非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
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圖14：因遷移率增強(qiáng)，驅(qū)動電流增強(qiáng)及作為Lg應(yīng)變硅函數(shù)之一的Rsd/Rch加速了Rsd/Rch的增長，導(dǎo)致返回的驅(qū)動電流逐漸減小。
本文小結(jié)
我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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