東芝：泄密了的閃存技術走勢

　　全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。

　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術和產品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產品，并且東芝的技術動向，也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。

NAND集成趨勢不可擋

　　移動設備用存儲產品引導著NAND的發(fā)展趨勢，而更高程度的集成勢不可擋。東芝上半年已經發(fā)布了15nm 128Gb的MLC產品，集成度進一步提升。該產品可以向客戶級SSD、企業(yè)級SSD以及消費類產品等廣泛的應用提供支持。東芝的超高性能UFS v2.0的存儲器樣品也已推出，繼續(xù)引領存儲技術潮流。

　　對移動設備中使用的標準存儲器產品MMC(多媒體卡)，東芝的e·MMCTM具有以下特點：

　　l 制程工藝已經推進至19nm的第二代制程A19nm，符合e·MMCTM v5.0標準，實現高性能小型化。

　　l e·MMCTM Supreme和Premium兩種產品線滿足多種多樣的市場需求。

　　l 2014年將產品工藝推進到15nm，兼容e·MMCTM v5.x標準。在此工藝下，產品尺寸可以比19nm工藝下的封裝縮小26%，而讀寫速度分別提高8%和20%。

　　l 超高性能UFS v2.0的存儲器樣品領先市場。

　　除了在移動設備、數字電視、數字攝像、工業(yè)中的廣泛應用，東芝還把e·MMCTM產品擴展到了汽車中。在車載信息娛樂系統中，東芝導航卡完全具有與標準SD存儲卡相同的功能特性，如“塊管理”、ECC糾錯以及損耗均衡等。

　　除了MLC和MMC產品，東芝還率先提供24nm工藝的SLC NAND和BENAND產品，在該工藝下，可靠性和成本優(yōu)勢提升，用戶可以降低BOM成本并獲得可持續(xù)的長期支持。

引領下一代UFS產品市場

　　憑借技術實力，東芝走在下一代UFS市場的前沿。

　　閃存的速度非?？?，臺式電腦和筆記本電腦上最新的閃存存儲裝置使用適當的接口后讀寫速度可以達到每秒約500MB。為了提升智能手機、平板電腦、電子書閱讀器等移動設備的讀取和寫入速度，2013年電子設備工程聯合委員會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)發(fā)布了第二代通用閃存存儲標準UFS 2.0，該標準下的閃存讀寫速度可以高達每秒1400MB，這相當于在兩秒鐘內讀寫兩個CD光盤的數據，不僅相比e·MMCTM有巨大的優(yōu)勢，它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲介質固態(tài)硬盤也相形見絀，因而，業(yè)界認為該標準會在2015年成為移動設備的主流標準。

　　東芝展示了超高性能UFS v2.0的存儲器樣品，新的產品可以實現讀寫速度上的大幅提升，連續(xù)讀取速度可以達到650MB/s，連續(xù)寫入速度可以達到180MB/s?？磥頄|芝已經為未來發(fā)力準備好了。

走向3D結構的閃存

　　近些年，閃存速度/容量的提升及成本的降低主要依靠制造工藝的進步。但麻煩的是，隨著工藝的進步，對于存儲芯片來說，發(fā)生了更為要命的問題：工藝越先進閃存芯片性能反而越差。因為在相同的空間內要針對更多單元做充放電的動作，電荷干擾很嚴重，完成數據讀寫的延時就變大，數據處理時的錯誤率也在上升。

　　田中基仁表示，2014年東芝已經開始量產15nm工藝NAND閃存。但在提升閃存的性能和降低成本上，15nm已經是極限。下一代存儲技術將會向3D架構發(fā)展。在3D時代，閃存的架構就顯得格外重要。目前，東芝除了正在繼續(xù)開發(fā)基于浮動柵架構的先進制程工藝外，同時也在通過研發(fā)3D結構的存儲單元(BiCS)，進一步加速芯片的大容量化。