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一種簡易的掉電后備電源的設(shè)計(jì)方案

作者: 時(shí)間:2014-07-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  導(dǎo)讀:文介紹了一種掉電的設(shè)計(jì),采用作為儲(chǔ)能元件可長期浮充,大電流放電,提高了使用壽命;采用升壓型拓?fù)?,?yōu)化了容量配置,可在5V@5A條件下可在5V@5A 條件下,持續(xù)工作10s,并在電容因欠壓停止工作時(shí),可迅速關(guān)斷輸出,輸出電壓單調(diào)下降,不產(chǎn)生振蕩,電性指標(biāo)滿足絕大。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/249280.htm

  1 引言

  測(cè)量儀器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)以及機(jī)器人等重要單元或關(guān)鍵部件需在非正常掉電時(shí)進(jìn)行狀態(tài)記錄和必要的系統(tǒng)配置,使用電池往往由于長期浮充致使壽命減少,且需定期更換。器(Super Capacitor)兼有常規(guī)電容器功率密度大、充電電池比能量高的優(yōu)點(diǎn),可進(jìn)行高效率快速充放電,且可長期浮充,在大電流充放電、充放電次數(shù),壽命等方面優(yōu)于電池,正在發(fā)展成為一種新型、高效、實(shí)用的能量儲(chǔ)存裝置,是介于充電電池和電容器之間的一種新型能源器件。本文采用超級(jí)電容器設(shè)計(jì)了高效、大電流掉電。

  2 超級(jí)電容容量和拓?fù)涞倪x取

  該電源實(shí)現(xiàn)短時(shí)掉電保護(hù),其配置需要優(yōu)化,即采用盡量小的電容容量獲得盡量長的使用時(shí)間。采用Buck結(jié)構(gòu),效率會(huì)有所提高,但會(huì)有較大的電容電荷不能利用;采用升降壓結(jié)構(gòu)的Buck-產(chǎn)生的反壓直接利用會(huì)有困難;采用高頻變壓器隔離的拓?fù)?,在?jīng)濟(jì)性、效率、功率密度等方面均有一定限制;綜上,本文采用了可使電容容量較為合理非隔離升壓拓?fù)?,主要技術(shù)指標(biāo)如下:超級(jí)電容電壓可用范圍3V-5V,最大輸入電流18A~20A,輸出電壓+5V@5A,保持時(shí)間10秒。由于掉電保護(hù)時(shí)間較短,功率元件降額使用不必太苛刻。

  超級(jí)電容作為儲(chǔ)能元件,在正常情況下,該設(shè)計(jì)由5V電源供電,并同時(shí)給超級(jí)電容進(jìn)行充電。當(dāng)外接電源掉電后,系統(tǒng)的所有供電需求均由超級(jí)電容完成。在此設(shè)計(jì)中超級(jí)電容部分是由兩個(gè)耐壓值為2.7V,容值為220F的電容串聯(lián)組成,為了達(dá)到較好的均壓效果,使用了兩個(gè)1M的電阻對(duì)兩支超級(jí)電容進(jìn)行均壓。

  3 主功率設(shè)計(jì)

  3.1 主功率拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)

  主功率電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用的是升壓電路,電路如圖1所示,主要包括超級(jí)電容,boost拓?fù)湟约癓C濾波三個(gè)部分。

  Boost功率拓?fù)渲?,電感和MOSFET承受的電流較大,最大可到20A,必須考慮MOSFET的耐流和必要的散熱措施。電感值選取應(yīng)合適(本文選用2.2uH),由于在輸入電壓較低的情況下,需要得到必要的增益,MOSFET和電感的內(nèi)阻會(huì)影響電壓增益,即存在最大占空比,當(dāng)占空比超過該值時(shí),電壓增益反而下降,效率變低,易因電感電流過大,引起電感飽和,從而燒毀MOSFET或電感。MOSFET需要導(dǎo)通阻抗較小,電感的直流阻抗也需要很小。

  LC濾波部分主要包括電感與電容,可經(jīng)過試驗(yàn)選擇濾波級(jí)數(shù)。本設(shè)計(jì)選用0.9uH的電感作為濾波電感,濾波電容由2200uF和0.1uF的并聯(lián)。

  

 

  圖1 主功率電路原理圖

  

 

  3.2 驅(qū)動(dòng)控制設(shè)計(jì)

  驅(qū)動(dòng)控制采用UCC2813,開關(guān)頻率為100K,如圖2所示,由該芯片的輸出Gate1直接驅(qū)動(dòng)MOSFET.

  

 

  圖3 關(guān)斷電路的原理圖

  4 可靠關(guān)斷電路設(shè)計(jì)

  任務(wù)完成后能可靠下電,即下電電壓迅速且是單調(diào)下降的,關(guān)斷電路的原理如圖3所示,主要包括TL431基準(zhǔn)電路,LM339運(yùn)放比較電路兩部分,通過檢測(cè)超級(jí)電容兩端電壓,與設(shè)定及比較,形成滯環(huán),完成電路的輸出切斷,圖中滯環(huán)比較器在電容電壓小于3.5V時(shí)電路關(guān)斷。

  5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

  在輸出為滿載5A和空載的條件下測(cè)試,輸出與控制占空比波形、電壓紋波以及關(guān)斷電壓波形分別如圖4、圖5和圖6所示,電壓管段波形如圖7所示。

  

 

  圖4 空載輸出波形,電壓平均值為5.0V(左)滿載輸出波形,電壓平均值為4.98V(右)。

  

 

  圖5 空載時(shí),輸出電壓波形(2)和占空比波形(1)(左)滿載時(shí),輸出電壓波形(2)和占空比波形(1)(右)。

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