非贏不可的一戰(zhàn)：臺(tái)積電明年Q1建10納米試產(chǎn)線

　　業(yè)界傳出，臺(tái)積電除加速南科廠16納米產(chǎn)能布建，也決定在明年第1季于中科建置10納米試產(chǎn)線，透露臺(tái)積電將以中科作為10納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)，并加快試產(chǎn)腳步，拉開與英特爾、三星等勁敵的差距。

　　臺(tái)積電并未對(duì)相關(guān)傳聞置評(píng)。設(shè)備商透露，受制于設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)極紫外光(EUV)技術(shù)輸出率仍未達(dá)量產(chǎn)需求，臺(tái)積電10納米仍會(huì)以浸潤式機(jī)臺(tái)進(jìn)行多重曝光方式，作為顯影核心設(shè)備，并集中于12寸晶圓廠生產(chǎn)。

　　10納米制程被臺(tái)積電視為「最關(guān)鍵的一役」，臺(tái)積電董事長張忠謀稍早透露，臺(tái)積電短期恐在16納米市占略為落后輸競爭對(duì)手，不過，臺(tái)積電有信心很快搶回市占率，并積極導(dǎo)入10納米等更先進(jìn)的制程，預(yù)定明年下半年完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。

　　張忠謀當(dāng)時(shí)說，臺(tái)積電2013年開始進(jìn)行10納米技術(shù)開發(fā)，10納米技術(shù)將是繼16納米FinFET(鰭式場效晶體管)及強(qiáng)效版制程16FinFET+之后的第三代FinFET制程，效能與密度將是業(yè)界第一。

　　臺(tái)積電對(duì)內(nèi)宣示，10納米是「非贏不可的一戰(zhàn)」，一定要做到比英特爾好，因此由張忠謀親自督軍，并號(hào)名近400位研發(fā)人員成立「夜鷹計(jì)劃」，讓10納米研發(fā)無縫接軌、縮短學(xué)習(xí)曲線。