新型電機驅(qū)動器EB01
1 主要特點
本文引用地址:http://2s4d.com/article/244613.htmEB01是APEX公司推出的一種新型電機驅(qū)動器,它內(nèi)含三個獨立的帶驅(qū)動器的IGBT半橋,該驅(qū)動器很容易和CMOS或HCMOS邏輯電平接口,非常適合于基于數(shù)字或DSP控制的電機驅(qū)動系統(tǒng)。其主要特點如下:
●兼容PWM的頻率高達30kHz;
●電機電壓控制范圍為50~500V;
●連續(xù)輸出電流為20A;
●具有HCMOS兼容的施密特觸發(fā)邏輯輸入;
●對于負電流傳感,設(shè)有獨立的發(fā)射極輸出;
●帶有休眠模式;
●具有很寬的門驅(qū)動電壓及邏輯電源電壓。
EB01主要用于數(shù)字控制的大功率電路。如有刷電機驅(qū)動的三軸向位移、三相無刷直流電機的驅(qū)動、三相交流電機的驅(qū)動以及三相步進電機的驅(qū)動等。
2 引腳說明及器件參數(shù)
2.1 引腳說明
圖1所示是EB01電機驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳排列。各引腳的功能說明如表1所列。
表1 引腳(信號)功能
管 腳 | 符 號 | 功 能 | 管 腳 | 符 號 | 功 能 |
1 | Vcc3 | 門電源3 | 13 | HV1 | 高電源電壓1 |
2 | Lin3 | 代驅(qū)動邏輯輸入3 | 14 | OUT1 | 部分1輸出 |
3 | Hin3 | 高驅(qū)動邏輯輸入3 | 15 | E1 | 部分1發(fā)射極 |
4 | Vdd | 邏輯 | 16 | HVRTN1 | 部分1地 |
5 | Vcc2 | 門電源2 | 17 | HV2 | 高電源電壓2 |
6 | Lin2 | 低驅(qū)動邏輯輸入2 | 18 | OUT2 | 部分2輸出 |
7 | Vss | 邏輯地 | 19 | E2 | 部分2發(fā)射極 |
8 | Hin2 | 高驅(qū)動邏輯輸入2 | 20 | HVREN2 | 部分2地 |
9 | Vcc1 | 門電源1 | 21 | HV3 | 高電源電壓3 |
10 | Lin1 | 低驅(qū)動邏輯輸入1 | 22 | OUT3 | 部分3輸出 |
11 | SD | 關(guān)斷邏輯輸入 | 23 | E3 | 部分3發(fā)射極 |
12 | Hin1 | 高驅(qū)動邏輯輸入1 | 24 | HVRTN3 | 部分3地 |
2.2 參數(shù)
EB01的主要參數(shù)如下:
●高電源電壓HV:50~500V;
●輸出電流:脈沖電流為28A;
連續(xù)電流為20A;
●驅(qū)動電源電壓VDD:10~20V;
邏輯電源電壓Vdd:4.5~20V;
●邏輯輸入電壓:-0.3~+0.3V;
●內(nèi)部功耗:179W;
●管殼熱阻:2.1℃/W;
●焊接溫度(10s):300℃;
●結(jié)點溫度:150℃;
●貯存溫度范圍:-65~150℃;
●工作溫度范圍為:-25~85℃。
3 設(shè)計說明
3.1 輸入
EB01的每個邏輯電平輸入分別用于控制各自半橋的IGBT,高電平時打開IBGT,低電平時關(guān)斷IGBT。當EB01的SD端為高電平時,將關(guān)斷所有的IGBT。
EB01的所有輸入均為施密特觸發(fā)電路,高閾值為2Vdd/3。由于邏輯電路和EB01的VDD是相同的,因此,EB01和CMOS或HCMOS的接口非常方便。
如果在TTL電路的邏輯電源上加一上位電阻,也可用來驅(qū)動EB01,這樣,EB01的Vdd和TTL門電路的邏輯電源也是一致的。所有輸入端的輸入阻抗均為50kΩ,因此,如果一個輸入開路,那么將會產(chǎn)生一個很高的射頻噪音并打開一個IGBT。
3.2 輸出
EB01的每一部分輸出均由一個并關(guān)模式的IGBT半橋組成,以對每一部分提供獨立的HV電源、發(fā)射極和HV地線。
IGBT的額定電流日20A。飽和電壓日2.7V。
每個IGBT都反向并聯(lián)一個高速二極管。在用于開、關(guān)感性負載時,這個二極管會導通,電流為20A時,其導通壓降為2.7V。
3.3 接地和旁路
在任何大功率的PWM系統(tǒng)中,接地和旁路都是非常重要的。由于EB01在100ns的上升和下降時間里可產(chǎn)生20kW的脈沖,因此,不正確的接地和旁路會引起嚴重的傳導和輻射電磁干擾。
為了減小傳導EMI,EB01提供了獨立的電源地,名稱為HVRTH。它和邏輯地互相隔離,這種隔離消除了大電流回路地。但是,在地線間高于5V的偏置電壓會破壞EB01的正常工作。因此,設(shè)計時不可在邏輯地和電源地之間連接背對背的大電流二極管。這不僅可實現(xiàn)地線間的距離,同時也可使偏置電壓保持在安全范圍內(nèi)。另外,系統(tǒng)中所有地均應(yīng)在一點連接。
為了減小輻射EMI,可在HV和HVRTV間接一個400μF或更大的電容。這個電容應(yīng)是具有ESR的高頻高解電容,頻率應(yīng)高達20kHz,并應(yīng)盡可能靠近EB01安裝。同時,還應(yīng)用一個低ESR的1μF或更大點的陶瓷電容旁路。
為了減小輻射噪音,必須減小回路高頻電流的面積,因此應(yīng)在每個HV和HVRTN間旁路一個1μF的陶瓷電路。
3.4 短路保護
IGBT的打開延時很短中,關(guān)斷延時卻很長。與別的半導體器件不同的是,它的關(guān)斷延時不能通過電路的設(shè)計而改善。因此,如果打開半橋電路的一個IGBT輸入,同時關(guān)斷此半橋的另一個IGBT,那么,就會有一段時間差,此時如果兩個IGBT均打開就會短路掉IGBT電源,這將引起很高的功耗和電磁干擾。為了避免這種干擾,在打開一個IGBT時就必須延長至另一個IGBT被關(guān)斷后。EB01至少需要1.5μs的延遲。也就是說,相同半橋的Hin被打開必須位于Lin被關(guān)斷延時1.5μs之后。
3.5 SD端的使用
由于FB01在SD端為邏輯“1”時將關(guān)斷所有的IGBT,因此利用這個輸入端可在設(shè)計溫度傳感或電流傳感電路時,使其在檢測到不安全的因素及在正常輸入邏輯或DSP編程出錯時關(guān)斷IGBT。
3.6 起動
由于相同的邏輯輸入必須是在SD端變低1μs后才有效。因此,為了打開IGBT,應(yīng)在高邊的IGBT被打開前,先打開相同半橋低邊的IGBT至少2μs以給自舉電容充電。但是,如果輸出通過負載接地,那么,正電源端的IGBT在打開時應(yīng)無需首先打開負電源端的IGBT。
3.7 散熱
EB01必須安裝足夠的散熱器以耗散掉179W的功率,從而保持25℃的管殼溫度,以使EB01的三部分以最大電流正常工作在500V、20A、30kHz的情況下。EB01的功耗主要由傳導功耗(每半橋54W)和開關(guān)功耗(每半橋4W)所組成。傳導功耗和Iout成正比;開關(guān)功耗和HV電源電壓以及開關(guān)頻率成正比。
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