三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

　　全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。

　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高，但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。

　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推出基于三維V-NAND的固態(tài)硬盤之后，此次則開始進(jìn)入高端電腦市場(chǎng)，從而進(jìn)一步擴(kuò)大了V-NAND產(chǎn)品的市場(chǎng)份額。

　　三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營(yíng)銷部門負(fù)責(zé)人全永鉉副總裁表示：“通過(guò)推出覆蓋數(shù)據(jù)中心和高端電腦市場(chǎng)的一系列V-NAND固態(tài)硬盤產(chǎn)品，我們進(jìn)一步拓展了三維V-NAND產(chǎn)品的用途。而今后也將繼續(xù)為全球的IT用戶及時(shí)地提供穩(wěn)定，高性能和高密度的V-NAND固態(tài)硬盤和芯片，以促進(jìn)市場(chǎng)快速采用三維NAND閃存技術(shù)。”

　　與采用MLC架構(gòu)的平面NAND閃存芯片相比，使用三維V-NAND芯片的新一代固態(tài)硬盤不僅使用壽命提高一倍，而且功耗也降低20%。而預(yù)計(jì)今年下半年，三星電子更將繼續(xù)推出更多基于第二代三維V-NAND的高端固態(tài)硬盤，以更高的穩(wěn)定性和密度滿足客戶的多種需求。

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner近日發(fā)布的研究報(bào)告，到2017年，世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從755億美元增長(zhǎng)到797億美元。屆時(shí)，NAND閃存所占的份額將會(huì)過(guò)半，達(dá)到446億美元。