英特爾成功部署ASML High-NA EUV光刻系統(tǒng)，推進(jìn)先進(jìn)工藝量產(chǎn)化進(jìn)程

【EEPW 電子產(chǎn)品世界 訊】在全球半導(dǎo)體制造競爭日趨激烈之際，英特爾公司近日宣布已成功將ASML最新一代高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻設(shè)備整合至其生產(chǎn)線。這一舉措不僅標(biāo)志著芯片制造技術(shù)的一大突破，也預(yù)示著英特爾正在加快重塑其在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位的步伐。

據(jù)英特爾透露，首批部署的兩臺ASML High-NA EUV設(shè)備已在其先進(jìn)工藝試產(chǎn)線上成功運行，并在一個季度內(nèi)處理超過30,000片晶圓，展示出是上一代系統(tǒng)兩倍的可靠性。這些光刻設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)8納米的分辨率，相較當(dāng)前0.33 NA EUV系統(tǒng)大幅提高了圖形精度，具備更高的工藝集成密度潛力。

英特爾高級工程師史蒂夫·卡森（Steve Carson）在加州圣何塞的行業(yè)會議上指出：“High-NA系統(tǒng)的引入使得我們可以更少次曝光達(dá)成更精細(xì)的圖形，這不僅提高了晶圓產(chǎn)能，也大幅簡化了制程復(fù)雜度?！彼f，“這為我們后續(xù)14A工藝節(jié)點的大規(guī)模量產(chǎn)奠定了堅實基礎(chǔ)?！?/p>

High-NA EUV技術(shù)由荷蘭ASML公司研發(fā)，被業(yè)界視為繼傳統(tǒng)EUV之后最具變革性的芯片制造平臺。英特爾是該設(shè)備的首批部署客戶，借此加速推進(jìn)其“IDM 2.0”戰(zhàn)略，在未來數(shù)年內(nèi)實現(xiàn)從18A到14A的制程躍遷。

ASML方面也表示，當(dāng)前對High-NA EUV設(shè)備的市場需求正在迅速上升，特別是在人工智能芯片、高性能計算及先進(jìn)移動設(shè)備領(lǐng)域的推動下，該技術(shù)將成為未來十年半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵支撐。

通過與ASML的深度合作，英特爾意圖在臺積電和三星等競爭對手主導(dǎo)的先進(jìn)工藝市場中重新奪回技術(shù)主動權(quán)，并支撐其代工業(yè)務(wù)（Intel Foundry）在全球市場的戰(zhàn)略擴(kuò)張。

隨著High-NA EUV光刻設(shè)備的量產(chǎn)化推進(jìn)，半導(dǎo)體制造的物理極限將進(jìn)一步被突破，為7納米以下甚至3納米工藝的商業(yè)化提供堅實支撐。這一變革也將對包括AI加速器、圖形處理器以及新型架構(gòu)處理器等多個技術(shù)方向產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。