Arm 和三星合作開發(fā)下一代 2nm 芯片

IP開發(fā)商和代工廠之間的設(shè)計(jì)協(xié)作對(duì)于最大限度地提高電路性能和功耗至關(guān)重要。2月21日，Arm 和三星宣布，他們將共同優(yōu)化 Arm 下一代高性能 Cortex-X 和 Cortex-A 內(nèi)核的設(shè)計(jì)，以用于三星即將推出的工藝技術(shù)，這些技術(shù)依賴于全環(huán)繞柵極 （GAA） 多橋通道 FET （MBCFET） 晶體管。

此次合作的重點(diǎn)是針對(duì)三星下一代 2nm 級(jí)工藝技術(shù)優(yōu)化 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 通用 CPU 內(nèi)核，盡管兩家公司沒有透露他們是否打算為三星預(yù)計(jì)于 2025 年推出的 SF2 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)或預(yù)計(jì)將于 2026 年推出的 SF2P 制造工藝定制 Arm 的 IP。

（圖片來源：三星）

Arm 和三星表示，他們將為廣泛的應(yīng)用定制 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 內(nèi)核，包括“下一代數(shù)據(jù)中心和基礎(chǔ)設(shè)施定制芯片”、智能手機(jī)以及各種需要高性能通用 CPU 內(nèi)核的基于小芯片的解決方案。

Arm高級(jí)副總裁兼客戶業(yè)務(wù)總經(jīng)理Chris Bergey表示：“在最新的三星工藝節(jié)點(diǎn)上優(yōu)化Cortex-X和Cortex-A處理器凸顯了我們的共同愿景，即重新定義移動(dòng)計(jì)算的可能性，我們期待繼續(xù)突破界限，以滿足AI時(shí)代對(duì)性能和效率的無情要求。

由于 Arm 和三星之間的聯(lián)合合作，兩家公司的客戶將能夠根據(jù)需要為其定制設(shè)計(jì)授權(quán)三星 2nm 優(yōu)化版本的 Cortex-A 或 Cortex-X 內(nèi)核。這將簡(jiǎn)化開發(fā)過程并加快上市時(shí)間，這可能意味著我們可能會(huì)早日看到三星制造的用于數(shù)據(jù)中心和鄰近應(yīng)用的 2nm 設(shè)計(jì)。然而，就目前而言，Arm和三星對(duì)何時(shí)能夠?yàn)樗麄兊墓餐蛻籼峁┖献鞯牡谝慌晒乜谌缙俊?/p>

與當(dāng)今廣泛使用的 FinFET 晶體管不同，基于 GAA 納米片的晶體管可以通過多種方式進(jìn)行調(diào)諧，以最大限度地提高性能、優(yōu)化功耗和/或最大限度地提高晶體管密度。因此，我們期待兩家科技巨頭之間的合作取得相當(dāng)可觀的成果。

雖然 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 內(nèi)核在架構(gòu)方面相似，但 Cortex-X 往往具有性能優(yōu)化，使它們能夠運(yùn)行得更快。這些內(nèi)核應(yīng)該在未來幾年的某個(gè)時(shí)候從Arm和三星的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）中獲益。