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EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand閃存

SK海力士開始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存

  • 2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應(yīng)于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應(yīng)對市場需求?！惫驹诖舜萎a(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程，隨后經(jīng)
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美光宣布量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的?SSD?產(chǎn)品已開始出貨，成為業(yè)界首家實現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。美光?G9 NAND?技術(shù)具備高達(dá)?3.6 GB/s?的數(shù)據(jù)傳輸速率，提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫帶寬。該項?NAND?新技術(shù)為人工智能（AI）及其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景帶來出色的性能，適用于個人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁?Scott DeBoer?表
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鎧俠提升 NAND 閃存產(chǎn)能利用率，群聯(lián) CEO 潘建成樂見原廠增產(chǎn)

  • IT之家 3 月 5 日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道，在鎧俠提升 NAND 產(chǎn)能的消息傳出后，兩家下游廠商群聯(lián)和威剛的高管分別就此表達(dá)自身看法。根據(jù)之前報道，鎧俠表示將重新審視 NAND 閃存減產(chǎn)策略，本月內(nèi)將開工率提升至 90%。群聯(lián)執(zhí)行長（CEO）潘建成表示群聯(lián)目前仍處于缺貨狀態(tài)，如果 NAND 閃存原廠可以合理價格提供穩(wěn)定供貨，對群聯(lián)算是好事。此外原廠擴(kuò)產(chǎn)可幫助 NAND 市場恢復(fù)秩序：閃存價格若持續(xù)上漲將影響下游廠商需求，而原廠產(chǎn)能提升可平抑價格。對各下游廠商而言，現(xiàn)有的低價 NAND
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三星計劃明年初量產(chǎn)超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱層數(shù)業(yè)內(nèi)最多

  • IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應(yīng)商，對其 V-NAND（即三星稱之為的 3D NAND）的發(fā)展有著宏大的計劃，本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實，其正在按計劃生產(chǎn)擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內(nèi)層數(shù)最多的 3D NAND?！暗诰糯?V-NAND 基于雙層結(jié)構(gòu)，層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平，明年初將開始量產(chǎn)。”三星電子總裁兼存儲器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫道。IT之家注意到，8 月份就有消息稱，三
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SK海力士接盤英特爾閃存 韓廠商占存儲芯片半壁江山

  • 半導(dǎo)體并購再起　　2020年以來，半導(dǎo)體的重磅收購不斷，10月20日，SK海力士和英特爾官宣，SK海力士將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件和晶圓業(yè)務(wù)、以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠，不過，英特爾將保留傲騰(Optane)的存儲業(yè)務(wù)。　　SK海力士在聲明中表示，SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD（固態(tài)硬盤）業(yè)務(wù)(包括NAND
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威剛：閃存內(nèi)存現(xiàn)貨價已于6月見底 合約價本月見底

  • NAND閃存價格連跌6個季度、DRAM內(nèi)存價格連跌3個季度，這本來是下游廠商以及消費者期盼已久的，畢竟2016到2018年間內(nèi)存、閃存芯片幾乎漲了2年，讓消費者吃夠了漲價的苦頭了。
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長江存儲今年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

  • 紫光集團(tuán)旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會（CITE2019）上展示了企業(yè)級P8260硬盤，使用的就是長江存儲的32層3D NAND閃存。長江存儲并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計劃進(jìn)展順利，沒有任何障礙。
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簡析：固態(tài)硬盤（SSD）相關(guān)概念

  • 簡析：固態(tài)硬盤（SSD）相關(guān)概念-目前閃存在企業(yè)級應(yīng)用也越來越多，包括混合閃存陣列以及全閃存陣列全面上市，而且Gartner機(jī)構(gòu)預(yù)測，未來幾年閃存會有很大的發(fā)展。這里提的閃存概念是SSD概念，即固態(tài)硬盤，而固態(tài)硬盤是由多個NAND閃存芯片組成的。采用FLASH芯片作為存儲介質(zhì)，這也是我們通常所說的SSD。這種SSD 固態(tài)硬盤最大的優(yōu)點就是可以移動，而且數(shù)據(jù)保護(hù)不受電源控制，能適應(yīng)于各種環(huán)境。
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內(nèi)存顆粒漲價狂潮，來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)

  • 內(nèi)存顆粒漲價狂潮，來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)-2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性，并且在兩個母公司強(qiáng)大的IP庫支持下，IMFT在同一年推出的第一個產(chǎn)品就讓市場深受震動。
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第三季度NAND閃存市場不樂觀

  • NAND閃存的平均銷售價格在2013上半年一路上漲，但是第三季度的市場卻不容樂觀，由于庫存的壓力，平均售價在下半年預(yù)計會下挫，廠商們應(yīng)該持有一個
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

  • 　　全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 　　三星電子存儲芯片營銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數(shù)據(jù)存儲設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場競爭力，進(jìn)一步推動三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展?！? 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

  • 　　全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。 　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲單元的設(shè)計難度更高，但是因為可以直接使用生產(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。 　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
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追夢中國集成電路

  • 《中國電子報—電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)》自6月初開始發(fā)表了《中國IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解述評》系列文章，到7月底已連續(xù)發(fā)了7篇。
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ST閃存技術(shù)解析

  • 前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲器，這...
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關(guān)于Micron和Intel 20nm 64-Gbit MLC NAND閃存的深度探究

  • NAND閃存在半導(dǎo)體市場上的成功主要得益于手機(jī)和平板電腦市場的持續(xù)迅猛發(fā)展以及高性能固態(tài)硬盤(SSDs)取代硬盤驅(qū)動器的廣泛應(yīng)用。美光與英特爾去年共同宣布，通過20 nm制造工藝技術(shù)結(jié)合突破性的單元架構(gòu)概念，可以制造出僅由一組簡單芯片組成的TB容量NAND閃存。
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v-nand閃存介紹

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