什么是光電效應(yīng)
光電效應(yīng)簡介
光照射到某些物質(zhì)上,引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化。這類光致電變的現(xiàn)象被人們統(tǒng)稱為光電效應(yīng)。
金屬表面在光輻照作用下發(fā)射電子的效應(yīng),發(fā)射出來的電子叫做光電子。光波長小于某一臨界值時方能發(fā)射電子,即極限波長,對應(yīng)的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決于金屬材料,而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而與光強度無關(guān),這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾,即光電效應(yīng)的瞬時性,按波動性理論,如果入射光較弱,照射的時間要長一些,金屬中的電子才能積累住足夠的能量,飛出金屬表面??墒聦嵤?,只要光的頻率高于金屬的極限頻率,光的亮度無論強弱,光子的產(chǎn)生都幾乎是瞬時的,不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關(guān)的嚴格規(guī)定的能量單位(即光子或光量子)所組成。這種解釋為愛因斯坦所提出。光電效應(yīng)由德國物理學(xué)家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn),對發(fā)展量子理論起了根本性作用,在光的照射下,使物體中的電子脫出的現(xiàn)象叫做光電效應(yīng)(Photoelectric effect)。 光電效應(yīng)分為光電子發(fā)射、光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏打效應(yīng)。前一種現(xiàn)象發(fā)生在物體表面,又稱外光電效應(yīng)。后兩種現(xiàn)象發(fā)生在物體內(nèi)部,稱為內(nèi)光電效應(yīng)。
光電效應(yīng)里,電子的射出方向不是完全定向的,只是大部分都垂直于金屬表面射出,與光照方向無關(guān) ,光是電磁波,但是光是高頻震蕩的正交電磁場,振幅很小,不會對電子射出方向產(chǎn)生影響.
光電效應(yīng)英文解釋∶Photoelectric effect
光電效應(yīng)說明
光電效應(yīng)的實驗規(guī)律。
a.陰極(發(fā)射光電子的金屬材料)發(fā)射的光電子束和照射發(fā)光強度成正比。
b.光電子脫出物體時的初速度和照射光的頻率有關(guān)而和發(fā)光強度無關(guān)。這就是說,光電子的初動能只和照射光的頻率有關(guān)而和發(fā)光強度無關(guān)。
c.僅當照射物體的光頻率不小于某個確定值時,物體才能發(fā)出光電子,這個頻率叫做極限頻率(或叫做截止頻率),相應(yīng)的波長λ。叫做紅限波長。不同物質(zhì)的極限頻率”。和相應(yīng)的紅限波長λ。是不同的。
愛因斯坦方程
hυ=(1/2)mv^2+I+W 式中(1/2)mv^2是脫出物體的光電子的初動能。 金屬內(nèi)部有大量的自由電子,這是金屬的特征,因而對于金屬來說,I項可以略去,愛因斯坦方程成為 hυ=(1/2)mv^2+W 假如hυW,電子就不能脫出金屬的表面。對于一定的金屬,產(chǎn)生光電效應(yīng)的最小光頻率(極限頻率) υ0。由 hυ0=W確定。相應(yīng)的極限波長為 λ0=C/υ0=hc/W。 發(fā)光強度增加使照射到物體上的光子的數(shù)量增加,因而發(fā)射的光電子數(shù)和照射光的強度成正比。 ③利用光電效應(yīng)可制造光電倍增管。光電倍增管能將一次次閃光轉(zhuǎn)換成一個個放大了的電脈沖,然后送到電子線路去,記錄下來。算式在以愛因斯坦方式量化分析光電效應(yīng)時使用以下算式: 光子能量 = 移出一個電子所需的能量 + 被發(fā)射的電子的動能 代數(shù)形式: hf=φ+Em φ=hf0 Em=(1/2)mv^2 其中 h是普朗克常數(shù),h = 6.63 ×10^-34 J·s, f是入射光子的頻率, φ是功函數(shù),從原子鍵結(jié)中移出一個電子所需的最小能量, f0是光電效應(yīng)發(fā)生的閥值頻率, Em是被射出的電子的最大動能, m是被發(fā)射電子的靜止質(zhì)量, v是被發(fā)射電子的速度, 注:如果光子的能量(hf)不大于功函數(shù)(φ),就不會有電子射出。功函數(shù)有時又以W標記。 這個算式與觀察不符時(即沒有射出電子或電子動能小于預(yù)期),可能是因為系統(tǒng)沒有完全的效率,某些能量變成熱能或輻射而失去了。 愛因斯坦因成功解釋了光電效應(yīng)而獲得1921年諾貝爾物理學(xué)獎 。
光電效應(yīng)的分類:
外光電效應(yīng)和內(nèi)光電效應(yīng)。
外光電效應(yīng)
在光的作用下,物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象叫做外光電效應(yīng)。
1887年,首先是赫茲(M.Hertz)在證明波動理論實驗中首次發(fā)現(xiàn)的;
1902年,勒納(Lenard)也對其進行了研究,指出光電效應(yīng)是金屬中的電子吸收了入射光的能量而從表面逸出的現(xiàn)象。但無法根據(jù)當時的理論加以解釋 ;
1905年,愛因斯坦提出了光子假設(shè)。
愛因斯坦光電效應(yīng)方程:
1.光電子能否產(chǎn)生,取決于光子的能量是否大于該物體的表面電子逸出功A。
2.? 一定時,產(chǎn)生的光電流和光強成正比。
3.逸出的光電子具有動能。
基于外光電效應(yīng)的光電器件有光電管、光電倍增管。
內(nèi)光電效應(yīng)
當光照在物體上,使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化,或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象。分為光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)(光伏效應(yīng))。
1 光電導(dǎo)效應(yīng)
在光線作用下,電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài),而引起材料電導(dǎo)率的變化。
當光照射到光電導(dǎo)體上時,若這個光電導(dǎo)體為本征半導(dǎo)體材料,且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導(dǎo)帶上去,使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大。
基于這種效應(yīng)的光電器件有光敏電阻。
光敏電阻工作原理圖
2.光生伏特效應(yīng):在光作用下能使物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象?;谠撔?yīng)的器件有光電池和光敏二極管、三極管。
① 勢壘效應(yīng)(結(jié)光電效應(yīng))
光照射PN結(jié)時,若h?≧Eg,使價帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶,而產(chǎn)生電子空穴對,在阻擋層內(nèi)電場的作用下,電子偏向N區(qū)外側(cè),空穴偏向P區(qū)外側(cè),使P區(qū)帶正電,N區(qū)帶負電,形成光生電動勢。
②側(cè)向光電效應(yīng)
當半導(dǎo)體光電器件受光照不均勻時,光照部分產(chǎn)生電子空穴對,載流子濃度比未受光照部分的大,出現(xiàn)了載流子濃度梯度,引起載流子擴散,如果電子比空穴擴散得快,導(dǎo)致光照部分帶正電,未照部分帶負電,從而產(chǎn)生電動勢,即為側(cè)向光電效應(yīng)。
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