美國(guó)允許 韓國(guó)芯片雙雄松了一口氣

韓國(guó)貿(mào)易部周三表示，即使在華盛頓提議的旨在防止美國(guó)補(bǔ)貼在中國(guó)使用的規(guī)則實(shí)施之后，但三星電子和 SK 海力士將能夠維護(hù)和升級(jí)其在中國(guó)的制造設(shè)施——盡管幅度很小。

美國(guó)商務(wù)部周二宣布，將限制《芯片與科學(xué)法案》資金的接受者在包括中國(guó)和俄羅斯在內(nèi)的“相關(guān)國(guó)家”投資擴(kuò)大半導(dǎo)體制造。   

但該限制并非完全禁止在中國(guó)投資，因?yàn)樵摬块T(mén)允許接受公司將先進(jìn)芯片的產(chǎn)能擴(kuò)大 5%，將采用相對(duì)較舊制造工藝生產(chǎn)的芯片產(chǎn)能擴(kuò)大 10%。   

貿(mào)易、工業(yè)和能源部在審查了所謂的芯片護(hù)欄細(xì)節(jié)和去年通過(guò)的科學(xué)法案后，在周三發(fā)布的一份聲明中表示：“在升級(jí)技術(shù)時(shí)，芯片制造商可以通過(guò)提高密度來(lái)增加每片晶圓的芯片數(shù)量，這轉(zhuǎn)化為產(chǎn)能擴(kuò)張?！?/p>

隨著三星電子在中國(guó)西安的制造園區(qū)擴(kuò)產(chǎn)，該地負(fù)責(zé)供應(yīng)三星約 40% 的 NAND 閃存產(chǎn)品。   

位于中國(guó)無(wú)錫的 SK 海力士工廠生產(chǎn) 96 層和 144 層 NAND 閃存以及約 40% 的 DRAM。 

這兩家芯片制造商表示，他們正在徹底審查擬議規(guī)則的細(xì)節(jié)。 

三星電子在一份聲明中表示：“我們一直在與美國(guó)和韓國(guó)的相關(guān)政府機(jī)構(gòu)進(jìn)行密切討論，并計(jì)劃在審查今天公告的細(xì)節(jié)后確定我們的下一步行動(dòng)?！?nbsp;  半導(dǎo)體行業(yè)的一位消息人士表示，這一決定幫助韓國(guó)芯片制造商避免了最壞的情況。 

消息人士稱(chēng)：“此前有人擔(dān)心兩家公司可能被迫關(guān)閉在中國(guó)的芯片工廠，因?yàn)樽畛醯拿襟w報(bào)道稱(chēng)美國(guó)將對(duì)芯片工廠在中國(guó)的擴(kuò)張實(shí)施 10 年禁令?！?nbsp;  

盡管如此，由于美國(guó)對(duì)《芯片和科學(xué)法案》施加了諸多限制，這些公司仍面臨著保持設(shè)施運(yùn)行和使其與最新技術(shù)保持一致的困難。   

去年 10 月，商務(wù)部要求企業(yè)向其在中國(guó)的工廠提供制造額定 18 納米或更小的 DRAM 內(nèi)存芯片和 128 層或更多層的 NAND 閃存芯片的技術(shù)，并獲得美國(guó)政府的批準(zhǔn)。 

三星電子和 SK 海力士獲得了 10 月規(guī)則的一年豁免。   

與此同時(shí)，韓國(guó)立法委員會(huì)同意提出一項(xiàng)旨在增加韓國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)施稅收優(yōu)惠的法案。立法者將在定于 3 月 30 日舉行的全體會(huì)議上投票。   

該修正案將給予大公司高達(dá) 15% 的半導(dǎo)體制造投資稅收抵免，高于之前的 8%。對(duì)于中小企業(yè)，這一比例將從目前的 16% 上調(diào)至 25%。