新建/擴(kuò)產(chǎn)！全球多座芯片工廠有大動(dòng)作

近期半導(dǎo)體行業(yè)喜事連連，8月16日德州儀器獲得美國(guó)《芯片和科學(xué)法案》撥款加稅款等總計(jì)超180億美元補(bǔ)貼，用來(lái)推進(jìn)三座12英寸晶圓廠建設(shè)；另外，臺(tái)積電旗下首座歐洲12英寸廠也將在明天開(kāi)始動(dòng)工，三座先進(jìn)封裝工廠獲最新進(jìn)展；此外，LTSCT計(jì)劃投資100億美元在印度新建三座晶圓廠，分別專(zhuān)注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。

大額補(bǔ)貼到賬！德州儀器新建三座12英寸晶圓廠

8月16日，美國(guó)政府宣布與德州儀器（Texas Instruments）簽署初步協(xié)議，將通過(guò)《芯片和科學(xué)法案》向后者提供高達(dá)16億美元的資助，以協(xié)助推進(jìn)其建造三座新的晶圓廠，其中有兩座位于德克薩斯州謝爾曼（SM1和SM2），一座位于猶他州萊希（LFAB2）。德州儀器總裁兼首席執(zhí)行官Haviv Ilan表示，計(jì)劃到2030年將內(nèi)部制造率提高到95%以上，目前正在大規(guī)模建設(shè)300毫米產(chǎn)能，以提供未來(lái)幾年客戶所需的模擬和嵌入式處理芯片。

圖片來(lái)源：德州儀器

據(jù)悉，這筆資金將用于德州儀器建設(shè)SM1潔凈室并完成初始生產(chǎn)的中試線，為L(zhǎng)FAB2建造潔凈室，以開(kāi)始初始生產(chǎn)。并為SM2構(gòu)建外殼。

美國(guó)官員表示，除了撥款外，該國(guó)還將向德州儀器提供高達(dá)30億美元的貸款。此外，TI預(yù)計(jì)將從美國(guó)財(cái)政部的合格美國(guó)制造業(yè)投資投資稅收抵免中獲得約60億至80億美元的資金。上述這些資金將支持該公司投資超過(guò)180億美元建造新設(shè)施。

謝爾曼工廠圖（圖片來(lái)源：德州儀器）

據(jù)德州儀器官方此前消息，該公司預(yù)計(jì)花費(fèi)300億美元投資，計(jì)劃建造多達(dá)四座相連的晶圓廠（SM1、SM2、SM3、SM4），以滿足客戶未來(lái)幾十年的需求。根據(jù)其2022年發(fā)布的規(guī)劃，德州儀器2030年前將新建6座300mm晶圓廠，其中美國(guó)德州理查森的RFAB2和從美光收購(gòu)LFAB工廠分別于2022年第三季度、2023年第一季度投產(chǎn)；德州謝爾曼4座工廠中2座工廠在2023年完成建設(shè)；另外2座將于2026-2030年開(kāi)始建設(shè)。

在上述規(guī)劃之外，2023年2月，TI又宣布將在美國(guó)猶他州的萊希建造第二座300mm晶圓制造廠，已與2023年下半年開(kāi)始建造，最早將于2026年投產(chǎn)，將主要生產(chǎn)模擬和嵌入式處理芯片。據(jù)悉，該工廠緊鄰其現(xiàn)有12英寸晶圓制造廠LFAB，建成后兩個(gè)工廠將合并為一個(gè)晶圓制造廠進(jìn)行運(yùn)營(yíng)。

對(duì)于未來(lái)，德州儀器希望到2030年公司營(yíng)收達(dá)到450億美元，比2022年提升了一倍多。該公司的目標(biāo)是在未來(lái)10年左右收入實(shí)現(xiàn)7%的復(fù)合年增長(zhǎng)，與之相較，2010年-2020年的平均增長(zhǎng)率為4%。為了實(shí)現(xiàn)該，TI重新調(diào)整了本已提高的資本支出計(jì)劃，上調(diào)了2023-2026年每年資本開(kāi)支至50億美元，2027后資本開(kāi)支占收入比重為10%-15%。

公開(kāi)資料顯示，德州儀器是全球最大的模擬芯片供應(yīng)商，長(zhǎng)期以來(lái)在全球模擬芯片行業(yè)市占率第一。模擬芯片廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品和系統(tǒng)中，包括汽車(chē)、工業(yè)、通信和消費(fèi)電子等。

近兩年，德州儀器受困于市場(chǎng)工業(yè)和汽車(chē)電子元件需求下滑，業(yè)績(jī)也有所下滑。但是據(jù)其今年上半年財(cái)報(bào)顯示，德州儀器釋放消費(fèi)型電子落底訊號(hào)，

其財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度，德州儀器營(yíng)業(yè)收入為36.61億美元，同比增長(zhǎng)-16.40%；凈利潤(rùn)為11.05億美元；同比增長(zhǎng)-35.30%，毛利率為57.22%，同比下降8.16個(gè)百分點(diǎn)。第二財(cái)季該公司營(yíng)收38.2億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)12.5億美元，預(yù)計(jì)第三財(cái)季營(yíng)收39.4億-42.6億美元。改季德州儀器消費(fèi)性電子終端環(huán)比增長(zhǎng)15％左右，盡管工業(yè)、車(chē)用仍呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，不過(guò)其終端市場(chǎng)已完成庫(kù)存調(diào)整，著將有利于德州儀器迎來(lái)復(fù)蘇。德州儀器管理階層透露，產(chǎn)能利用率將于第三季度略為改善，庫(kù)存天數(shù)季減6天至229天，供需關(guān)系正在轉(zhuǎn)佳。

臺(tái)積電多座工廠最新動(dòng)態(tài)！

除了德州儀器三座12英寸晶圓廠獲得推進(jìn)外，臺(tái)積電旗下首座歐洲12英寸廠也將在明天開(kāi)始動(dòng)工。先進(jìn)封裝廠房方面，嘉義2座CoWoS先進(jìn)封裝加速建設(shè)，并新購(gòu)得群創(chuàng)南科4廠5.5代廠房。

01、歐洲廠明日動(dòng)土

不久前臺(tái)積電方表示，將于8月20日舉行德國(guó)新廠動(dòng)土典禮，并接續(xù)展開(kāi)整地作業(yè)，預(yù)計(jì)今年年底前動(dòng)工興建，目標(biāo)2027年底開(kāi)始生產(chǎn)。據(jù)了解，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家將率團(tuán)前往，包括上百名主管與員工與會(huì)；臺(tái)積電協(xié)力廠與伙伴博世、英飛凌和恩智浦也將由高階主管出席。

據(jù)悉，德國(guó)該新工廠稱(chēng)為歐洲半導(dǎo)體制造公司（ESMC），臺(tái)積電將持有新工廠70%股份，合作方德國(guó)博世、英飛凌和荷蘭芯片制造商恩智浦各持股10%。ESMC的首任總裁將是前博世德累斯頓晶圓廠廠長(zhǎng)斯蒂安科伊茨施（Christian Koitzsch）。該晶圓廠將聚焦車(chē)用和工業(yè)用芯片，旨在滿足歐盟對(duì)汽車(chē)和工業(yè)芯片本地化的需求。具體工藝為28/22nm平面CMOS、16/12nm FinFET等成熟制程，預(yù)計(jì)于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，月產(chǎn)能可達(dá)4萬(wàn)片12英寸晶圓。

02、臺(tái)積電多座先進(jìn)封裝廠新進(jìn)展

近日，臺(tái)積電的三座先進(jìn)封裝廠獲得最新進(jìn)展，其中嘉義2座CoWoS先進(jìn)封裝廠獲批加快建設(shè)。另外，8月15日臺(tái)積電發(fā)布公告，花費(fèi)171.4億元新臺(tái)幣購(gòu)買(mǎi)群創(chuàng)南科4廠5.5代廠房。

臺(tái)積電計(jì)劃在嘉義科學(xué)園區(qū)興建2座CoWoS先進(jìn)封裝廠，據(jù)其此前規(guī)劃，第一座工廠將于2026年完成建設(shè)，并于2028年投產(chǎn)。不過(guò)在今年5月施工過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了文物遺跡，因此整個(gè)建設(shè)項(xiàng)目暫停施工。

據(jù)報(bào)道，在解決與現(xiàn)場(chǎng)挖掘和環(huán)境影響評(píng)估（EIA）考古挖掘相關(guān)的問(wèn)題后，近日，中國(guó)臺(tái)灣發(fā)布公告顯示，臺(tái)積電已繼續(xù)推進(jìn)AP7一期和AP7二期建設(shè)。

目前臺(tái)積電先進(jìn)封裝持續(xù)供不應(yīng)求，InFO、CoWoS等先進(jìn)封裝產(chǎn)能不斷加碼擴(kuò)產(chǎn)仍難滿足行業(yè)高漲的需求。據(jù)悉，臺(tái)積電的先進(jìn)封裝廠AP7將耗資數(shù)十億美元，并將配備支持先進(jìn)后端封裝技術(shù)的設(shè)備。臺(tái)積電的CoWoS-S用于AMD的Instinct MI250以及英偉達(dá)A100、H100/H200芯片，而CoWoS-L將用于英偉達(dá)B100/B200和其他下一代AI和HPC應(yīng)用處理器。未來(lái)，AP7還將支持臺(tái)積電的SoIC（集成級(jí)集成單芯片）封裝方法，包括CoW、WoW等前端3D堆疊技術(shù)，這將使代工廠能夠組裝類(lèi)似于AMD的Instinct MI300的垂直堆疊產(chǎn)品。

另外，8月15日臺(tái)積電公告，斥資171.4億元新臺(tái)幣向群創(chuàng)購(gòu)買(mǎi)南科廠房及附屬設(shè)施。TrendForce集邦咨詢表示，快速獲得現(xiàn)有廠房，將幫助臺(tái)積電加速擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能，減緩產(chǎn)能吃緊的問(wèn)題。臺(tái)積電CEO魏哲家近期公開(kāi)表示，臺(tái)積電正加速推進(jìn)FOPLP工藝，目前已經(jīng)成立了專(zhuān)門(mén)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并規(guī)劃建立小規(guī)模試產(chǎn)線，力爭(zhēng)在2027年量產(chǎn)。行業(yè)預(yù)估潛力巨大的FOPLP有望接棒臺(tái)積電CoWoS和InFO，成為下一個(gè)延續(xù)摩爾定律的先進(jìn)封裝新星。詳情可了解《臺(tái)積電、日月光再買(mǎi)地?cái)U(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝！FOPLP賽道即將爆火！》。

LTSCT擬投資100億美元在印度建三座晶圓廠

在印度政府推動(dòng)下，印度科技企業(yè)正在加大半導(dǎo)體布局。據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億-120億美元，在未來(lái)5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專(zhuān)注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。

公開(kāi)資料顯示，LTSCT為L(zhǎng)&T的全資子公司，是一家無(wú)晶圓廠公司，業(yè)務(wù)涵蓋MEMS傳感器、功率、模擬混合信號(hào)和射頻產(chǎn)品，以支持汽車(chē)、工業(yè)、能源和電信領(lǐng)域。母公司L&T是一家價(jià)值270億美元的跨國(guó)企業(yè)集團(tuán)，其于去年投資85億盧比成立了LTSCT。

LTSCT公司首席執(zhí)行官Sandeep Kumar表示，LTSCT從類(lèi)似高通或聯(lián)發(fā)科的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)公司向芯片制造實(shí)體的轉(zhuǎn)型，將建立在公司實(shí)現(xiàn)10億美元營(yíng)收目標(biāo)的基礎(chǔ)之上。LTSCT預(yù)估這一營(yíng)收目標(biāo)將在未來(lái)2~3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)，屆時(shí)將著手建設(shè)晶圓廠。

Kumar進(jìn)一步解釋道，該公司涉足各種技術(shù)，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化鎵芯片。因此，隨著時(shí)間的推移，公司計(jì)劃建立三個(gè)不同的晶圓廠，每個(gè)晶圓廠都需要不同程度的投資。資金分配方面，LTSCT對(duì)硅的投資或?qū)⒊^(guò)100億美元，對(duì)碳化硅的投資額在10億美元以上，對(duì)氮化鎵的投資額則在5億美元左右。

“在硅材料方面，所有合作伙伴的細(xì)節(jié)都已就緒。在氮化鎵方面，已經(jīng)完成了一半工作，而碳化硅方面，在未來(lái)三個(gè)月內(nèi)，公司將確定與誰(shuí)合作。”Kumar補(bǔ)充道。據(jù)悉，LTSCT的碳化硅芯片將由兩家日本合作伙伴生產(chǎn)，而基于氮化鎵的射頻和功率器件芯片將由格芯和中國(guó)臺(tái)灣的世界先進(jìn)生產(chǎn)。

值得一提的是，在擬加碼半導(dǎo)體制造同時(shí)，LTSCT也在持續(xù)加強(qiáng)對(duì)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的布局。7月9日，LTSCT以18.3億盧比現(xiàn)金收購(gòu)班加羅爾SiliConchSystems的100%股份。L&T在周二的監(jiān)管文件中表示：“此次收購(gòu)預(yù)計(jì)將增加知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP)、工程技能和設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)知識(shí)，以加強(qiáng)集團(tuán)在無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的地位，從而符合LTSCT的整體增長(zhǎng)戰(zhàn)略?！?/p>