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邊緣光子集成電路有哪些應(yīng)用?

作者: 時(shí)間:2025-07-31 來源: 收藏

光子(PIC)可以實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸、低功耗和緊湊的尺寸,使其適合集成到邊緣設(shè)備中。它們?cè)絹碓蕉嗟赜糜谶吘壢斯ぶ悄芎蛡鞲衅鲬?yīng)用的信號(hào)處理。

硅光子學(xué)是一項(xiàng)廣泛的技術(shù)。它基于CMOS處理、異構(gòu)集成和先進(jìn)的光學(xué)功能。絕緣體上硅 (SOI) 是一個(gè)關(guān)鍵的推動(dòng)因素。PIC 的一些關(guān)鍵要素包括(圖 1):

  • 光波導(dǎo)可以用硅或氮化硅制成,并實(shí)現(xiàn)高效的片上光連接。

  • 光環(huán)諧振器作為基本構(gòu)建塊,可以與濾光片、調(diào)制器、多路復(fù)用器和頻率梳發(fā)生器集成。還有更專業(yè)的設(shè)計(jì),例如用于激光和干涉儀的法布里-佩羅諧振器,以及耳語畫廊模式諧振器,它們最適合傳感和非線性光學(xué)功能。

  • 調(diào)制器用于管理光子學(xué)特性,例如相位、偏振和強(qiáng)度,以優(yōu)化 PIC 性能。

  • 光電探測(cè)器提供 PIC 的光學(xué)和電氣部分與外部之間的連接。

  • 光耦合元件用于組合、分割或重新分配光信號(hào)。光柵耦合器和邊緣耦合器因其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)而最為常見。光柵耦合器與 CMOS 處理兼容,而邊緣耦合器需要額外的后端處理步驟,例如切割和拋光,但可以提供與外部激光器和電子設(shè)備的連接。

圖 1.常見 PIC 功能元件示例。(圖片來源:Santec)

邊緣人工智能中的 PIC

PIC 可以支持自動(dòng)駕駛汽車和機(jī)器人中的激光雷達(dá)等應(yīng)用的更低延遲,從而實(shí)現(xiàn)更安全的導(dǎo)航。PIC 比傳統(tǒng) IC 消耗的能耗要低得多,這是能量受限的邊緣設(shè)備中的一個(gè)重要考慮因素。

由于在邊緣設(shè)備上處理數(shù)據(jù)減少了對(duì)云連接的需求和相關(guān)的能源需求,因此可以進(jìn)一步節(jié)省能源。消除或最大限度地減少對(duì)無線連接的需求也使邊緣設(shè)備更具彈性。

先進(jìn)傳感器中的 PIC

PIC 可用于邊緣應(yīng)用的高靈敏度和緊湊型傳感器。PIC與邊緣AI相結(jié)合,可以直接在傳感器芯片上實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)物體和面部識(shí)別,以及其他復(fù)雜的圖像處理功能。

PIC 傳感器被用于環(huán)境監(jiān)測(cè)器,可以檢測(cè)污染物并測(cè)量空氣或水質(zhì)。它們還用于食品加工中測(cè)量成熟度和營養(yǎng)成分等參數(shù)。

PIC 芯片實(shí)驗(yàn)室

PIC 傳感器可以對(duì)現(xiàn)場的醫(yī)療和環(huán)境條件進(jìn)行快速診斷,無需遠(yuǎn)程實(shí)驗(yàn)室。在許多情況下,它們還具有更高的靈敏度并提供卓越的結(jié)果。對(duì)于某些材料,可以使用 PIC 傳感器可靠地檢測(cè) 10-18 摩爾/升或溶解在一升溶液中的物質(zhì)的五分之一摩爾濃度。


圖 2.像這樣基于 PIC 的芯片實(shí)驗(yàn)室生物傳感器可以為醫(yī)療診斷提供實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。(圖片來源:Aventier)

用于這些應(yīng)用的集成光學(xué)傳感器通常使用氮化硅 (SiN) 制造。SiN波導(dǎo)在可見光到近紅外范圍內(nèi)具有良好的靈敏度,并且可以用較小的彎曲半徑制造。這使得一個(gè)很長的傳感器可以“卷起”,在PIC表面上占用的空間非常小。較長的傳感器具有更高的靈敏度。

一些設(shè)計(jì)在傳感器上有一層涂層,當(dāng)它遇到目標(biāo)分子時(shí),它會(huì)改變其折射率。使用光子換能器檢測(cè)折射率的變化,并使用光波導(dǎo)連接到芯片實(shí)驗(yàn)室的其余部分(圖 2)。

其他光子學(xué)平臺(tái)

PIC 是一種多功能技術(shù),可以使用 Si 和 SiN 以外的材料制造。許多 PIC 都采用二氧化硅 (SiO2) 來實(shí)現(xiàn)平面光波導(dǎo)等功能。


圖 3.該可調(diào)諧激光器系統(tǒng)采用混合集成,將低損耗 SiN PIC 與高性能有源增益 InP PIC 相結(jié)合。(圖片:PhotonDelta)

鈮酸鋰 (LiNbO3) 可用于制造低損耗調(diào)制器。其低光學(xué)折射率和寬透明窗口使其非常適合匹配光纖輸入和輸出。絕緣體上的鈮酸鋰 (LNOI) 技術(shù)正在開發(fā)中,用于未來的 PIC 設(shè)計(jì)。

通過使用異構(gòu)或混合集成混合 PIC 技術(shù),可以同時(shí)優(yōu)化系統(tǒng)成本和性能。例如,已經(jīng)為軍事系統(tǒng)開發(fā)了一種可調(diào)諧激光系統(tǒng),該系統(tǒng)將低損耗 SiN PIC 與高性能有源增益磷化銦 (InP) PIC 相結(jié)合(圖 3)。

總結(jié)

PIC 正在被用于越來越多的邊緣應(yīng)用,包括數(shù)據(jù)處理和傳感器集成。它們可以降低能耗并增強(qiáng)處理能力,并且可以在單芯片上實(shí)現(xiàn),也可以通過融合多種半導(dǎo)體和傳感器技術(shù)的異構(gòu)集成來實(shí)現(xiàn)。



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