富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品

富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM( ^注1 )---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)( ^注2 )合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均電流，在5MHz工作頻率下僅需0.15mA讀取數(shù)據(jù)，這讓需透過電池供電且經(jīng)常讀取數(shù)據(jù)的裝置能達到最低功耗。MB85AS8MT采用極小的晶圓級封裝 (WL-CSP)，所以非常適用于需電池供電的小型穿戴裝置，包括助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。

MB85AS8MT采用極小的晶圓級封裝 (WL-CSP)

富士通電子提供各種鐵電隨機存取內(nèi)存 (FRAM)(^注3) 產(chǎn)品，能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫次數(shù)與更快的寫入速度。富士通電子的FRAM產(chǎn)品以最佳的非揮發(fā)性內(nèi)存聞名，尤其是需要非常頻繁記錄及保護寫入的數(shù)據(jù)以避免突然斷電時導致數(shù)據(jù)遺失。但同時，也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的內(nèi)存，因為他們的應用僅需少量的寫入次數(shù)，卻極頻繁地讀取數(shù)據(jù)。 富士通電子提供各種鐵電隨機存取內(nèi)存 (FRAM)(^注3) 產(chǎn)品，能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫次數(shù)與更快的寫入速度。富士通電子的FRAM產(chǎn)品以最佳的非揮發(fā)性內(nèi)存聞名，尤其是需要非常頻繁記錄及保護寫入的數(shù)據(jù)以避免突然斷電時導致數(shù)據(jù)遺失。但同時，也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的內(nèi)存，因為他們的應用僅需少量的寫入次數(shù)，卻極頻繁地讀取數(shù)據(jù)。 

MB85AS8MT的三大特色與相關(guān)應用

為滿足此需求，富士通電子特別開發(fā)出新型態(tài)的非揮發(fā)性ReRAM內(nèi)存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的廣泛電壓，且包含指令與時序在內(nèi)的電氣規(guī)格都兼容于EEPROM產(chǎn)品。 “MB85AS8MT”最大的特色在于即使擁有超高密度，仍能達到極小的平均讀取電流。例如，在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流為0.15mA，僅相當于高密度EEPROM器件所需電流的5%。 

因此，在需要透過電池供電的產(chǎn)品中，像是特定程序讀取或設(shè)定數(shù)據(jù)讀取這類需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應用中，透過此內(nèi)存的超低讀取電流特性，該產(chǎn)品即能大幅降低電池的耗電量。

在5MHz的工作頻率下，MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%

除了提供與EEPROM兼容的8針腳小外形封裝 (SOP) 外，還可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP，適用于裝設(shè)在小型穿戴裝置中。

高密度內(nèi)存與低功耗的MB85AS8MT采用極小封裝規(guī)格，成為最適合用于需以電池供電的小型穿戴裝置的內(nèi)存，例如助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。 

富士通電子將持續(xù)致力研發(fā)最佳內(nèi)存，支持客戶對各種特殊應用的需求。

MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP

關(guān)鍵規(guī)格：

●   器件型號：MB85AS8MT 

●   內(nèi)存密度 (組態(tài))：8 Mbit (1M字符x 8位) 

●   界面：序列外圍接口 (SPI) 

●   運作電壓：1.6V至3.6V 

●   運作頻率：最高10MHz 

●   低功耗：讀取運作電流0.15mA (5MHz下取平均值) 

●   寫入周期時間：10ms 

●   分頁容量：256 bytes 

●   保證寫入周期：100萬次 

●   保證讀取周期：無限 

●   數(shù)據(jù)保留：10年 (最高耐熱達85°C) 

●   封裝：11-pin WL-CSP與8-pin SOP

【注釋】

^（注1）：可變電阻式隨機存取內(nèi)存 (ReRAM)：為非揮發(fā)性內(nèi)存，藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構(gòu)組成，使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優(yōu)點。

^（注2）：松下電器半導體有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.： 

〒 617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地 

^（注3）：鐵電隨機存儲器 (FRAM)：FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。