AT93C46/56/55串行EEPROM及單片機程序
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摘要：AT93C46/56/66是Atmel公司生產的低功耗、低電壓、電可擦除、可編程只讀存儲器，采用CMOS工藝技術制造并帶有３線串行接口，其容量分別為1kB/4kB，可重復寫100萬次，數據可保存100年以上。文中介紹了該存儲器的引腳功能和指令時序，給出了AT93C46/56/66和單片機的接口應用電路和軟件程序。 關鍵詞：EEPROM 存儲器 接口應用 程序 AT93C46/56/66 １６位單片機以其適于高速控制場合及功能多等優(yōu)點已在工業(yè)控制領域中占領了一定的市場。由于ＥＥＰＲＯＭ能在不脫離系統(tǒng)的情況下修改其存儲單元中的內容，故在１６位單片機中的應用愈來愈廣泛。本文結合１６位機的特點，詳細介紹ＡＴ９３系列ＥＥＰＲＯＭ及其使用方法。 ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６是ＡＴＭＥＬ公司推出的低功耗、低電壓電可擦除的可編程只讀存儲器。它采用ＣＭＯＳ技術和Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ 公司的Ｍｉ-ｃｒｏＷｉｒｅ工業(yè)標準３線串行接口，具有１ｋＢ／２ｋＢ／４ｋＢ的容量，并可通過ＯＲＧ管腳配置成１２８８／２５６８／５１２８或６４１６／１２８１６／２５６１６等結構。該系列存儲器可靠性高，能夠重復寫１００萬次，數據可以保存１００年不丟失；采用８腳ＰＤＩＰ／ＳＯＩＣ封裝和１４腳ＳＯＩ封裝（ＳＯＩ封裝為ＪＥＤＥＣ和ＥＩＡＪ標準），與并行的ＥＥＰＲＯＭ相比，ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６可大大節(jié)省印制板空間，且接線簡單，因而在多功能的精密測試儀中具有廣闊的前途。 ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６存儲器芯片的引腳排列如圖１所示。各引腳的功能如下： ＣＳ：片選信號。高電平有效，低電平時進入等待模式。在連續(xù)的指令之間，ＣＳ信號必須持續(xù)至少２５０ｎｓ的低電平，才能保證芯片正常工作。 ＣＬＫ：串行時鐘信號。在ＣＬＫ的上升沿，操作碼、地址和數據位進入器件或從器件輸出。在發(fā)送序列時，ＣＬＫ最好不停止，以防止讀／寫數據的錯誤。 ＤＩ：串行數據輸入。可在ＣＬＫ的同步下輸入開始位、操作碼、地址位和數據位。 ＤＯ：串行數據輸出。在ＣＬＫ同步下讀周期時，用于輸出數據；而在地址擦／寫周期或芯片擦／寫周期時，該端用于提供忙／閑信息。 ＶＳＳ：接地。 ＶＣＣ：接＋５Ｖ電源。 ＯＲＧ：存貯器構造配置端。該端接ＶＣＣ或懸空時，輸出為１６位；接ＧＮＤ時，輸出為８位。 ＮＣ：空腳，不連接。
表中，93C46 n=6;93C56n=7; 93C66n=8 ２ 指令及時序 ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６的指令如表１所列，各指令的具體含義如下： （１）擦／寫允許指令（ＥＷＥＮ） 由于在上電復位后?ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６首先將處于擦／寫不允許狀態(tài)。故該指令必須在所有編程模式前執(zhí)行，一旦該指令執(zhí)行后，只要外部沒有斷電就可以對芯片進行編程。 （２）地址擦指令（ＥＲＡＳＥ） 該指令用于強迫指定地址中所有數據位都為“１”。一旦信息在ＤＩ端上被譯碼，就需使ＣＳ信號保持至少２５０ｎｓ的低電平，然后將ＣＳ置為高電平，這時，ＤＯ端就會指示“忙”標志。ＤＯ為“０”，表示編程正在進行；ＤＯ為“１”，表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執(zhí)行下一條指令。 （３）地址寫指令（ＷＲＩＴＥ） 寫指令時，先寫地址，然后將１６位的?或８位?數據寫入到指定地址中。當ＤＩ端輸出最后一個數據位后，在ＣＬＫ時鐘的下一個上升沿以前，ＣＳ必須為低，且需至少保持２５０ｎｓ，然后將ＣＳ置為高電平。需要說明的是：寫周期時，每寫一個字節(jié)需耗時４ｍｓ。 （４）地址讀指令（ＲＥＡＤ） 讀指令用于從指定的單元中把數據從高位到低位輸出至ＤＯ端，但邏輯“０”位先于數據位輸出。讀指令在ＣＬＫ的上升沿觸發(fā)，且需經過一段時間方可穩(wěn)定。為防止出錯，建議在讀指令結束后，再輸出２～３個ＣＬＫ脈沖。 （５）芯片擦指令（ＥＲＡＬ） 該指令可將整個存貯器陣列置為１，其它功能與地址擦指令相同。 （６）芯片寫指令?ＷＲＡＬ? 該指令可將命令中指定的數據寫入整個存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。該指令周期所花費時間的最大值為３０ｍｓ。 （７）擦／寫禁止指令（ＥＷＤＳ） 使用該指令可對寫入的數據進行保護，操作步驟與擦／寫允許指令相同。 ３．１ ＡＴ９３Ｃ５６與８０Ｃ１９６ＫＢ的連接 串行ＥＥＰＲＯＭ芯片ＡＴ９３Ｃ５６同８０Ｃ１９６單片機接口的硬件電路連接方法如圖２所示。圖中，由于ＭＣＳ－９６系列１６位單片機的Ｐ１口為準雙向口，因此，為了防止數據錯位，在向其Ｐ１口寫數據時，必須先將Ｐ１口置“１”。 ３．２ 軟件編程 該讀／寫程序采用ＰＬ／Ｍ語言編寫，由于ＰＬ／Ｍ語言介于高級語言與匯編語言之間，故其對數據、地址位的處理比較繁瑣。其中ＡＤＤＲ為指定的地址單元，ＤＡＴＡ為寫入的數據，在寫數據、地址時均從高位開始。本程序已在仿真器上調試通過。且已被應用于電量測試儀中（如接觸電阻測試儀）。 ＤＥＣＬＡＲＥ ＳＥＴＣＳ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ?． ＩＯ-ＰＯＲＴ２，０?′； ＤＥＣＬＡＲＥ ＣＬＲＣＳ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＣＬＲ?． ＩＯＰＯＲＴ２，０?′； ＤＥＣＬＡＲＥ ＳＥＴＣＬＫ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ?． ＩＯＰＯＲＴ２，５?′； ＤＥＣＬＡＲＥ ＣＬＲＣＬＫ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＣＬＲ?． ＩＯＰＯＲＴ２，５?′； ＤＥＣＬＡＲＥ ＳＥＴＤＩ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ?． ＩＯ-ＰＯＲＴ１，５?′； ＤＥＣＬＡＲＥ ＣＬＲＤＩ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＣＬＲ?． ＩＯＰＯＲＴ１，５?′； ＥＷＥＮ：ＰＲＯＣＥＤＵＲＥ ＰＵＢＬＩＣ； ＤＥＣＬＡＲＥ Ｉ ＢＹＴＥ； ＣＬＲＣＳ； ＣＬＲＤＩ； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＳ； ＳＥＴＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＤＯ Ｉ＝１ ＴＯ ２； ＣＬＲＣＬＫ； ＣＬＲＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＤＯ Ｉ＝１ ＴＯ ２； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＤＯ Ｉ ＝ ０ ＴＯ ６； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＣＬＲＣＬＫ； ＣＬＲＣＳ； ＳＥＴＣＳ； ＳＥＴＣＬＫ； ＣＬＲＣＬＫ； ＥＮＤ ＥＷＥＮ； ＲＥＡＤ：ＰＲＯＣＥＤＵＲＥ（ＡＤＤＲ） ＰＵＢＬＩＣ； ＤＥＣＬＡＲＥ （ＡＤＤＲ，Ｉ，ＣＯＵＮＴ） ＢＹＴＥ； ＣＬＲＣＳ； ＣＬＲＤＩ； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＳ； ＤＯ Ｉ＝ １ ＴＯ ２； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＤＯ Ｉ ＝１ ＴＯ ２； ＣＬＲＣＬＫ； ＣＬＲＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＤＯ ＣＯＵＮＴ＝１ ＴＯ ７； ＢＩＴＯＵＴ（ＣＯＵＮＴ）＝ＳＨＲ（ＢＩＴＯＵＴ（ＣＯＵＮＴ），１）； ＥＮＤ； ＣＬＲＣＳ； ＣＬＲＤＩ； ＣＬＲＣＬＫ； ＣＡＬＬ ＴＩＭＥ（１００）； ＳＥＴＣＳ； ＣＬＲＣ； ＥＮＤ ＲＥＡＤ； ＷＲＩＴＥ： ＰＲＯＣＥＤＵＲＥ（ＡＤＤＲ，ＤＡＴＡ） ＰＵＢＬＩＣ； ＤＥＣＬＡＲＥ （ＡＤＤＲ，ＤＡＴＡ） ＢＹＴＥ； ＣＬＲＣＳ； ＣＬＲＤＩ； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＳ； ＳＥＴＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＣＬＲＤＩ； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＬＫ； ＳＥＴＤＩ； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＤＯ Ｉ ＝－１ ＴＯ ８； Ｘ＝ＲＯＬ（ＡＤＤＲ，１）； ＡＤＤＲ＝Ｘ； ＣＬＲＣＬＫ； ＩＦ （（Ｘ ＡＮＤ ０１Ｈ）＝０１Ｈ）ＴＨＥＮ ＳＥＴＤＩ； ＥＬＳＥ ＣＬＲＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＤＯ Ｉ ＝１ ＴＯ ７； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＤＯ Ｉ ＝１ ＴＯ ８? ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ（．ＩＯＰＯＲＴ１，７）； ＣＯＵＮＴ＝ＣＯＵＮＴ－１； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＬＫ； ＢＩＴＯＵＴ（ＣＯＵＮＴ）＝ＩＯＰＯＲＴ１； ＥＮＤ； ＣＬＲＣＬＫ； ＳＥＴＣＬＫ； Ｊ＝０； ＡＡ： ＤＯ Ｉ＝ １ ＴＯ ８； Ｊ＝Ｊ＋１； Ｘ＝ＲＯＬ（ＡＤＤＲ，１； ＡＤＤＲ＝Ｘ； ＣＬＲＣＬＫ； ＩＦ（（Ｘ ＡＮＤ ０１Ｈ）＝０１Ｈ） ＴＨＥＮ ＳＥＴＤＩ ＥＬＳＥ ＣＬＲＤＩ； ＳＥＴＣＬＫ； ＥＮＤ； ＩＦ Ｊ＜＞１６ ＴＨＥＮ ＤＯ； ＡＤＤＲ ＝ＤＡＴＡ； ＧＯＴＯ ＡＡ； ＥＮＤ； ＣＬＲＣＳ；ＳＥＴＣＳ； ＣＡＬＬ ＴＩＭＥ（１００）；? ＥＮＤ； |
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