日月光小芯片互連對(duì)準(zhǔn)AI

日月光投控21日宣布VIPack平臺(tái)先進(jìn)互連技術(shù)的最新進(jìn)展，透過微凸塊 (microbump) 技術(shù)將芯片與晶圓互連間距的制程能力由40um（微米）提升到20um，滿足AI應(yīng)用于多樣化小芯片（chiplet）整合需求。

日月光先前指出，今年先進(jìn)封裝相關(guān)營(yíng)收可望較去年翻倍成長(zhǎng)，市場(chǎng)法人更看好，日月光在先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)推進(jìn)，有利未來幾年在先進(jìn)封裝營(yíng)收比重快速拉升。

日月光搶布先進(jìn)封裝，該公司表示，AI相關(guān)高階先進(jìn)封裝將從現(xiàn)有客戶收入翻倍，今年日月光在先進(jìn)封裝與測(cè)試營(yíng)收占比上更高。

市場(chǎng)法人估計(jì)，日月光今年相關(guān)營(yíng)收增加可望達(dá)2.5億美元以上，成長(zhǎng)動(dòng)能將持續(xù)，除了受惠高階先進(jìn)封裝，日月光也將受惠主流封裝因應(yīng)AI生態(tài)系統(tǒng)成長(zhǎng)的半導(dǎo)體芯片需求。

日月光強(qiáng)調(diào)，這種先進(jìn)互連解決方案，對(duì)于在新一代的垂直整合，例如日月光 VIPack平臺(tái)2.5D和3D封裝與2D并排解決方案中實(shí)現(xiàn)創(chuàng)造力和微縮至關(guān)重要。

日月光也指出，隨著小芯片設(shè)計(jì)方法加速進(jìn)化，該公司先進(jìn)互連技術(shù)使設(shè)計(jì)人員能夠有創(chuàng)新的高密度小芯片整合選項(xiàng)，微凸塊技術(shù)使用新型金屬迭層 （metallurgical stack），將間距從40um減少到20um。

微凸塊技術(shù)進(jìn)步擴(kuò)展現(xiàn)有的硅與硅互連能力，此技術(shù)更有助于促進(jìn)其他開發(fā)活動(dòng)，從而進(jìn)一步縮小間距。

日月光補(bǔ)充，當(dāng)針對(duì)系統(tǒng)單芯片（SoC）進(jìn)行小芯片或IP區(qū)塊解構(gòu)（disaggregation）時(shí)，區(qū)塊間可能存在大量連接，小尺寸IP區(qū)塊往往會(huì)導(dǎo)致許多空間受限的連接，微間距互連技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)3D整合及更高密度的高IO內(nèi)存（high IO memory）。

AI快速增長(zhǎng)，日月光提供先進(jìn)互連創(chuàng)新技術(shù)，滿足復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)及系統(tǒng)架構(gòu)要求，降低制造成本并加快上市時(shí)間。芯片級(jí)互連技術(shù)的擴(kuò)展為小芯片開辟更多應(yīng)用，不僅針對(duì)AI等高階應(yīng)用，也擴(kuò)及手機(jī)應(yīng)用處理器（mobile AP）以及微控制器等其他關(guān)鍵產(chǎn)品。