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預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET控制功率負(fù)載的電路設(shè)計(jì)

作者： 時(shí)間：2014-01-17 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
cursor: pointer; text-decoration: none; ">MOSFET燒壞。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/226831.htm

預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET控制功率負(fù)載的電路設(shè)計(jì)

占空比D=45/10000=0.045;

根據(jù)圖2 所示， 選擇SINGLE PULSE的曲線來計(jì)算。

預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET控制功率負(fù)載的電路設(shè)計(jì)

總結(jié)：隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)器將在汽車電子模塊應(yīng)用中占主要地位，那么預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的解決方案也將成為設(shè)計(jì)師所更關(guān)注的一種驅(qū)動(dòng)方式，正確地運(yùn)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET可以使我們汽車電子的產(chǎn)品不斷進(jìn)步。
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