臺(tái)積電超低耗電技術(shù)讓穿戴產(chǎn)品電池延長(zhǎng)10倍

　　臺(tái)積電今(29)日宣布領(lǐng)先積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，推出業(yè)界最完備的超低耗電技術(shù)平臺(tái)，針對(duì)需要廣泛技術(shù)支援且又快速成長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置市場(chǎng)提供必要技術(shù)，以滿足市場(chǎng)多樣化產(chǎn)品應(yīng)用的需求。臺(tái)積電表示，透過此技術(shù)平臺(tái)提供多項(xiàng)制程技術(shù)，來大幅提升功耗優(yōu)勢(shì)以支援物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品，同時(shí)也提供完備的設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，加速客戶產(chǎn)品上市時(shí)間。

　　臺(tái)積電表示，超低耗電制程組合除涵蓋目前的0.18微米極低漏電制程(0.18eLL)、90奈米超低漏電制程(90uLL)及16奈米FinFET制程，更擴(kuò)展至全新的55奈米超低耗電制程(55ULP)、40奈米超低耗電制程(40ULP)及28奈米超低耗電制程(28ULP)以支援運(yùn)算速度高達(dá)1.2GHz之應(yīng)用。此項(xiàng)涵蓋0.18微米到16奈米FinFET的超低耗電制程組合適用于各種具節(jié)能效益的智慧型物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品。

　　其中，0.18微米至40奈米的超低耗電制程亦具備射頻及嵌入式快閃記憶體功能，能進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)整合以有效縮小尺寸外觀，并藉由無線傳輸技術(shù)串連物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。而相較前一代的低耗電制程，超低耗電制程能夠進(jìn)一步降低操作電壓達(dá)20到30%，以減少動(dòng)態(tài)與靜態(tài)功耗，同時(shí)大幅延長(zhǎng)物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品輕薄短小電池的使用壽命達(dá)2至10倍。

　　臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音博士表示，超低耗電及無所不在的連結(jié)功能是物聯(lián)網(wǎng)能否成功的關(guān)鍵，這次領(lǐng)先業(yè)界成功推出完備的技術(shù)平臺(tái)，有效滿足多樣化物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的需求與創(chuàng)新。公司針對(duì)此新興市場(chǎng)所提供的廣泛技術(shù)組合，展現(xiàn)了技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位以及帶給客戶最大價(jià)值的承諾，并協(xié)助客戶打造具競(jìng)爭(zhēng)性的產(chǎn)品，成功贏得設(shè)計(jì)合作案。

　　此外，臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，客戶利用“開放創(chuàng)新平臺(tái)”所提供的既有矽智財(cái)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，是公司超低耗電技術(shù)平臺(tái)額外提供的一個(gè)重要價(jià)值。當(dāng)晶片設(shè)計(jì)人員進(jìn)行新的超低耗電制程設(shè)計(jì)時(shí)，能夠輕易再使用公司低耗電制程的矽智財(cái)與元件資料庫(kù)，以提高首次設(shè)計(jì)即生產(chǎn)成功的機(jī)率，并達(dá)到產(chǎn)品迅速上市的目標(biāo)。

　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)2014年與客戶在55奈米超低耗電制程、40奈米超低耗電制程及28奈米超低耗電制程初步達(dá)成數(shù)項(xiàng)設(shè)計(jì)合作案，并在2015年進(jìn)入試產(chǎn)。