臺積電三星 明年強(qiáng)攻3D IC封裝

　　資策會(huì)MIC表示，明年包括美光、三星、海力士及臺積電等半導(dǎo)體大廠，持續(xù)精進(jìn)推出3D IC封裝技術(shù)。

　　資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)指出，全球首顆3D IC異質(zhì)整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube)，將在明年正式量產(chǎn)，由記憶體大廠美光(Micron)和三星(Samsung)為首的混合記憶體立方聯(lián)盟(HMCC)推出。

　　資策會(huì)MIC表示，混合記憶體立方HMC，以3D IC技術(shù)堆疊多層動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和一層邏輯晶片，屬于異質(zhì)整合晶片。

　　另一方面，資策會(huì)MIC指出，記憶體大廠海力士(Hynix)明年也將推出高頻寬記憶體HBM(HighBandwidth Memory)，以3D IC技術(shù)堆疊四層DRAM，屬于同質(zhì)整合晶片。

　　臺積電明年在3D IC領(lǐng)域，也可望明顯進(jìn)展。資策會(huì)MIC表示，臺積電明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封裝技術(shù)，成本將低于目前2.5D IC層級的CoWoS技術(shù)。

　　MIC指出，臺積電InFO封裝技術(shù)，可因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置所需晶片輕薄短小趨勢。