基于SDRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　
圖10控制器原理框圖

　　控制器分三部分:control邏輯控制、initial初始化和funtion功能部分。initial部分主要完成初始化模式設(shè)置;funtion部分主要完成刷新、讀和寫功能;control邏輯控制部分主要是控制協(xié)調(diào)initial初始化和funtion功能部分。

　　各個信號說明如表2所示:

　　表2 控制器信號說明

　　
initial初始化

　　按照圖4初始化和模式設(shè)置時序圖，在初始化過程中，首先要延時100us，以便VCC和CLK穩(wěn)定，接著發(fā)送NOP命令，再接著發(fā)PRECHARGE命令，此時發(fā)送A[10]=1，表示選擇所有banks。延時tRP時間后發(fā)送AUTO REFRESH和NOP命令,如果延時大于tRFC，那么再發(fā)AUTO REFRESH和NOP命令。延時tRFC時間后發(fā)LOAD MODE REGISTER命令，地址信號送入設(shè)置的模式數(shù)據(jù)，之后發(fā)NOP命令，最好發(fā)ACTIVE命令，并送入行地址和bank信號。操作如圖11(a)initial流程圖所示：

圖11(a)initial流程圖 圖11(b)自動刷新流程圖

　　圖11(c)單個讀流程圖 圖11(d)單個寫流程圖

　　自動刷新

　　按照圖7自動刷新時序圖，F(xiàn)PGA實現(xiàn)自動刷新可按照圖11(b)自動刷新流程圖來實現(xiàn)，共有十個狀態(tài)：IDLE、PRECHARGE、NOP、AUTO REFRESH、NOP、AUTO REFRESH、NOP、ACTIVE、autdone=1和autdone=0。這里并沒有把NOP、AUTO REFRESH合并是因為不想增加難度。另外，ACTIVE和autdone=1也可以放在同一個狀態(tài)中。自動刷新功能是由start_sig=3’b100發(fā)起的，之后就是按照十個狀態(tài)按順序進(jìn)行。autdone=1和autdone=0兩個狀態(tài)在讀時序中并沒有出現(xiàn)，應(yīng)用案例用著兩個狀態(tài)來產(chǎn)生一個正脈沖表示自動刷新動作完成了，用于各個部分協(xié)調(diào)。最后當(dāng)start_sig=3’b000時返回IDLE狀態(tài)這個動作很重要，因為自動刷新、讀寫操作都是用同一個狀態(tài)變量，當(dāng)刷新完成時狀態(tài)變量處于autdone=0這個狀態(tài)，假如刷新完成之后進(jìn)行讀操作，那么最終只進(jìn)行了autdone=0這步操作，而不是從IDLE到autdone=0一系列的操作。其他操作原理同樣如此

　　單個讀操作

　　按照圖9單個讀時序圖，F(xiàn)PGA實現(xiàn)讀操作可按圖11(c)單個讀流程圖來完成。實現(xiàn)共有十個狀態(tài)：IDLE、ACTIVE、NOP、READ、NOP、NOP 、ACTIVE、NOP 、autdone=1和autdone=0。單個讀功能由start_sig=3’b010發(fā)起的，之后就是按照十個狀態(tài)按順序進(jìn)行。autdone=1和autdone=0兩個狀態(tài)產(chǎn)生一個正脈沖表示讀動作完成了。最后當(dāng)start_sig=3’b000時返回IDLE狀態(tài)。

　　單個寫操作

　　按照圖8單個寫時序圖，F(xiàn)PGA實現(xiàn)寫操作可按圖11(d)單個寫流程圖來完成。實現(xiàn)共有十個狀態(tài)：IDLE、ACTIVE、NOP、NOP、NOP、WRITE、NOP、NOP 、NOP 、ACTIVE、NOP 、autdone=1和autdone=0。單個寫功能由start_sig=3’b001發(fā)起的，之后就是按照13個狀態(tài)按順序進(jìn)行。autdone=1和autdone=0兩個狀態(tài)產(chǎn)生一個正脈沖表示寫動作完成了。最后當(dāng)start_sig=3’b000時返回IDLE狀態(tài)。

　　邏輯控制部分

　　邏輯控制部分是一個重要的部分，是整個控制器的控制中心。邏輯控制部分主要功能如圖12邏輯控制部分流程圖所示。

　　邏輯控制部分在上電復(fù)位時，首先要完成初始化模式設(shè)置，當(dāng)初始化模塊完成初始化輸出initdone時，邏輯控制部分輸出busy=0，表示初始化完成了。接著進(jìn)入空閑IDLE狀態(tài)，在這個狀態(tài)中進(jìn)行刷新autreflesh、讀rden和寫wren的檢測。當(dāng)檢測到autreflesh=1時，表示要進(jìn)行刷新動作置start_sig=3’b100啟動刷新功能，刷新完成之后得到反饋信號autdone=1，之后清除定時器，置start_sig=3’b100讓功能模塊狀態(tài)變量回到空閑IDLE狀態(tài)，并且回到邏輯控制部分的空閑狀態(tài)。當(dāng)檢測到rden=1時，置start_sig=3’b010啟動讀功能，等到funwrdone=1讀完成時，置start_sig=3’b000讓功能模塊狀態(tài)變量回到空閑IDLE狀態(tài)，并輸出一個wrdone的正脈沖表示讀功能完成，然后回到邏輯控制部分的空閑狀態(tài)。當(dāng)檢測到wren=1時，置start_sig=3’b001啟動寫功能，等到funwrdone=1讀完成時，置start_sig=3’b000讓功能模塊狀態(tài)變量回到空閑IDLE狀態(tài)，并輸出一個wrdone的正脈沖表示寫功能完成，然后回到邏輯控制部分的空閑狀態(tài)。刷新讀寫功能的檢測是有順序的，也就是說是有優(yōu)先級的，刷新比較重要，不立即數(shù)據(jù)就會丟失，所有首先檢測刷新動作，相對來說讀寫并沒有比較明顯的區(qū)別，本案例讀的優(yōu)先級比寫的優(yōu)先級高。

　　
圖12 邏輯控制部分流程圖

　　2、 FPGA與VDSD3G48的硬件連接

　　
FPGA與VDSD3G48硬件連接圖

　　如圖所示，F(xiàn)PGA輸入CLKIN時鐘和RESET復(fù)位信號，其中復(fù)位信號能夠復(fù)位鎖相環(huán)PLL和SDRAM控制器，時鐘輸入經(jīng)過PLL倍頻之后一路送給SDRAM控制器，另一路送給輸出送給VDSD3G48。FPGA的SDRAM_ADDR[12:0]、SDRAM_BA[1:0]、SDRAM_CS[6:1]、SDRAM_CKE、SDRAM_CAS、SDRAM_RAS、SDRAM_WE、SDRAM_DQ[47:0]、SDRAM_DQMH[3:0]、SDRAM_DQML[3:1]分別與VDSD3G48的ADDR[12:0]、BA[1:0]、CS[6:1]、CKE、#CAS、#RAS、#WE、DQ[47:0]、DQMH[3:1]和DQML[3:1]相連。

　　結(jié) 語

　　對于同步隨機(jī)動態(tài)存取存儲器(SDRAM)堆疊而成的立體封裝的大容量存儲芯片VDSD3G48，要進(jìn)行初始化和刷新操作才能保證訪問的正確性。同時基于SDRAM芯片立體封裝存儲器縮短了內(nèi)部信號連接長度、減少了寄生效應(yīng)，增強(qiáng)了抗干擾能力，可廣泛用于車輛、衛(wèi)星、飛機(jī)和空間站等領(lǐng)域。