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一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

作者: 時間:2014-01-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA等移動設(shè)備的普及,對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型由于具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、低噪聲、小尺寸等特點,在便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛應(yīng)用。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/227098.htm

在便攜式電子產(chǎn)品中,電源效率越高意味著電池使用時間越長,而效率=輸出電壓×輸出電流/輸入電壓×輸入電流×100%,因此,輸入與輸出電壓差越低、靜態(tài)電流(輸入電流與輸出電流之差)就越低,的工作效率就越高。

本文設(shè)計的低壓差線性穩(wěn)壓器其輸出電壓為2.5V或輸出可調(diào),滿足當(dāng)負(fù)載為1mA時,最小輸入輸出壓差為0.4mV,當(dāng)負(fù)載為300mA時,壓差為120mV,電源電壓工作范圍為2.5~6V。

電路結(jié)構(gòu)與工作原理

低壓差線性穩(wěn)壓器的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,電路由調(diào)整管,帶隙基準(zhǔn)電壓、誤差放大器、快速啟動、過流限制、過熱保護(hù)、故障檢測、及取樣電阻網(wǎng)絡(luò)等模塊組成,并具有使能、輸出可調(diào)等功能。調(diào)整管作為壓差的負(fù)載器件,要滿足本設(shè)計的要求,對于它的選擇需重點考慮:首先比較三極管和MOS管,由于三極管是流控器件,而MOS管是壓控器件,比較而言MOS管結(jié)構(gòu)的靜態(tài)電流更低。其次,NMOS管工作時需一比輸出電壓高的驅(qū)動信號,而PMOS管則無此需求,特別在低輸入電壓時要產(chǎn)生一高的驅(qū)動電壓變得較困難。因此,本文采用PMOS管作為調(diào)整管。

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

圖1低壓差線性穩(wěn)壓器電路結(jié)構(gòu)

電路的工作原理是:在電路上電過程中,快速啟動電路內(nèi)有一個500μA的電流源的對CC端的旁路電容C充電,使電路盡快上電啟動,誤差運放的同相端經(jīng)由取樣電阻R1、R2對輸出電壓V0采樣,再與Vref比較后輸出放大信號,控制調(diào)整PMOS管的柵極電壓,使輸出電壓V0保持穩(wěn)定,即:

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

電路在工作過程中出現(xiàn)過流、過熱情況時,過流限制與過熱保護(hù)電路會快速響應(yīng),調(diào)整管的導(dǎo)通狀態(tài)會被減弱、關(guān)斷,保護(hù)電路不致?lián)p壞,同時故障檢測電路會產(chǎn)生一個低電平信號。使能端接高電平時電路正常工作;當(dāng)使能端為低電平時,基準(zhǔn)電路及調(diào)整PMOS管關(guān)斷,電路處于等待狀態(tài)。

關(guān)鍵特性分析及設(shè)計考慮

1、漏失電壓(VDO)和靜態(tài)電流(Iq)

漏失電壓定義為維持穩(wěn)壓器正常工作的最小輸入輸出電壓差,它是反映調(diào)整管調(diào)整能力的一個重要因素。對采用PMOS管作調(diào)整管的電路,漏失電壓由導(dǎo)通電阻(Ron)和負(fù)載電流(Io)確定,即: VDO = Io×Ron.低壓差線性穩(wěn)壓器的靜態(tài)電流為輸入電流與輸出電流之差,即: Iq = Ii -Io.靜態(tài)電流由偏置電流和調(diào)整管的柵極驅(qū)動電流組成。對PMOS調(diào)整管而言,柵極由電壓驅(qū)動,幾乎不產(chǎn)生功耗。在穩(wěn)壓器承載小負(fù)載或空載時,漏失電壓極低,靜態(tài)電流等于穩(wěn)壓器工作時的總偏置電流。設(shè)計時注意使PMOS調(diào)整管的導(dǎo)通電阻和漏電流盡可能做小,各模塊電路在小電流狀態(tài)下能正常工作。

2、功耗( Pw)和效率(η)

低壓差線性穩(wěn)壓器的功耗為輸入能量與輸出能量之差,即:

PW = VI II - VO IO = ( VI - VO) IO + VI Iq

上式中,前一項是調(diào)整管產(chǎn)生的功耗,后一項是靜態(tài)電流功耗。穩(wěn)壓器效率如前所述可表示為:

η= IO VO / ( IO + Iq ) VI×100 %

功耗與效率的表達(dá)式充分說明對于低壓差線性穩(wěn)壓器,低漏失電壓、低靜態(tài)電流意味著低功耗、高效率。

3、負(fù)載調(diào)整能力和電壓調(diào)整能力

負(fù)載調(diào)整能力指當(dāng)輸出電流變化時,輸出電壓維持一定值的能力,定義為:ΔVO /ΔIO,它表征了負(fù)載變化而穩(wěn)壓器維持輸出在標(biāo)稱值上的能力,該值越小越好。電壓調(diào)整能力指當(dāng)輸入電壓變化時,輸出電壓維持一定值的能力,定義為:ΔVO /ΔVI,它表征了輸入電壓變化而穩(wěn)壓器維持輸出在標(biāo)稱值上的能力,該值也是越小越好。對圖1的電路結(jié)構(gòu)其負(fù)載調(diào)整能力和電壓調(diào)整能力分別為:

一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案

其中g(shù)m為調(diào)整管的跨導(dǎo);Aod為誤差放大器的開環(huán)差模增益;Rds為調(diào)整管源漏間的等效電阻;RL為負(fù)載電阻;R1、R2為取樣電阻。由上式可見,減小ΔVO÷ΔIO和ΔVO÷ΔVI的關(guān)鍵是盡可能增大gm和Aod.


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關(guān)鍵詞: CMOS 線性穩(wěn)壓器

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