　Haswell-E架構(gòu)圖解

　　每次內(nèi)存升級換代時，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計，DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當高，并且不會同時支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門檻。

　　DDR4與DDR3內(nèi)存差異二：外型

　　DDR4金手指變化較大

　　大家注意上圖，宇瞻DDR4內(nèi)存金手指變的彎曲了，并沒有沿著直線設(shè)計，這究竟是為什么呢?一直一來，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。

　　接口位置同時也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

　　DDR4與DDR3內(nèi)存差異三：參數(shù)

　　DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。

　　默認頻率DDR42133CL15

　　DDR42133頻率下帶寬測試：48.4GB/s

　　從宇瞻32GBDDR4-2133內(nèi)存來看，僅默認頻率帶寬就高達48.4GB/s，可見DDR4對系統(tǒng)性能提升重要性。

　　另外就是其它參數(shù)的改變，比如容量和電壓。

　　DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB(單顆芯片512MB，共16顆)，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMDDR4的電壓還會降得更低。