第三代半導(dǎo)體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺(tái)、航空航天、AI運(yùn)算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。

拓墣預(yù)估，2025年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)7.5億美元，年增率高達(dá)62.7%，至2030年將擴(kuò)大至43.8億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)42.3%。

GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應(yīng)用外，也加速滲透至智慧城市、無(wú)線充電與醫(yī)療設(shè)備等新興場(chǎng)景。

隨中國(guó)大陸等地積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應(yīng)鏈本土化進(jìn)程加速，各國(guó)力圖建立從材料、晶圓制造到封裝測(cè)試的完整在地產(chǎn)業(yè)鏈，以降低對(duì)外依賴。

能源轉(zhuǎn)型與AI技術(shù)逐步演進(jìn)，GaN不再只是碳化硅（SiC）的補(bǔ)充材料，而是逐步取代其在中壓、高頻功率領(lǐng)域的角色。

產(chǎn)業(yè)策略亦由過(guò)往的「技術(shù)推動(dòng)」轉(zhuǎn)為「應(yīng)用驅(qū)動(dòng)」，廠商積極與系統(tǒng)整合商協(xié)作，共同開(kāi)發(fā)電源模塊與封裝方案，打通產(chǎn)品與終端應(yīng)用間的界線，擴(kuò)展商業(yè)規(guī)模與利潤(rùn)潛能。

拓墣指出，未來(lái)三至五年全球數(shù)據(jù)運(yùn)算密度與功耗需求將急速上升，GaN因具備技術(shù)成熟度與垂直整合優(yōu)勢(shì)，將在中低壓、高頻應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。

相較于SiC，GaN展現(xiàn)出更高的靈活性與擴(kuò)展性，將成為2025年跨入主流應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展將聚焦三大方向：一是技術(shù)創(chuàng)新，包括垂直GaN組件、高電壓承受力與300mm晶圓制程，并導(dǎo)入雙面散熱、嵌入式等先進(jìn)封裝技術(shù)，以提升性能并降低成本。

二是應(yīng)用拓展，涵蓋再生能源、工業(yè)馬達(dá)、太空應(yīng)用、V2G雙向充電等新興領(lǐng)域; 三是推動(dòng)永續(xù)，GaN的高能效轉(zhuǎn)換特性有助全球節(jié)能減碳，符合凈零碳排目標(biāo)。

拓墣認(rèn)為，掌握GaN技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的企業(yè)，將于未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變局中占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，成為全球能源轉(zhuǎn)型與智慧科技發(fā)展的核心。