佳能推出納米壓印半導體制造設備，執(zhí)行電路圖案轉移

（FPA-1200NZ2C  圖源:Canon)

據悉，除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)外，佳能還將采用納米壓印(NIL)技術的半導體制造設備推向市場，擴大其半導體制造設備陣容，以滿足從最先進的半導體設備到現(xiàn)有設備的廣泛需求。

佳能官方介紹稱，其NIL技術可實現(xiàn)最小線寬14nm的圖形化，相當于生產目前最先進的邏輯半導體所需的5nm節(jié)點。隨著掩模技術的進一步改進，納米壓印光刻有望實現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當于2nm節(jié)點。此外，新產品采用新開發(fā)的環(huán)境控制技術，可抑制設備內細顆粒污染，使精細復雜電路的形成成為可能，有助于制造尖端半導體器件。